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對于被刻蝕材料和掩蔽層材料(例如光刻膠)的選擇比SR可通過下式計算:SR=Ef/Er;其中,Ef為被刻蝕材料的刻蝕速率,Er為掩蔽層材料的刻蝕速率(如光刻膠);根據(jù)這個公式,選擇比通常表示為一個比值,一個選擇比差的工藝這一比值可能是1:1,山東ICP材料刻蝕服務(wù)價格,意味著被刻蝕的材料與光刻膠掩蔽層被去除地一樣快,山東ICP材料刻蝕服務(wù)價格,而一個選擇比高的工藝這一比值可能是100:1,說明被刻蝕材料的刻蝕速率為不要被刻蝕材料的(如光刻膠)刻蝕速率的100倍,山東ICP材料刻蝕服務(wù)價格。廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所??涛g成了通過溶液、反應(yīng)離子或其它機械方式來剝離、去除材料的一種統(tǒng)稱。山東ICP材料刻蝕服務(wù)價格
經(jīng)過前面的一系列工藝已將光刻掩膜版的圖形轉(zhuǎn)移到光刻膠上。為了制作元器件,需將光刻膠上的圖形進一步轉(zhuǎn)移到光刻膠下層的材料上。這個任務(wù)就由刻蝕來完成。刻蝕就是將涂膠前所淀積的薄膜中沒有被光刻膠(經(jīng)過曝光和顯影后)覆蓋和保護的那部分去除掉,達到將光刻膠上的圖形轉(zhuǎn)移到其下層材料上的目的。光刻膠的下層薄膜可能是二氧化硅、氮化硅、多晶硅或者金屬材料。材料不同或圖形不同,刻蝕的要求不同。實際上,光刻和刻蝕是兩個不同的加工工藝,但因為這兩個工藝只有連續(xù)進行,才能完成真正意義上的圖形轉(zhuǎn)移,而且在工藝線上,這兩個工藝經(jīng)常是放在同一工序中,因此有時也將這兩個步驟統(tǒng)稱為光刻。山東ICP材料刻蝕服務(wù)價格干法刻蝕種類比較多,包括光揮發(fā)、氣相腐蝕、等離子體腐蝕等。
GaN材料的刻蝕一般采用光刻膠來做掩膜,但是刻蝕GaN和光刻膠,選擇比接近1:1,如果需要刻蝕深度超過3微米以上就需要采用厚膠來做掩膜。對于刻蝕更深的GaN,那就需要采用氧化硅來做刻蝕的掩模,刻蝕GaN的氣體對于刻蝕氧化硅刻蝕比例可以達到8:1。深硅刻蝕是MEMS器件工藝當中很重要的一個工藝,根據(jù)不同應(yīng)用對深硅刻蝕有不同的側(cè)壁形貌要求,深硅刻蝕的刻蝕方式有BOSCH工藝、Cryo工藝、mix工藝,而常用的工藝是用BOSCH工藝,刻蝕深度可以達到400微米,深寬選擇比可以達到20:1.
材料的濕法化學(xué)刻蝕,包括刻蝕劑到達材料表面和反應(yīng)產(chǎn)物離開表面的傳輸過程,也包括表面本身的反應(yīng)。如果刻蝕劑的傳輸是限制加工的因素,則這種反應(yīng)受擴散的限制。吸附和解吸也影響濕法刻蝕的速率,而且在整個加工過程中可能是一種限制因素。半導(dǎo)體技術(shù)中的許多刻蝕工藝是在相當緩慢并受速率控制的情況下進行的,這是因為覆蓋在表面上有一污染層。因此,刻蝕時受到反應(yīng)劑擴散速率的限制。污染層厚度常有幾微米,如果化學(xué)反應(yīng)有氣體逸出,則此層就可能破裂。濕法刻蝕工藝常常有反應(yīng)物產(chǎn)生,這種產(chǎn)物受溶液的溶解速率的限制。為了使刻蝕速率提高,常常使溶液攪動,因為攪動增強了外擴散效應(yīng)。多晶和非晶材料的刻蝕是各向異性的。然而,結(jié)晶材料的刻蝕可能是各向同性,也可能是各向異性的,它取決于反應(yīng)動力學(xué)的性質(zhì)。晶體材料的各向同性刻蝕常被稱作拋光刻蝕,因為它們產(chǎn)生平滑的表面。各向異性刻蝕通常能顯示晶面,或使晶體產(chǎn)生缺陷。因此,可用于化學(xué)加工,也可作為結(jié)晶刻蝕劑。二氧化硅濕法刻蝕:較普通的刻蝕層是熱氧化形成的二氧化硅。
