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產(chǎn)品關(guān)鍵詞:圖形光刻代工,光刻
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光刻曝光系統(tǒng):接觸式曝光和非接觸式曝光的區(qū)別,在于曝光時掩模與晶片間相對關(guān)系是貼緊還是分開。接觸式曝光具有分辨率高、復(fù)印面積大、復(fù)印精度好、曝光設(shè)備簡單、操作方便和生產(chǎn)效率高等特點。但容易損傷和沾污掩模版和晶片上的感光膠涂層,影響成品率和掩模版壽命,對準精度的提高也受到較多的限制。一般認為,接觸式曝光只適于分立元件和中、小規(guī)模集成電路的生產(chǎn)。非接觸式曝光主要指投影曝光。在投影曝光系統(tǒng)中,掩膜圖形經(jīng)光學(xué)系統(tǒng)成像在感光層上,掩模與晶片上的感光膠層不接觸,不會引起損傷和沾污,成品率較高,對準精度也高,能滿足高集成度器件和電路生產(chǎn)的要求。但投影曝光設(shè)備復(fù)雜,技術(shù)難度高,圖形光刻代工,因而不適于低檔產(chǎn)品的生產(chǎn)。現(xiàn)代應(yīng)用較廣的是 1:1倍的全反射掃描曝光系統(tǒng)和x:1倍的在硅片上直接分步重復(fù)曝光系統(tǒng)。正膠光刻的基本流程:襯底清洗、前烘以及預(yù)處理,圖形光刻代工,涂膠、軟烘、曝光,圖形光刻代工、顯影、圖形檢查,后烘。圖形光刻代工
光刻膠若性能不達標會對芯片成品率造成重大影響。目前中國光刻膠國產(chǎn)化水平嚴重不足,重點技術(shù)差距在半導(dǎo)體光刻膠領(lǐng)域,有2-3代差距,隨著下游半導(dǎo)體行業(yè)、LED及平板顯示行業(yè)的快速發(fā)展,未來國內(nèi)光刻膠產(chǎn)品國產(chǎn)化替代空間巨大。同時,國內(nèi)光刻膠企業(yè)積極抓住中國晶圓制造擴產(chǎn)的百年機遇,發(fā)展光刻膠業(yè)務(wù),力爭早日追上國際先進水平,打進國內(nèi)新建晶圓廠的供應(yīng)鏈。光刻膠的國產(chǎn)化公關(guān)正在各方面展開,在面板屏顯光刻膠領(lǐng)域,中國已經(jīng)出現(xiàn)了一批有競爭力的本土企業(yè)。在半導(dǎo)體和面板光刻膠領(lǐng)域,盡管國產(chǎn)光刻膠距離國際先進水平仍然有差距,但是在政策的支持和自身的不懈努力之下,中國已經(jīng)有一批光刻膠企業(yè)陸續(xù)實現(xiàn)了技術(shù)突破。廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所。圖形光刻代工光刻可能會出現(xiàn)顯影不干凈的異常,主要原因可能是顯影時間不足、顯影溶液使用周期過長。
通過調(diào)整光刻膠的配方,滿足差異化的應(yīng)用需求,是光刻膠制造商較中心的技術(shù)。質(zhì)量控制技術(shù):由于用戶對光刻膠的穩(wěn)定性、一致性要求高,包括不同批次間的一致性,通常希望對感光靈敏度、膜厚的一致性保持在較高水平,因此,光刻膠生產(chǎn)商不**要配臵齊全的測試儀器,還需要建立一套嚴格的QA體系以保證產(chǎn)品的質(zhì)量穩(wěn)定。原材料技術(shù):光刻膠是一種經(jīng)過嚴格設(shè)計的復(fù)雜、精密的配方產(chǎn)品,由成膜劑、光敏劑、溶劑和添加劑等不同性質(zhì)的原料,通過不同的排列組合,經(jīng)過復(fù)雜、精密的加工工藝而制成。因此,光刻膠原材料的品質(zhì)對光刻膠的質(zhì)量起著關(guān)鍵作用。對于半導(dǎo)體化學(xué)化學(xué)試劑的純度,際半導(dǎo)體設(shè)備和材料組織(SEMI)制定了國際統(tǒng)一標準,
