濕刻蝕：較普遍、也是設(shè)備成本較低的刻蝕方法。其影響被刻蝕物之刻蝕速率(etchingrate)的因素有三：刻蝕液濃度、刻蝕液溫度、及攪拌(stirring)之有無(wú)。定性而言，增加刻蝕溫度與加入攪拌，均能有效提高刻蝕速率；但濃度之影響則較不明確。舉例來(lái)說(shuō)，以49%的HF刻蝕SiO2，珠海MEMS材料刻蝕加工平臺(tái)，當(dāng)然比BOE(Buffered-Oxide-Etch；HF：NH4F=1：6)快的多；但40%的KOH刻蝕付淋兇和Si的速率卻比20%KOH慢！濕刻蝕的配方選用是一項(xiàng)化學(xué)的專(zhuān)業(yè)，對(duì)于一般不是這方面的研究人員，必須向該化學(xué)專(zhuān)業(yè)的同儕請(qǐng)教，珠海MEMS材料刻蝕加工平臺(tái)。一個(gè)選用濕刻蝕配方的重要觀(guān)念是（選擇性）(selectivity)，意指進(jìn)行刻蝕時(shí)，對(duì)被蝕物去除速度與連帶對(duì)其他材質(zhì)(如刻蝕掩膜；etchingmask，或承載被加工薄膜之基板；substrate)的腐蝕速度之比值。一個(gè)具有高選擇性的刻蝕系統(tǒng)，應(yīng)該只對(duì)被加工薄膜有腐蝕作用，而不傷及一旁之刻蝕掩膜或其下的基板材料介質(zhì)刻蝕是用于介質(zhì)材料的刻蝕，珠海MEMS材料刻蝕加工平臺(tái)，如二氧化硅，氮化硅。珠海MEMS材料刻蝕加工平臺(tái)

對(duì)于被刻蝕材料和掩蔽層材料（例如光刻膠）的選擇比SR可通過(guò)下式計(jì)算：SR=Ef/Er；其中，Ef為被刻蝕材料的刻蝕速率，Er為掩蔽層材料的刻蝕速率（如光刻膠）；根據(jù)這個(gè)公式，選擇比通常表示為一個(gè)比值，一個(gè)選擇比差的工藝這一比值可能是1:1，意味著被刻蝕的材料與光刻膠掩蔽層被去除地一樣快，而一個(gè)選擇比高的工藝這一比值可能是100:1，說(shuō)明被刻蝕材料的刻蝕速率為不要被刻蝕材料的（如光刻膠）刻蝕速率的100倍。廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所。吉林MEMS材料刻蝕在硅材料刻蝕當(dāng)中，硅針的刻蝕需要用到各向同性刻蝕，硅柱的刻蝕需要用到各項(xiàng)異性刻蝕。

工藝所用化學(xué)物質(zhì)取決于要刻蝕的薄膜類(lèi)型。介電刻蝕應(yīng)用中通常使用含氟的化學(xué)物質(zhì)。硅和金屬刻蝕使用含氯成分的化學(xué)物質(zhì)。在工藝中可能會(huì)對(duì)一個(gè)薄膜層或多個(gè)薄膜層執(zhí)行特定的刻蝕步驟。當(dāng)需要處理多層薄膜時(shí)，以及刻蝕中必須精確停在某個(gè)特定薄膜層而不對(duì)其造成損傷時(shí)，刻蝕工藝的選擇比就變得非常重要。選擇比是兩個(gè)刻蝕速率的比率：被去除層的刻蝕速率與被保護(hù)層的刻蝕速率（例如刻蝕掩膜或終止層）。掩模或停止層）通常都希望有更高的選擇比。

刻蝕較簡(jiǎn)單較常用分類(lèi)是：干法刻蝕和濕法刻蝕。顯而易見(jiàn)，它們的區(qū)別就在于濕法使用溶劑或溶液來(lái)進(jìn)行刻蝕。濕法刻蝕是一個(gè)純粹的化學(xué)反應(yīng)過(guò)程，是指利用溶液與預(yù)刻蝕材料之間的化學(xué)反應(yīng)來(lái)去除未被掩蔽膜材料掩蔽的部分而達(dá)到刻蝕目的。其特點(diǎn)是：濕法刻蝕在半導(dǎo)體工藝中有著普遍應(yīng)用：磨片、拋光、清洗、腐蝕。優(yōu)點(diǎn)是選擇性好、重復(fù)性好、生產(chǎn)效率高、設(shè)備簡(jiǎn)單、成本低。干法刻蝕種類(lèi)比較多，包括光揮發(fā)、氣相腐蝕、等離子體腐蝕等。按照被刻蝕的材料類(lèi)型來(lái)劃分，干法刻蝕主要分成三種：金屬刻蝕、介質(zhì)刻蝕和硅刻蝕。濕法刻蝕是一個(gè)純粹的化學(xué)反應(yīng)過(guò)程。