理想情況下,晶圓所有點的刻蝕速率都一致(均勻)。晶圓不同點刻蝕速率不同的情況稱為非均勻性(或者稱為微負載),通常以百分比表示。減少非均勻性和微負載是刻蝕的重要目標。應(yīng)用材料公司一直以來不斷開發(fā)具有成本效益的創(chuàng)新解決方案,來應(yīng)對不斷變化的蝕刻難題。這些難題可能源自于器件尺寸的不斷縮??;所用材料的變化(例如高k薄膜或多孔較低k介電薄膜);器件架構(gòu)多樣化(例如FinFET和三維NAND晶體管);以及新的封裝方式(例如硅穿孔(TSV)技術(shù))。一般而言,高蝕速率(在一定時間內(nèi)去除的材料量)都會受到歡迎。中山氮化硅材料刻蝕版廠家
溫度越高刻蝕效率越高,但是溫度過高工藝方面波動較大,只要通過設(shè)備自帶溫控器和點檢確認。山東ICP材料刻蝕服務(wù)價格
刻蝕較簡單較常用分類是:干法刻蝕和濕法刻蝕。顯而易見,它們的區(qū)別就在于濕法使用溶劑或溶液來進行刻蝕。濕法刻蝕是一個純粹的化學(xué)反應(yīng)過程,是指利用溶液與預(yù)刻蝕材料之間的化學(xué)反應(yīng)來去除未被掩蔽膜材料掩蔽的部分而達到刻蝕目的。其特點是:濕法刻蝕在半導(dǎo)體工藝中有著普遍應(yīng)用:磨片、拋光、清洗、腐蝕。優(yōu)點是選擇性好、重復(fù)性好、生產(chǎn)效率高、設(shè)備簡單、成本低。干法刻蝕種類比較多,包括光揮發(fā)、氣相腐蝕、等離子體腐蝕等。按照被刻蝕的材料類型來劃分,干法刻蝕主要分成三種:金屬刻蝕、介質(zhì)刻蝕和硅刻蝕。山東ICP材料刻蝕服務(wù)價格
廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所一直專注于面向半導(dǎo)體光電子器件、功率電子器件、MEMS、生物芯片等前沿領(lǐng)域,致力于打造***的公益性、開放性、支撐性樞紐中心。平臺擁有半導(dǎo)體制備工藝所需的整套儀器設(shè)備,建立了一條實驗室研發(fā)線和一條中試線,加工尺寸覆蓋2-6英寸(部分8英寸),同時形成了一支與硬件有機結(jié)合的專業(yè)人才隊伍。平臺當前緊抓技術(shù)創(chuàng)新和公共服務(wù),面向國內(nèi)外高校、科研院所以及企業(yè)提供開放共享,為技術(shù)咨詢、創(chuàng)新研發(fā)、技術(shù)驗證以及產(chǎn)品中試提供支持。,是一家電子元器件的企業(yè),擁有自己**的技術(shù)體系。公司目前擁有專業(yè)的技術(shù)員工,為員工提供廣闊的發(fā)展平臺與成長空間,為客戶提供高質(zhì)的產(chǎn)品服務(wù),深受員工與客戶好評。誠實、守信是對企業(yè)的經(jīng)營要求,也是我們做人的基本準則。公司致力于打造***的微納加工技術(shù)服務(wù),真空鍍膜技術(shù)服務(wù),紫外光刻技術(shù)服務(wù),材料刻蝕技術(shù)服務(wù)。公司力求給客戶提供全數(shù)良好服務(wù),我們相信誠實正直、開拓進取地為公司發(fā)展做正確的事情,將為公司和個人帶來共同的利益和進步。經(jīng)過幾年的發(fā)展,已成為微納加工技術(shù)服務(wù),真空鍍膜技術(shù)服務(wù),紫外光刻技術(shù)服務(wù),材料刻蝕技術(shù)服務(wù)行業(yè)出名企業(yè)。
文章來源地址: http://www.cdcfah.com/cp/2477256.html
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