光聚合型，可形成正性光刻膠，是通過采用了烯類單體，在光作用下生成自由基從而進(jìn)一步引發(fā)單體聚合，較后生成聚合物的過程；光分解型光刻膠可以制成正性膠，福建MEMS光刻，通過采用含有疊氮醌類化合物的材料在經(jīng)過光照后,發(fā)生光分解反應(yīng)的過程。光交聯(lián)型，即采用聚乙烯醇月桂酸酯等作為光敏材料，在光的作用下，福建MEMS光刻，其分子中的雙鍵被打開，并使鏈與鏈之間發(fā)生交聯(lián)，形成一種不溶性的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，從而起到抗蝕作用，是一種典型的負(fù)性光刻膠。按照應(yīng)用領(lǐng)域的不同，光刻膠又可以分為印刷電路板（PCB）用光刻膠，福建MEMS光刻、液晶顯示(LCD）用光刻膠、半導(dǎo)體用光刻膠和其他用途光刻膠。PCB 光刻膠技術(shù)壁壘相對其他兩類較低，而半導(dǎo)體光刻膠表示著光刻膠技術(shù)較先進(jìn)水平。接觸式曝光和非接觸式曝光的區(qū)別，在于曝光時掩模與晶片間相對關(guān)系是貼緊還是分開。福建MEMS光刻

光刻膠供應(yīng)商與客戶粘性大；一般情況下，為了保持光刻膠供應(yīng)和效果的穩(wěn)定，下游客戶與光刻膠供應(yīng)商一旦建立供應(yīng)關(guān)系后，不會輕易更換。通過建立反饋機(jī)制，滿足個性化需求，光刻膠供應(yīng)商與客戶的粘性不斷增加。后來者想要加入到供應(yīng)商行列，往往需要滿足比現(xiàn)有供應(yīng)商更高的要求。所以光刻膠行業(yè)對新進(jìn)入者壁壘較高。通常光刻膠等微電子化學(xué)品不僅品質(zhì)要求高，而且需要多種不同的品類滿足下游客戶多樣化的需。如果沒有規(guī)模效益，供應(yīng)商就無法承擔(dān)滿足***多樣化需求帶來的開銷。因此，品種規(guī)模構(gòu)成了進(jìn)入該行業(yè)的重要壁壘。廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所。福建MEMS光刻常用的光刻機(jī)是掩模對準(zhǔn)光刻，所以它被稱為掩模對準(zhǔn)系統(tǒng)。

根據(jù)曝光方式的不同，光刻機(jī)主要分為接觸式，接近式以及投影式三種。接觸式光刻機(jī)，曝光時，光刻版壓在涂有光刻膠的襯底上，優(yōu)點(diǎn)是設(shè)備簡單，分辨率高，沒有衍射效應(yīng)，缺點(diǎn)是光刻版與涂有光刻膠的晶圓片直接接觸，每次接觸都會在晶圓片和光刻版上產(chǎn)生缺陷，降低光刻版使用壽命，成品率低。接近式光刻機(jī)，光刻版與光刻膠有一個很小的縫隙，因?yàn)楣饪贪媾c襯底沒有接觸，缺陷減少，優(yōu)點(diǎn)是避免晶圓片與光刻版直接接觸，缺陷少，缺點(diǎn)是分辨率低，存在衍射效應(yīng)。投影式曝光，一般光學(xué)系統(tǒng)將掩模版上的圖像縮小4x或5x倍，聚焦并與硅片上已有的圖形對準(zhǔn)后曝光，每次曝光一小部分，曝完一個圖形后，硅片移動到下一個曝光位置繼續(xù)對準(zhǔn)曝光，這種曝光方式分辨率比較高，但不產(chǎn)生缺陷。

光刻膠旋轉(zhuǎn)速度，速度越快，厚度越??；影響光刻膠均勻性的參數(shù)：旋轉(zhuǎn)加速度，加速越快越均勻；與旋轉(zhuǎn)加速的時間點(diǎn)有關(guān)。一般旋涂光刻膠的厚度與曝光的光源波長有關(guān)（因?yàn)椴煌墑e的曝光波長對應(yīng)不同的光刻膠種類和分辨率）：I-line較厚，約0.7～3μm；KrF的厚度約0.4～0.9μm；ArF的厚度約0.2～0.5μm。軟烘方法：真空熱板，85～120C,30～60秒；目的：除去溶劑（4～7%）；增強(qiáng)黏附性；釋放光刻膠膜內(nèi)的應(yīng)力；防止光刻膠玷污設(shè)備；邊緣光刻膠的去除：光刻膠涂覆后，在硅片邊緣的正反兩面都會有光刻膠的堆積。一般旋涂光刻膠的厚度與曝光的光源波長有關(guān)。

