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產(chǎn)品關(guān)鍵詞:江蘇MEMS材料刻蝕平臺(tái),材料刻蝕
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在Si片上形成具有垂直側(cè)壁的高深寬比溝槽結(jié)構(gòu)是制備先進(jìn)MEMS器件的關(guān)鍵工藝,其各向異性刻蝕要求非常嚴(yán)格。高深寬比的干法刻蝕技術(shù)以其刻蝕速率快、各向異性較強(qiáng)、污染少等優(yōu)點(diǎn)脫穎而出,江蘇MEMS材料刻蝕平臺(tái),江蘇MEMS材料刻蝕平臺(tái),成為MEMS器件加工的關(guān)鍵技術(shù)之一。BOSCH工藝,又名TMDE(Time Multiplexed Deep Etching)工藝,是一個(gè)刻蝕—鈍化—刻蝕的循環(huán)過程,以達(dá)到對(duì)硅材料進(jìn)行高深寬比、各向異性刻蝕的目的。 BOSCH工藝的原理是在反應(yīng)腔室中輪流通入鈍化氣體C4F8與刻蝕氣體SF6與樣品進(jìn)行反應(yīng),工藝的整個(gè)過程是淀積鈍化層步驟與刻蝕步驟的反復(fù)交替。其中保護(hù)氣體C4F8在高密度等離子體的作用下分解生成碳氟聚合物保護(hù)層,沉積在已經(jīng)做好圖形的樣品表面,江蘇MEMS材料刻蝕平臺(tái)。干法刻蝕也可以根據(jù)被刻蝕的材料類型來分類,如刻蝕氮化鎵、氧化硅、氮化硅、鋁鎵氮等材料。江蘇MEMS材料刻蝕平臺(tái)
二氧化硅濕法刻蝕:較普通的刻蝕層是熱氧化形成的二氧化硅?;镜目涛g劑是氫氟酸,它有刻蝕二氧化硅而不傷及硅的優(yōu)點(diǎn)。然而,飽和濃度的氫氟酸在室溫下的刻蝕速率約為300A/s。這個(gè)速率對(duì)于一個(gè)要求控制的工藝來說太快了。在實(shí)際中,氫氟酸與水或氟化銨及水混合。以氟化銨來緩沖加速刻蝕速率的氫離子的產(chǎn)生。這種刻蝕溶液稱為緩沖氧化物刻蝕或BOE。針對(duì)特定的氧化層厚度,他們以不同的濃度混合來達(dá)到合理的刻蝕時(shí)間。一些BOE公式包括一個(gè)濕化劑用以減小刻蝕表面的張力,以使其均勻地進(jìn)入更小的開孔區(qū)。山西MEMS材料刻蝕加工介電刻蝕應(yīng)用中通常使用含氟的化學(xué)物質(zhì)。
干法刻蝕是芯片制造領(lǐng)域較主要的表面材料去除方法,擁有更好的剖面控制。干刻蝕法按作用機(jī)理分為:物理刻蝕、化學(xué)刻蝕和物理化學(xué)綜合作用刻蝕。物理和化學(xué)綜合作用機(jī)理中,離子轟擊的物理過程可以通過濺射去除表面材料,具有比較強(qiáng)的方向性。離子轟擊可以改善化學(xué)刻蝕作用,使反應(yīng)元素與硅表面物質(zhì)反應(yīng)效率更高。綜合型干刻蝕法綜合離子濺射與表面反應(yīng)的優(yōu)點(diǎn),使刻蝕具有較好的選擇比和線寬控制。在集成電路制造過程中需要多種類型的干法刻蝕工藝,應(yīng)用涉及硅片上各種材料。被刻蝕材料主要包括介質(zhì)、硅和金屬等,通過與光刻、沉積等工藝多次配合可以形成完整的底層電路、柵極、絕緣層以及金屬通路等。
干法刻蝕也可以根據(jù)被刻蝕的材料類型來分類。按材料來分,刻蝕主要分成三種:金屬刻蝕、介質(zhì)刻蝕、和硅刻蝕。介質(zhì)刻蝕是用于介質(zhì)材料的刻蝕,如二氧化硅。接觸孔和通孔結(jié)構(gòu)的制作需要刻蝕介質(zhì),從而在ILD中刻蝕出窗口,而具有高深寬比(窗口的深與寬的比值)的窗口刻蝕具有一定的挑戰(zhàn)性。硅刻蝕(包括多晶硅)應(yīng)用于需要去除硅的場(chǎng)合,如刻蝕多晶硅晶體管柵和硅槽電容。金屬刻蝕主要是在金屬層上去掉鋁合金復(fù)合層,制作出互連線。廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所。在半導(dǎo)體制造中有兩種基本的刻蝕工藝:干法刻蝕和濕法腐蝕。
