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產品關鍵詞:云南硅材料刻蝕外協(xié),材料刻蝕
***更新:2020-12-18 03:20:16
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詳細說明
濕法刻蝕是化學清洗方法中的一種,云南硅材料刻蝕外協(xié),是化學清洗在半導體制造行業(yè)中的應用,是用化學方法有選擇地從硅片表面去除不需要材料的過程。其基本目的是在涂膠的硅片上正確地復制掩膜圖形,有圖形的光刻膠層在刻蝕中不受到腐蝕源明顯的侵蝕,這層掩蔽膜用來在刻蝕中保護硅片上的特殊區(qū)域而選擇性地刻蝕掉未被光刻膠保護的區(qū)域。從半導體制造業(yè)一開始,云南硅材料刻蝕外協(xié),濕法刻蝕就與硅片制造聯(lián)系在一起,云南硅材料刻蝕外協(xié)。雖然濕法刻蝕已經逐步開始**法刻蝕所取代,但它在漂去氧化硅、去除殘留物、表層剝離以及大尺寸圖形刻蝕應用等方面仍然起著重要的作用。與干法刻蝕相比,濕法刻蝕的好處在于對下層材料具有高的選擇比,對器件不會帶來等離子體損傷,并且設備簡單。濕法刻蝕是一個純粹的化學反應過程。云南硅材料刻蝕外協(xié)
刻蝕工藝主要分為兩種:干法刻蝕和濕法刻蝕。干法刻蝕是通過等離子氣與硅片發(fā)生物理或化學反應(或結合物理、化學兩種反應)的方式將表面材料去除,主要用于亞微米尺寸下刻蝕,由于具有良好的各向異性和工藝可控性已被普遍應用于芯片制造領域;濕法刻蝕通過化學試劑去除硅片表面材料,一般用于尺寸較大情況,目前仍用于干法刻蝕后殘留物的去除。金屬刻蝕主要應用于金屬互連線、通孔、接觸金屬等環(huán)節(jié)。金屬互連線通常采用鋁合金,對鋁的刻蝕采用氯基氣體和部分聚合物。鎢在多層金屬結構中常用作通孔的填充物,通常采用氟基或氯基氣體。河南MEMS材料刻蝕加工工廠刻蝕較簡單較常用分類是:干法刻蝕和濕法刻蝕。
在等離子蝕刻工藝中,發(fā)生著許多的物理現象。當在腔體中使用電極(DC或RF激發(fā))或微波產生一個強電場,這個電場會加速所有的自由電子并提高他們的內部能量(由于宇宙射線的原因,在任何環(huán)境中都會存在一些自由電子)。自由電子與氣體中的原子/分子發(fā)生撞擊,如果在碰撞過程中,電子傳遞了足夠的能量給原子/分子,就會發(fā)生電離現象,并且產生正離子和其他自由電子若碰撞傳遞的能量不足以激發(fā)電離現象則無法產生穩(wěn)定且能發(fā)生反應的中性物當足夠的能量提供給系統(tǒng),一個穩(wěn)定的,氣相等離子體包含自由電子,正離子和反應中性物等離子蝕刻工藝中等離子體中的原子、分子離子、反應中性物通過物理和化學方式移除襯底表面的材料。純物理蝕刻采用強電場來加速正原子離子(通常使用重量較重,惰性的氬原子)朝向襯底,加速過程將能量傳遞給了離子,當它們撞擊到襯底表面時,內部的能量傳遞給襯底表面的原子,如果足夠的能量被傳遞,襯底表面的原子會被噴射到氣體中,較終被真空系統(tǒng)抽走。
干法刻蝕是芯片制造領域較主要的表面材料去除方法,擁有更好的剖面控制。干刻蝕法按作用機理分為:物理刻蝕、化學刻蝕和物理化學綜合作用刻蝕。物理和化學綜合作用機理中,離子轟擊的物理過程可以通過濺射去除表面材料,具有比較強的方向性。離子轟擊可以改善化學刻蝕作用,使反應元素與硅表面物質反應效率更高。綜合型干刻蝕法綜合離子濺射與表面反應的優(yōu)點,使刻蝕具有較好的選擇比和線寬控制。在集成電路制造過程中需要多種類型的干法刻蝕工藝,應用涉及硅片上各種材料。被刻蝕材料主要包括介質、硅和金屬等,通過與光刻、沉積等工藝多次配合可以形成完整的底層電路、柵極、絕緣層以及金屬通路等。為了復制硅片表面材料上的掩膜圖形,刻蝕必須滿足一些特殊的要求。
干刻蝕是一類較新型,但迅速為半導體工業(yè)所采用的技術。其利用電漿(plasma)來進行半導體薄膜材料的刻蝕加工。其中電漿必須在真空度約10至0.001Torr的環(huán)境下,才有可能被激發(fā)出來;而干刻蝕采用的氣體,或轟擊質量頗巨,或化學活性極高,均能達成刻蝕的目的。干刻蝕基本上包括離子轟擊與化學反應兩部份刻蝕機制。偏「離子轟擊」效應者使用氬氣(argon),加工出來之邊緣側向侵蝕現象極微。而偏化學反應效應者則采氟系或氯系氣體(如四氟化碳CF4),經激發(fā)出來的電漿,即帶有氟或氯之離子團,可快速與芯片表面材質反應。刪轎厚干刻蝕法可直接利用光阻作刻蝕之阻絕遮幕,不必另行成長阻絕遮幕之半導體材料。而其較重要的優(yōu)點,能兼顧邊緣側向侵蝕現象極微與高刻蝕率兩種優(yōu)點,換言之,本技術中所謂活性離子刻蝕已足敷頁堡局滲次微米線寬制程技術的要求,而正被大量使用。濕法刻蝕特點是:濕法刻蝕在半導體工藝中有著普遍應用:磨片、拋光、清洗、腐蝕。重慶MEMS材料刻蝕多少錢
當需要處理多層薄膜時,以及刻蝕中必須精確停在某個特定薄膜層而不對其造成損傷時。云南硅材料刻蝕外協(xié)
工藝所用化學物質取決于要刻蝕的薄膜類型。介電刻蝕應用中通常使用含氟的化學物質。硅和金屬刻蝕使用含氯成分的化學物質。在工藝中可能會對一個薄膜層或多個薄膜層執(zhí)行特定的刻蝕步驟。當需要處理多層薄膜時,以及刻蝕中必須精確停在某個特定薄膜層而不對其造成損傷時,刻蝕工藝的選擇比就變得非常重要。選擇比是兩個刻蝕速率的比率:被去除層的刻蝕速率與被保護層的刻蝕速率(例如刻蝕掩膜或終止層)。掩?;蛲V箤樱┩ǔ6枷M懈叩倪x擇比。云南硅材料刻蝕外協(xié)
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文章來源地址: http://www.cdcfah.com/cp/2450468.html
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