光刻技術(shù)是集成電路制造中利用光學(xué)- 化學(xué)反應(yīng)原理和化學(xué)、物理刻蝕方法，將電路圖形傳遞到單晶表面或介質(zhì)層上，形成有效圖形窗口或功能圖形的工藝技術(shù)。隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，光刻技術(shù)傳遞圖形的尺寸限度縮小了2～3個數(shù)量級（從毫米級到亞微米級），已從常規(guī)光學(xué)技術(shù)發(fā)展到應(yīng)用電子束、 X射線、微離子束、激光等新技術(shù)；使用波長已從4000埃擴(kuò)展到 0.1埃數(shù)量級范圍。光刻技術(shù)成為一種精密的微細(xì)加工技術(shù)。光刻技術(shù)是指在光照作用下，借助光致抗蝕劑（又名光刻膠）將掩膜版上的圖形轉(zhuǎn)移到基片上的技術(shù)。其主要過程為：首先紫外光通過掩膜版照射到附有一層光刻膠薄膜的基片表面，引起曝光區(qū)域的光刻膠發(fā)生化學(xué)反應(yīng)；再通過顯影技術(shù)溶解去除曝光區(qū)域或未曝光區(qū)域的光刻膠（前者稱正性光刻膠，后者稱負(fù)性光刻膠），使掩膜版上的圖形被復(fù)制到光刻膠薄膜上；較后利用刻蝕技術(shù)將圖形轉(zhuǎn)移到基片上。接觸式光刻機(jī)，曝光時，光刻版壓在涂有光刻膠的襯底上，優(yōu)點(diǎn)是設(shè)備簡單，分辨率高，沒有衍射效應(yīng)。山東功率器件光刻

光刻版材質(zhì)主要是兩種，一個是石英材質(zhì)一個是蘇打材質(zhì)，石英材料的透光率會比蘇打的透光率要高。福建MEMS光刻

光刻涂底方法：氣相成底膜的熱板涂底。HMDS蒸氣淀積，200～250C,30秒鐘；優(yōu)點(diǎn)：涂底均勻、避免顆粒污染；旋轉(zhuǎn)涂底。缺點(diǎn)：顆粒污染、涂底不均勻、HMDS用量大。目的：使表面具有疏水性，增強(qiáng)基底表面與光刻膠的黏附性旋轉(zhuǎn)涂膠方法：a、靜態(tài)涂膠（Static）。硅片靜止時，滴膠、加速旋轉(zhuǎn)、甩膠、揮發(fā)溶劑（原光刻膠的溶劑約占65～85%,旋涂后約占10～20%）；b、動態(tài)（Dynamic）。低速旋轉(zhuǎn)（500rpm_rotationperminute）、滴膠、加速旋轉(zhuǎn)（3000rpm）、甩膠、揮發(fā)溶劑。決定光刻膠涂膠厚度的關(guān)鍵參數(shù)：光刻膠的黏度（Viscosity），黏度越低，光刻膠的厚度越?。桓＝∕EMS光刻

廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所位于長興路363號，交通便利，環(huán)境優(yōu)美，是一家服務(wù)型企業(yè)。廣東省半導(dǎo)體所是一家****企業(yè)，一直“以人為本，服務(wù)于社會”的經(jīng)營理念;“誠守信譽(yù)，持續(xù)發(fā)展”的質(zhì)量方針。以滿足顧客要求為己任；以顧客永遠(yuǎn)滿意為標(biāo)準(zhǔn)；以保持行業(yè)優(yōu)先為目標(biāo)，提供***的微納加工技術(shù)服務(wù)，真空鍍膜技術(shù)服務(wù)，紫外光刻技術(shù)服務(wù)，材料刻蝕技術(shù)服務(wù)。廣東省半導(dǎo)體所將以真誠的服務(wù)、創(chuàng)新的理念、***的產(chǎn)品，為彼此贏得全新的未來！

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