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產(chǎn)品關(guān)鍵詞:黑龍江激光器光刻,光刻
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產(chǎn)品關(guān)鍵詞:黑龍江激光器光刻,光刻
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詳細說明
光刻噴嘴噴霧模式和硅片旋轉(zhuǎn)速度是實現(xiàn)硅片間溶解率和均勻性的可重復性的關(guān)鍵調(diào)節(jié)參數(shù)。水坑(旋覆浸沒)式顯影(PuddleDevelopment)。噴覆足夠(不能太多,較小化背面濕度)的顯影液到硅片表面,并形成水坑形狀(顯影液的流動保持較低,以減少邊緣顯影速率的變化)。硅片固定或慢慢旋轉(zhuǎn),黑龍江激光器光刻。一般采用多次旋覆顯影液:首先次涂覆、保持10~30秒、去除;第二次涂覆、保持,黑龍江激光器光刻、去除。然后用去離子水沖洗(去除硅片兩面的所有化學品)并旋轉(zhuǎn)甩干。優(yōu)點:顯影液用量少;硅片顯影均勻;較小化了溫度梯度。一般的光刻工藝要經(jīng)歷硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻膠、軟烘、對準曝光、后烘,黑龍江激光器光刻、顯影、硬烘等工序。黑龍江激光器光刻
掩膜板與光刻膠層的略微分開,大約為10~50μm??梢员苊馀c光刻膠直接接觸而引起的掩膜板損傷。但是同時引入了衍射效應,降低了分辨率。1970后適用,但是其較大分辨率*為2~4μm。c、投影式曝光(ProjectionPrinting)。在掩膜板與光刻膠之間使用透鏡聚集光實現(xiàn)曝光。一般掩膜板的尺寸會以需要轉(zhuǎn)移圖形的4倍制作。優(yōu)點:提高了分辨率;掩膜板的制作更加容易;掩膜板上的缺陷影響減小。投影式曝光分類:掃描投影曝光(ScanningProjectPrinting)。70年代末~80年代初,〉1μm工藝;掩膜板1:1,全尺寸;步進重復投影曝光(Stepping-repeatingProjectPrinting或稱作Stepper)。功率器件光刻加工平臺影響光刻膠均勻性的參數(shù):旋轉(zhuǎn)加速度,加速越快越均勻。
一般微電子化學品具有一定的腐蝕性,對生產(chǎn)設(shè)備有較高的要求,且生產(chǎn)環(huán)境需要進行無塵或微塵處理。制備較優(yōu)微電子化學品還需要全封閉、自動化的工藝流程,以避免污染,提高質(zhì)量。因此,光刻膠等微電子化學品生產(chǎn)在安全生產(chǎn)、環(huán)保設(shè)備、生產(chǎn)工藝系統(tǒng)、過程控制體系以及研發(fā)投資等方面要求較高。如果沒有強大的資金實力,企業(yè)就難以在設(shè)備、研發(fā)和技術(shù)服務(wù)上取得競爭優(yōu)勢,以提升可持續(xù)發(fā)展能力。因此,光刻膠這樣的微電子化學品行業(yè)具備較高的資金壁壘。廣東省科學院半導體研究所。
在光刻過程中可能會出現(xiàn)光刻膠未涂滿襯底的異常,主要原因可能以下幾個:滴膠量不、膠液偏離襯底中心、滴膠是有氣泡、滴膠是有“倒角”,主要的叫絕方法有:增加滴膠量、調(diào)整勻膠機水平位置、調(diào)整滴膠位置、在“倒角”處滴膠、消除“倒角”。光刻涂膠四周呈現(xiàn)放射性條紋,主要可能的原因是光刻膠有顆粒、襯底未清洗干凈,表面有顆粒、滴膠后精致時間過長,部分光刻膠固話,解決的方法主要有更換光刻膠,使用新的光刻膠涂膠來測試一下、將襯底再清洗一次再涂膠、滴膠后馬上旋涂,以免光刻膠有所固化。光刻版材質(zhì)主要是兩種,一個是石英材質(zhì)一個是蘇打材質(zhì),石英材料的透光率會比蘇打的透光率要高。光刻版就是在蘇打材料通過光刻、刻蝕等工藝在表面使用鉻金屬做出我們所需要的圖形。負膠光刻的基本流程:襯底清洗、前烘以及預處理、涂膠、軟烘、曝光、后烘、顯影、圖形檢查。
