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產(chǎn)品關(guān)鍵詞:湖南Si材料刻蝕工藝,材料刻蝕
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詳細(xì)說(shuō)明
經(jīng)過(guò)前面的一系列工藝已將光刻掩膜版的圖形轉(zhuǎn)移到光刻膠上。為了制作元器件,需將光刻膠上的圖形進(jìn)一步轉(zhuǎn)移到光刻膠下層的材料上,湖南Si材料刻蝕工藝,湖南Si材料刻蝕工藝。這個(gè)任務(wù)就由刻蝕來(lái)完成。刻蝕就是將涂膠前所淀積的薄膜中沒(méi)有被光刻膠(經(jīng)過(guò)曝光和顯影后)覆蓋和保護(hù)的那部分去除掉,達(dá)到將光刻膠上的圖形轉(zhuǎn)移到其下層材料上的目的。光刻膠的下層薄膜可能是二氧化硅、氮化硅、多晶硅或者金屬材料。材料不同或圖形不同,刻蝕的要求不同。實(shí)際上,光刻和刻蝕是兩個(gè)不同的加工工藝,但因?yàn)檫@兩個(gè)工藝只有連續(xù)進(jìn)行,才能完成真正意義上的圖形轉(zhuǎn)移,湖南Si材料刻蝕工藝,而且在工藝線(xiàn)上,這兩個(gè)工藝經(jīng)常是放在同一工序中,因此有時(shí)也將這兩個(gè)步驟統(tǒng)稱(chēng)為光刻。等離子會(huì)釋放帶正電的離子來(lái)撞擊晶圓以去除(刻蝕)材料,并和活性自由基產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)。湖南Si材料刻蝕工藝
刻蝕工藝主要分為兩種:干法刻蝕和濕法刻蝕。干法刻蝕是通過(guò)等離子氣與硅片發(fā)生物理或化學(xué)反應(yīng)(或結(jié)合物理、化學(xué)兩種反應(yīng))的方式將表面材料去除,主要用于亞微米尺寸下刻蝕,由于具有良好的各向異性和工藝可控性已被普遍應(yīng)用于芯片制造領(lǐng)域;濕法刻蝕通過(guò)化學(xué)試劑去除硅片表面材料,一般用于尺寸較大情況,目前仍用于干法刻蝕后殘留物的去除。金屬刻蝕主要應(yīng)用于金屬互連線(xiàn)、通孔、接觸金屬等環(huán)節(jié)。金屬互連線(xiàn)通常采用鋁合金,對(duì)鋁的刻蝕采用氯基氣體和部分聚合物。鎢在多層金屬結(jié)構(gòu)中常用作通孔的填充物,通常采用氟基或氯基氣體。湖南Si材料刻蝕工藝刻蝕也可以分成有圖形刻蝕和無(wú)圖形刻蝕。
對(duì)于被刻蝕材料和掩蔽層材料(例如光刻膠)的選擇比SR可通過(guò)下式計(jì)算:SR=Ef/Er;其中,Ef為被刻蝕材料的刻蝕速率,Er為掩蔽層材料的刻蝕速率(如光刻膠);根據(jù)這個(gè)公式,選擇比通常表示為一個(gè)比值,一個(gè)選擇比差的工藝這一比值可能是1:1,意味著被刻蝕的材料與光刻膠掩蔽層被去除地一樣快,而一個(gè)選擇比高的工藝這一比值可能是100:1,說(shuō)明被刻蝕材料的刻蝕速率為不要被刻蝕材料的(如光刻膠)刻蝕速率的100倍。廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所。
雙等離子體源刻蝕機(jī)加裝有兩個(gè)射頻(RF)功率源,能夠更精確地控制離子密度與離子能量。位于上部的射頻功率源通過(guò)電感線(xiàn)圈將能量傳遞給等離子體從而增加離子密度,但是離子濃度增加的同時(shí)離子能量也隨之增加。下部加裝的偏置射頻電源通過(guò)電容結(jié)構(gòu)能夠降低轟擊在硅表面離子的能量而不影響離子濃度,從而能夠更好地控制刻蝕速率與選擇比。原子層刻蝕(ALE)為下一代刻蝕工藝技術(shù),能夠精確去除材料而不影響其他部分。隨著結(jié)構(gòu)尺寸的不斷縮小,反應(yīng)離子刻蝕面臨刻蝕速率差異與下層材料損傷等問(wèn)題。原子層刻蝕(ALE)能夠精密控制被去除材料量而不影響其他部分,可以用于定向刻蝕或生成光滑表面,是刻蝕技術(shù)研究的熱點(diǎn)之一。目前原子層刻蝕在芯片制造領(lǐng)域并沒(méi)有取代傳統(tǒng)的等離子刻蝕工藝,而是被用于原子級(jí)目標(biāo)材料精密去除過(guò)程??涛g是按照掩模圖形或設(shè)計(jì)要求對(duì)半導(dǎo)體襯底表面或表面覆蓋薄膜進(jìn)行選擇性刻蝕的技術(shù)。