雙等離子體源刻蝕機(jī)加裝有兩個(gè)射頻（RF）功率源，能夠更精確地控制離子密度與離子能量。位于上部的射頻功率源通過(guò)電感線(xiàn)圈將能量傳遞給等離子體從而增加離子密度，但是離子濃度增加的同時(shí)離子能量也隨之增加。下部加裝的偏置射頻電源通過(guò)電容結(jié)構(gòu)能夠降低轟擊在硅表面離子的能量而不影響離子濃度，從而能夠更好地控制刻蝕速率與選擇比。原子層刻蝕（ALE）為下一代刻蝕工藝技術(shù)，能夠精確去除材料而不影響其他部分。隨著結(jié)構(gòu)尺寸的不斷縮小，反應(yīng)離子刻蝕面臨刻蝕速率差異與下層材料損傷等問(wèn)題。原子層刻蝕（ALE）能夠精密控制被去除材料量而不影響其他部分，可以用于定向刻蝕或生成光滑表面，是刻蝕技術(shù)研究的熱點(diǎn)之一。目前原子層刻蝕在芯片制造領(lǐng)域并沒(méi)有取代傳統(tǒng)的等離子刻蝕工藝，而是被用于原子級(jí)目標(biāo)材料精密去除過(guò)程。按照被刻蝕的材料類(lèi)型來(lái)劃分，干法刻蝕主要分成三種：金屬刻蝕、介質(zhì)刻蝕和硅刻蝕。江蘇GaN材料刻蝕服務(wù)價(jià)格

介電刻蝕應(yīng)用中通常使用含氟的化學(xué)物質(zhì)。珠海MEMS材料刻蝕加工平臺(tái)

在半導(dǎo)體制造中有兩種基本的刻蝕工藝：干法刻蝕和濕法腐蝕。干法刻蝕是把硅片表面曝露于氣態(tài)中產(chǎn)生的等離子體，等離子體通過(guò)光刻膠中開(kāi)出的窗口，與硅片發(fā)生物理或化學(xué)反應(yīng)（或這兩種反應(yīng)），從而去掉曝露的表面材料。干法刻蝕是亞微米尺寸下刻蝕器件的較重要方法。而在濕法腐蝕中，液體化學(xué)試劑（如酸、堿和溶劑等）以化學(xué)方式去除硅片表面的材料。濕法腐蝕一般只是用在尺寸較大的情況下（大于3微米）。濕法腐蝕仍然用來(lái)腐蝕硅片上某些層或用來(lái)去除干法刻蝕后的殘留物。珠海MEMS材料刻蝕加工平臺(tái)

廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所致力于電子元器件，以科技創(chuàng)新實(shí)現(xiàn)***管理的追求。廣東省半導(dǎo)體所擁有一支經(jīng)驗(yàn)豐富、技術(shù)創(chuàng)新的專(zhuān)業(yè)研發(fā)團(tuán)隊(duì)，以高度的專(zhuān)注和執(zhí)著為客戶(hù)提供微納加工技術(shù)服務(wù)，真空鍍膜技術(shù)服務(wù)，紫外光刻技術(shù)服務(wù)，材料刻蝕技術(shù)服務(wù)。廣東省半導(dǎo)體所致力于把技術(shù)上的創(chuàng)新展現(xiàn)成對(duì)用戶(hù)產(chǎn)品上的貼心，為用戶(hù)帶來(lái)良好體驗(yàn)。廣東省半導(dǎo)體所始終關(guān)注自身，在風(fēng)云變化的時(shí)代，對(duì)自身的建設(shè)毫不懈怠，高度的專(zhuān)注與執(zhí)著使廣東省半導(dǎo)體所在行業(yè)的從容而自信。

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