接觸式光刻曝光時掩模壓在光刻膠的襯底晶片上,其主要優(yōu)點是可以使用價格較低的設(shè)備制造出較小的特征尺寸。接觸式光刻和深亞微米光源已經(jīng)達到了小于0.1μm的特征尺寸,常用的光源分辨率為0.5μm左右。接觸式光刻機的掩模版包括了要復制到襯底上的所有芯片陣列圖形。在襯底上涂上光刻膠,并被安裝到一個由手動控制的臺子上,臺子可以進行X、y方向及旋轉(zhuǎn)的定位控制。掩模版和襯底晶片需要通過分立視場的顯微鏡同時觀察,這樣操作者用手動控制定位臺子就能把掩模版圖形和襯底晶片上的圖形對準了。經(jīng)過紫外光曝光,光線通過掩模版透明的部分,圖形就轉(zhuǎn)移到了光刻膠上。正性光刻膠主要應用于腐蝕和刻蝕工藝,而負膠工藝主要應用于剝離工藝。黑龍江激光器光刻
光刻膠的國產(chǎn)化公關(guān)正在各方面展開,在面板屏顯光刻膠領(lǐng)域,中國已經(jīng)出現(xiàn)了一批有競爭力的本土企業(yè)。黑龍江激光器光刻
光刻膠國產(chǎn)代替是中國半導體產(chǎn)業(yè)的迫切需要;自從中美貿(mào)易摩擦依賴,中國大陸積極布局集成電路產(chǎn)業(yè)。在半導體材料領(lǐng)域,光刻膠作為是集成電路制程技術(shù)進步的“燃料”,是國產(chǎn)代替重要環(huán)節(jié),也是必將國產(chǎn)化的產(chǎn)品。光刻是半導制程的中心工藝,對制造出更先進,晶體管密度更大的集成電路起到?jīng)Q定性作用。每一代新的光刻工藝都需要新一代的光刻膠技術(shù)相匹配?,F(xiàn)在,一塊半導體芯片在制造過程中一般需要進行10-50道光刻過程。其中不同的光刻過程對于光刻膠也有不一樣的具體需求。廣東省科學院半導體研究所。黑龍江激光器光刻
廣東省科學院半導體研究所發(fā)展規(guī)模團隊不斷壯大,現(xiàn)有一支專業(yè)技術(shù)團隊,各種專業(yè)設(shè)備齊全。致力于創(chuàng)造***的產(chǎn)品與服務(wù),以誠信、敬業(yè)、進取為宗旨,以建芯辰實驗室,微納加工產(chǎn)品為目標,努力打造成為同行業(yè)中具有影響力的企業(yè)。公司堅持以客戶為中心、面向半導體光電子器件、功率電子器件、MEMS、生物芯片等前沿領(lǐng)域,致力于打造***的公益性、開放性、支撐性樞紐中心。平臺擁有半導體制備工藝所需的整套儀器設(shè)備,建立了一條實驗室研發(fā)線和一條中試線,加工尺寸覆蓋2-6英寸(部分8英寸),同時形成了一支與硬件有機結(jié)合的專業(yè)人才隊伍。平臺當前緊抓技術(shù)創(chuàng)新和公共服務(wù),面向國內(nèi)外高校、科研院所以及企業(yè)提供開放共享,為技術(shù)咨詢、創(chuàng)新研發(fā)、技術(shù)驗證以及產(chǎn)品中試提供支持。市場為導向,重信譽,保質(zhì)量,想客戶之所想,急用戶之所急,全力以赴滿足客戶的一切需要。廣東省科學院半導體研究所主營業(yè)務(wù)涵蓋微納加工技術(shù)服務(wù),真空鍍膜技術(shù)服務(wù),紫外光刻技術(shù)服務(wù),材料刻蝕技術(shù)服務(wù),堅持“質(zhì)量保證、良好服務(wù)、顧客滿意”的質(zhì)量方針,贏得廣大客戶的支持和信賴。
文章來源地址: http://www.cdcfah.com/cp/2456228.html
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