在GaN發(fā)光二極管器件制作過(guò)程中,刻蝕是一項(xiàng)很重要的工藝。ICP干法刻蝕常用在n型電極制作中,因?yàn)樵谒{(lán)寶石襯底上生長(zhǎng)LED,n型電極和P型電極位于同一側(cè),需要刻蝕露出n型層。ICP是近幾年來(lái)很常用的一種離子體刻蝕技術(shù),它在GaN的刻蝕中應(yīng)用很普遍。ICP刻蝕具有等離子體密度和等離子體的轟擊能量單獨(dú)可控,低壓強(qiáng)獲得高密度等離子體,在保持高刻蝕速率的同事能夠產(chǎn)生高的選擇比和低損傷的刻蝕表面等優(yōu)勢(shì)。ICP(感應(yīng)耦合等離子)刻蝕GaN是物料濺射和化學(xué)反應(yīng)相結(jié)合的復(fù)雜過(guò)程??涛gGaN主要使用到氯氣和三氯化硼,刻蝕過(guò)程中材料表面表面的Ga-N鍵在離子轟擊下破裂,此為物理濺射,產(chǎn)生活性的Ga和N原子,氮原子相互結(jié)合容易析出氮?dú)猓珿a原子和Cl離子生成容易揮發(fā)的GaCl2或者GaCl3。刻蝕是用化學(xué)或物理方法有選擇的從硅片表面去除不需要的材料的過(guò)程。四川MEMS材料刻蝕廠(chǎng)家
同樣的刻蝕條件,針對(duì)不同的刻蝕暴露面積,刻蝕的速率會(huì)有所不一樣。湖南Si材料刻蝕工藝
刻蝕也可以分成有圖形刻蝕和無(wú)圖形刻蝕。有圖形刻蝕采用掩蔽層(有圖形的光刻膠)來(lái)定義要刻蝕掉的表面材料區(qū)域,只有硅片上被選擇的這一部分在刻蝕過(guò)程中刻掉。有圖形刻蝕可用來(lái)在硅片上制作多種不同的特征圖形,包括柵、金屬互連線(xiàn)、通孔、接觸孔和溝槽。無(wú)圖形刻蝕、反刻或剝離是在整個(gè)硅片沒(méi)有掩模的情況下進(jìn)行的,這種刻蝕工藝用于剝離掩模層(如STI氮化硅剝離和用于制備晶體管注入側(cè)墻的硅化物工藝后鈦的剝離)。反刻是在想要把某一層膜的總的厚度減小時(shí)采用的(如當(dāng)平坦化硅片表面時(shí)需要減小形貌特征)。湖南Si材料刻蝕工藝
廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所位于長(zhǎng)興路363號(hào),擁有一支專(zhuān)業(yè)的技術(shù)團(tuán)隊(duì)。致力于創(chuàng)造***的產(chǎn)品與服務(wù),以誠(chéng)信、敬業(yè)、進(jìn)取為宗旨,以建芯辰實(shí)驗(yàn)室,微納加工產(chǎn)品為目標(biāo),努力打造成為同行業(yè)中具有影響力的企業(yè)。公司不**提供專(zhuān)業(yè)的面向半導(dǎo)體光電子器件、功率電子器件、MEMS、生物芯片等前沿領(lǐng)域,致力于打造***的公益性、開(kāi)放性、支撐性樞紐中心。平臺(tái)擁有半導(dǎo)體制備工藝所需的整套儀器設(shè)備,建立了一條實(shí)驗(yàn)室研發(fā)線(xiàn)和一條中試線(xiàn),加工尺寸覆蓋2-6英寸(部分8英寸),同時(shí)形成了一支與硬件有機(jī)結(jié)合的專(zhuān)業(yè)人才隊(duì)伍。平臺(tái)當(dāng)前緊抓技術(shù)創(chuàng)新和公共服務(wù),面向國(guó)內(nèi)外高校、科研院所以及企業(yè)提供開(kāi)放共享,為技術(shù)咨詢(xún)、創(chuàng)新研發(fā)、技術(shù)驗(yàn)證以及產(chǎn)品中試提供支持。,同時(shí)還建立了完善的售后服務(wù)體系,為客戶(hù)提供良好的產(chǎn)品和服務(wù)。誠(chéng)實(shí)、守信是對(duì)企業(yè)的經(jīng)營(yíng)要求,也是我們做人的基本準(zhǔn)則。公司致力于打造***的微納加工技術(shù)服務(wù),真空鍍膜技術(shù)服務(wù),紫外光刻技術(shù)服務(wù),材料刻蝕技術(shù)服務(wù)。
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