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產品關鍵詞:中山功率器件光刻,光刻
***更新:2020-12-21 01:17:12
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日本能把持光刻膠這么多年背后的深層次邏輯是什么?究其原因,主要是技術和市場兩大壁壘過高導致的。首先,光刻膠作為半導體產業(yè)的基礎材料,扮演著極其重要的角色,甚至可以和光刻機相媲美,但市場規(guī)模卻很小。2019年的全球光刻膠市場的規(guī)模才90億美元,不及一家大型IC設計企業(yè)的年營收,行業(yè)成長空間有限,自然進入的企業(yè)就少。另一方面,光刻膠又是一個具有極高技術壁壘的產業(yè),中山功率器件光刻。由于不同的客戶會有不同的應用需求,同一個客戶也有不同的光刻應用需求。導致光刻膠的種類極其繁雜,中山功率器件光刻,必須通過調整光刻膠的配方,滿足差異化應用需求,這也是光刻膠制造商較中心的技術,中山功率器件光刻。邊緣的光刻膠一般涂布不均勻,產生邊緣效應,不能得到很好的圖形,而且容易發(fā)生剝離而影響其它部分的圖形。中山功率器件光刻
光刻(Photolithography)是一種圖形轉移的方法,在微納加工當中不可或缺的技術。光刻是一個比較大的概念,其實它是有多步工序所組成的。1.清洗:清洗襯底表面的有機物。2.旋涂:將光刻膠旋涂在襯底表面。3.曝光。將光刻版與襯底對準,在紫外光下曝光一定的時間。4.顯影:將曝光后的襯底在顯影液下顯影一定的時間,受過紫外線曝光的地方會溶解在顯影液當中。5.后烘。將顯影后的襯底放置熱板上后烘,以增強光刻膠與襯底之前的粘附力。光刻是將掩模版上的圖形轉移到涂有光致抗蝕劑(或稱光刻膠)的襯底上,通過一系列生產步驟將硅片表面薄膜的特定部分除去的一種圖形轉移技術。光刻技術是借用照相技術、平板印刷技術的基礎上發(fā)展起來的半導體關鍵工藝技術。中山功率器件光刻光刻機又被稱為:掩模對準曝光機、曝光系統(tǒng)、光刻系統(tǒng)等。
對于國產光刻膠來說,今年的九月是極為特殊的一個月份。9月23日,發(fā)改委聯合工信部、科技部、財政部共同發(fā)布了《關于擴大戰(zhàn)略性新興產業(yè)投資培育壯大新增長點增長極的指導意見》,《意見》提出,加快新材料產業(yè)強弱項,具體涉及加快在光刻膠、大尺寸硅片、電子封裝材料等領域實現突破。而在《意見》還未發(fā)布之前,部分企業(yè)已經聞聲先動了。除了幾家企業(yè)加大投資、研發(fā)國產光刻膠之外,還有兩家企業(yè)通過購買光刻機的方式,開展光刻膠的研發(fā)。光刻膠產業(yè),尤其是較優(yōu)光刻膠一直是日本企業(yè)所把持,這已不是什么鮮為人知的信息了。廣東省科學院半導體研究所。
常用的光刻膠主要是兩種,正性光刻膠(positive photoresist)被曝光的部分會被顯影劑去除,負性光刻膠(negative photoresist)未被曝光的部分會被顯影劑去除。正性光刻膠主要應用于腐蝕和刻蝕工藝,而負膠工藝主要應用于剝離工藝(lift-off)。光刻是微納加工當中不可或缺的工藝,主要是起到圖形化轉移的作用。常規(guī)的光刻分為有掩膜光刻和無掩膜光刻。無掩膜光刻主要是電子束曝光和激光直寫光,有掩膜光刻主要是接觸式曝光、非接觸式曝光和stepper光刻。對于有掩膜光刻,首先需要設計光刻版,常用的設計軟件有CAD、L-edit等軟件。接觸式曝光只適于分立元件和中、小規(guī)模集成電路的生產。
在光刻過程中可能會出現光刻膠未涂滿襯底的異常,主要原因可能以下幾個:滴膠量不、膠液偏離襯底中心、滴膠是有氣泡、滴膠是有“倒角”,主要的叫絕方法有:增加滴膠量、調整勻膠機水平位置、調整滴膠位置、在“倒角”處滴膠、消除“倒角”。光刻涂膠四周呈現放射性條紋,主要可能的原因是光刻膠有顆粒、襯底未清洗干凈,表面有顆粒、滴膠后精致時間過長,部分光刻膠固話,解決的方法主要有更換光刻膠,使用新的光刻膠涂膠來測試一下、將襯底再清洗一次再涂膠、滴膠后馬上旋涂,以免光刻膠有所固化。光刻版材質主要是兩種,一個是石英材質一個是蘇打材質,石英材料的透光率會比蘇打的透光率要高。光刻版就是在蘇打材料通過光刻、刻蝕等工藝在表面使用鉻金屬做出我們所需要的圖形。光刻噴嘴噴霧模式和硅片旋轉速度是實現硅片間溶解率和均勻性的可重復性的關鍵調節(jié)參數。中山功率器件光刻
在完成圖形的曝光后,用激光曝光硅片邊緣,然后在顯影或特殊溶劑中溶解。中山功率器件光刻
動態(tài)噴灑法:隨著硅片尺寸越來越大,靜態(tài)涂膠已經不能滿足較新的硅片加工需求。相對靜態(tài)旋轉法而言,動態(tài)噴灑法在光刻膠對硅片進行澆注的時刻就開始以低速旋轉幫助光刻膠進行較初的擴散。這種方法可以用較少量的光刻膠形成更均勻的光刻膠鋪展,較終以高速旋轉形成滿足厚薄與均勻度要求的光刻膠膜。集成電路的制程工藝水平按已由微米級、亞微米級、深亞微米級進入到納米級階段。集成電路線寬不斷縮小的趨勢,對包括光刻在內的半導體制程工藝提出了新的挑戰(zhàn)。中山功率器件光刻
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