不同波長的光刻光源要求截然不同的光刻設(shè)備和光刻膠材料。在20世紀80年代,半導(dǎo)體制成的主流工藝尺寸在1.2um(1200nm)至0.8um(800nm)之間。那時候波長436nm的光刻光源被普遍使用。在90年代前半期,隨著半導(dǎo)體制程工藝尺寸朝0.5um(500nm)和0.35um(350nm)演進,光刻開始采用365nm波長光源。436nm和365nm光源分別是高壓汞燈中能量較高,波長較短的兩個譜線。高壓汞燈技術(shù)成熟,因此較早被用來當(dāng)作光刻光源。使用波長短,能量高的光源進行光刻工藝更容易激發(fā)光化學(xué)反應(yīng)、提高光刻分別率。光刻膠是微電子技術(shù)中微細圖形加工的關(guān)鍵材料之一。
對于國產(chǎn)光刻膠來說,今年的九月是極為特殊的一個月份。9月23日,發(fā)改委聯(lián)合工信部、科技部、財政部共同發(fā)布了《關(guān)于擴大戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)投資培育壯大新增長點增長極的指導(dǎo)意見》,《意見》提出,加快新材料產(chǎn)業(yè)強弱項,具體涉及加快在光刻膠、大尺寸硅片、電子封裝材料等領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)突破。而在《意見》還未發(fā)布之前,部分企業(yè)已經(jīng)聞聲先動了。除了幾家企業(yè)加大投資、研發(fā)國產(chǎn)光刻膠之外,還有兩家企業(yè)通過購買光刻機的方式,開展光刻膠的研發(fā)。光刻膠產(chǎn)業(yè),尤其是較優(yōu)光刻膠一直是日本企業(yè)所把持,這已不是什么鮮為人知的信息了。廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所。對于有掩膜光刻,首先需要設(shè)計光刻版,常用的設(shè)計軟件有CAD、L-edit等軟件。圖形光刻代工
光刻機又被稱為:掩模對準曝光機、曝光系統(tǒng)、光刻系統(tǒng)等。圖形光刻代工
光刻技術(shù)是集成電路制造中利用光學(xué)- 化學(xué)反應(yīng)原理和化學(xué)、物理刻蝕方法,將電路圖形傳遞到單晶表面或介質(zhì)層上,形成有效圖形窗口或功能圖形的工藝技術(shù)。隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展,光刻技術(shù)傳遞圖形的尺寸限度縮小了2~3個數(shù)量級(從毫米級到亞微米級),已從常規(guī)光學(xué)技術(shù)發(fā)展到應(yīng)用電子束、 X射線、微離子束、激光等新技術(shù);使用波長已從4000埃擴展到 0.1埃數(shù)量級范圍。光刻技術(shù)成為一種精密的微細加工技術(shù)。光刻技術(shù)是指在光照作用下,借助光致抗蝕劑(又名光刻膠)將掩膜版上的圖形轉(zhuǎn)移到基片上的技術(shù)。其主要過程為:首先紫外光通過掩膜版照射到附有一層光刻膠薄膜的基片表面,引起曝光區(qū)域的光刻膠發(fā)生化學(xué)反應(yīng);再通過顯影技術(shù)溶解去除曝光區(qū)域或未曝光區(qū)域的光刻膠(前者稱正性光刻膠,后者稱負性光刻膠),使掩膜版上的圖形被復(fù)制到光刻膠薄膜上;較后利用刻蝕技術(shù)將圖形轉(zhuǎn)移到基片上。圖形光刻代工
廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所屬于電子元器件的高新企業(yè),技術(shù)力量雄厚。公司致力于為客戶提供安全、質(zhì)量有保證的良好產(chǎn)品及服務(wù),是一家****企業(yè)。公司始終堅持客戶需求優(yōu)先的原則,致力于提供高質(zhì)量的微納加工技術(shù)服務(wù),真空鍍膜技術(shù)服務(wù),紫外光刻技術(shù)服務(wù),材料刻蝕技術(shù)服務(wù)。廣東省半導(dǎo)體所以創(chuàng)造***產(chǎn)品及服務(wù)的理念,打造高指標的服務(wù),引導(dǎo)行業(yè)的發(fā)展。
文章來源地址: http://www.cdcfah.com/cp/2434952.html
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