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產(chǎn)品關(guān)鍵詞:河南MEMS材料刻蝕加工工廠(chǎng),材料刻蝕
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刻蝕工藝:把未被抗蝕劑掩蔽的薄膜層除去,從而在薄膜上得到與抗蝕劑膜上完全相同圖形的工藝。在集成電路制造過(guò)程中,經(jīng)過(guò)掩模套準(zhǔn)、曝光和顯影,在抗蝕劑膜上復(fù)印出所需的圖形,或者用電子束直接描繪在抗蝕劑膜上產(chǎn)生圖形,然后把此圖形精確地轉(zhuǎn)移到抗蝕劑下面的介質(zhì)薄膜(如氧化硅、氮化硅,河南MEMS材料刻蝕加工工廠(chǎng)、多晶硅)或金屬薄膜(如鋁及其合金)上去,制造出所需的薄層圖案。刻蝕就是用化學(xué)的、物理的或同時(shí)使用化學(xué)和物理的方法,河南MEMS材料刻蝕加工工廠(chǎng),有選擇地把沒(méi)有被抗蝕劑掩蔽的那一部分薄膜層除去,從而在薄膜上得到和抗蝕劑膜上完全一致的圖形,河南MEMS材料刻蝕加工工廠(chǎng)。刻蝕技術(shù)主要分為干法刻蝕與濕法刻蝕。干法刻蝕主要利用反應(yīng)氣體與等離子體進(jìn)行刻蝕;濕法刻蝕主要利用化學(xué)試劑與被刻蝕材料發(fā)生化學(xué)反應(yīng)進(jìn)行刻蝕。在工藝中可能會(huì)對(duì)一個(gè)薄膜層或多個(gè)薄膜層執(zhí)行特定的刻蝕步驟。河南MEMS材料刻蝕加工工廠(chǎng)
選擇比指的是在同一刻蝕條件下一種材料與另一種材料相比刻蝕速率快多少,它定義為被刻蝕材料的刻蝕速率與另一種材料的刻蝕速率的比。基本內(nèi)容:高選擇比意味著只刻除想要刻去的那一層材料。一個(gè)高選擇比的刻蝕工藝不刻蝕下面一層材料(刻蝕到恰當(dāng)?shù)纳疃葧r(shí)停止)并且保護(hù)的光刻膠也未被刻蝕。圖形幾何尺寸的縮小要求減薄光刻膠厚度。高選擇比在較先進(jìn)的工藝中為了確保關(guān)鍵尺寸和剖面控制是必需的。特別是關(guān)鍵尺寸越小,選擇比要求越高。廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所。河南MEMS材料刻蝕加工工廠(chǎng)原位芯片目前掌握多種刻蝕工藝,并會(huì)根據(jù)客戶(hù)的需求,設(shè)計(jì)刻蝕效果好且性?xún)r(jià)比高的刻蝕解決方案。
光刻膠是另一個(gè)剝離的例子。總的來(lái)說(shuō),有圖形刻蝕和無(wú)圖形刻蝕工藝條件能夠采用干法刻蝕或濕法腐蝕技術(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn)。為了復(fù)制硅片表面材料上的掩膜圖形,刻蝕必須滿(mǎn)足一些特殊的要求。包括幾方面刻蝕參數(shù):刻蝕速率、刻蝕剖面、刻蝕偏差、選擇比、均勻性、殘留物、聚合物、等離子體誘導(dǎo)損傷、顆粒玷污和缺陷等??涛g是用化學(xué)或物理方法有選擇的從硅片表面去除不需要的材料的過(guò)程??涛g的基本目標(biāo)是在涂膠的硅片上正確的復(fù)制掩模圖形。有圖形的光刻膠層在刻蝕中不受腐蝕源明顯的侵蝕。
在半導(dǎo)體制造中有兩種基本的刻蝕工藝:干法刻蝕和濕法腐蝕。干法刻蝕是把硅片表面曝露于氣態(tài)中產(chǎn)生的等離子體,等離子體通過(guò)光刻膠中開(kāi)出的窗口,與硅片發(fā)生物理或化學(xué)反應(yīng)(或這兩種反應(yīng)),從而去掉曝露的表面材料。干法刻蝕是亞微米尺寸下刻蝕器件的較重要方法。而在濕法腐蝕中,液體化學(xué)試劑(如酸、堿和溶劑等)以化學(xué)方式去除硅片表面的材料。濕法腐蝕一般只是用在尺寸較大的情況下(大于3微米)。濕法腐蝕仍然用來(lái)腐蝕硅片上某些層或用來(lái)去除干法刻蝕后的殘留物。干法刻蝕優(yōu)點(diǎn)是:各向異性好,選擇比高,可控性、靈活性、重復(fù)性好。