不過,芯片用單晶硅材料對(duì)材料內(nèi)部微缺陷率水平的要求較高,對(duì)加工環(huán)節(jié)的硅片表面顆粒和雜質(zhì)含量、表面平整度、應(yīng)力和機(jī)械強(qiáng)度等參數(shù)指標(biāo)有更為嚴(yán)格的要求。這些特性導(dǎo)致芯片用單晶硅材料的研發(fā)和生產(chǎn),需要合理設(shè)計(jì)加工環(huán)節(jié)的工藝流程,同時(shí)也需要更先進(jìn)的加工設(shè)備。通過刻蝕用單晶硅材料在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中“見縫插針”的,已經(jīng)擁有了穩(wěn)定的基本盤。向芯片用單晶硅材料賽道進(jìn)發(fā),既是對(duì)創(chuàng)業(yè)初心的回歸,更是應(yīng)對(duì)下游需求變化的戰(zhàn)略調(diào)整,有望再一次驅(qū)動(dòng)的強(qiáng)勁增長(zhǎng)。材料是工業(yè)之母,隨著更多關(guān)鍵材料和設(shè)備的突破,中國(guó)終將在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中揚(yáng)眉吐氣。干法刻蝕優(yōu)點(diǎn)是:細(xì)線條操作安全,易實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化,無化學(xué)廢液,處理過程未引入污染,潔凈度高。江蘇MEMS材料刻蝕平臺(tái)
濕法刻蝕是一個(gè)純粹的化學(xué)反應(yīng)過程。江蘇MEMS材料刻蝕平臺(tái)
早期的刻蝕技術(shù)為濕法刻蝕,就是將刻蝕材料浸泡在腐蝕液中進(jìn)行腐蝕的技術(shù)。這個(gè)過程是純化學(xué)腐蝕的過程。濕法刻蝕具有良好的選擇性,例如實(shí)驗(yàn)室經(jīng)常采用磷酸來腐蝕鋁金屬化,而不會(huì)腐蝕金屬化層間的介質(zhì)層材料;半導(dǎo)體制造過程中用調(diào)配后的氫氟酸(加入NH4F緩沖液)來腐蝕二氧化硅,而不會(huì)對(duì)光刻膠造成過量的傷害。隨著半導(dǎo)體特征尺寸的不斷減小,濕法刻蝕逐漸**法刻蝕所替代。其原因在于濕法刻蝕是各向同性的,橫向刻蝕的寬度接近于縱向刻蝕的深度,因此會(huì)產(chǎn)生鉆蝕的現(xiàn)象,因此在小尺寸的制程中,濕法刻蝕的精度控制非常困難,并且可重復(fù)性差。江蘇MEMS材料刻蝕平臺(tái)
廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所主要經(jīng)營(yíng)范圍是電子元器件,擁有一支專業(yè)技術(shù)團(tuán)隊(duì)和良好的市場(chǎng)口碑。公司業(yè)務(wù)分為微納加工技術(shù)服務(wù),真空鍍膜技術(shù)服務(wù),紫外光刻技術(shù)服務(wù),材料刻蝕技術(shù)服務(wù)等,目前不斷進(jìn)行創(chuàng)新和服務(wù)改進(jìn),為客戶提供良好的產(chǎn)品和服務(wù)。公司注重以質(zhì)量為中心,以服務(wù)為理念,秉持誠(chéng)信為本的理念,打造電子元器件良好品牌。廣東省半導(dǎo)體所秉承“客戶為尊、服務(wù)為榮、創(chuàng)意為先、技術(shù)為實(shí)”的經(jīng)營(yíng)理念,全力打造公司的重點(diǎn)競(jìng)爭(zhēng)力。
文章來源地址: http://www.cdcfah.com/cp/2462033.html
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