刻蝕也可以分成有圖形刻蝕和無(wú)圖形刻蝕。有圖形刻蝕采用掩蔽層(有圖形的光刻膠)來(lái)定義要刻蝕掉的表面材料區(qū)域,只有硅片上被選擇的這一部分在刻蝕過(guò)程中刻掉。有圖形刻蝕可用來(lái)在硅片上制作多種不同的特征圖形,包括柵、金屬互連線(xiàn)、通孔、接觸孔和溝槽。無(wú)圖形刻蝕、反刻或剝離是在整個(gè)硅片沒(méi)有掩模的情況下進(jìn)行的,這種刻蝕工藝用于剝離掩模層。反刻是在想要把某一層膜的總的厚度減小時(shí)采用的(如當(dāng)平坦化硅片表面時(shí)需要減小形貌特征)。廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所。二氧化硅的刻蝕,可以采用濕法腐蝕的方法來(lái)腐蝕,也可以采用ICP干法來(lái)刻蝕。山東氮化鎵材料刻蝕公司
有圖形刻蝕可用來(lái)在硅片上制作多種不同的特征圖形,包括柵、金屬互連線(xiàn)、通孔、接觸孔和溝槽。河南MEMS材料刻蝕加工工廠(chǎng)
經(jīng)過(guò)前面的一系列工藝已將光刻掩膜版的圖形轉(zhuǎn)移到光刻膠上。為了制作元器件,需將光刻膠上的圖形進(jìn)一步轉(zhuǎn)移到光刻膠下層的材料上。這個(gè)任務(wù)就由刻蝕來(lái)完成??涛g就是將涂膠前所淀積的薄膜中沒(méi)有被光刻膠(經(jīng)過(guò)曝光和顯影后)覆蓋和保護(hù)的那部分去除掉,達(dá)到將光刻膠上的圖形轉(zhuǎn)移到其下層材料上的目的。光刻膠的下層薄膜可能是二氧化硅、氮化硅、多晶硅或者金屬材料。材料不同或圖形不同,刻蝕的要求不同。實(shí)際上,光刻和刻蝕是兩個(gè)不同的加工工藝,但因?yàn)檫@兩個(gè)工藝只有連續(xù)進(jìn)行,才能完成真正意義上的圖形轉(zhuǎn)移,而且在工藝線(xiàn)上,這兩個(gè)工藝經(jīng)常是放在同一工序中,因此有時(shí)也將這兩個(gè)步驟統(tǒng)稱(chēng)為光刻。河南MEMS材料刻蝕加工工廠(chǎng)
廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所一直專(zhuān)注于面向半導(dǎo)體光電子器件、功率電子器件、MEMS、生物芯片等前沿領(lǐng)域,致力于打造***的公益性、開(kāi)放性、支撐性樞紐中心。平臺(tái)擁有半導(dǎo)體制備工藝所需的整套儀器設(shè)備,建立了一條實(shí)驗(yàn)室研發(fā)線(xiàn)和一條中試線(xiàn),加工尺寸覆蓋2-6英寸(部分8英寸),同時(shí)形成了一支與硬件有機(jī)結(jié)合的專(zhuān)業(yè)人才隊(duì)伍。平臺(tái)當(dāng)前緊抓技術(shù)創(chuàng)新和公共服務(wù),面向國(guó)內(nèi)外高校、科研院所以及企業(yè)提供開(kāi)放共享,為技術(shù)咨詢(xún)、創(chuàng)新研發(fā)、技術(shù)驗(yàn)證以及產(chǎn)品中試提供支持。,是一家電子元器件的企業(yè),擁有自己**的技術(shù)體系。目前我公司在職員工以90后為主,是一個(gè)有活力有能力有創(chuàng)新精神的團(tuán)隊(duì)。廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所主營(yíng)業(yè)務(wù)涵蓋微納加工技術(shù)服務(wù),真空鍍膜技術(shù)服務(wù),紫外光刻技術(shù)服務(wù),材料刻蝕技術(shù)服務(wù),堅(jiān)持“質(zhì)量保證、良好服務(wù)、顧客滿(mǎn)意”的質(zhì)量方針,贏(yíng)得廣大客戶(hù)的支持和信賴(lài)。公司憑著雄厚的技術(shù)力量、飽滿(mǎn)的工作態(tài)度、扎實(shí)的工作作風(fēng)、良好的職業(yè)道德,樹(shù)立了良好的微納加工技術(shù)服務(wù),真空鍍膜技術(shù)服務(wù),紫外光刻技術(shù)服務(wù),材料刻蝕技術(shù)服務(wù)形象,贏(yíng)得了社會(huì)各界的信任和認(rèn)可。
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