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產(chǎn)品關(guān)鍵詞:遼寧氮化硅材料刻蝕廠家,材料刻蝕
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濕法刻蝕是將刻蝕材料浸泡在腐蝕液內(nèi)進行腐蝕的技術(shù),是利用合適的化學(xué)試劑先將未被光刻膠覆蓋的晶片部分分解,然后轉(zhuǎn)成可溶的化合物達到去除的目的。濕法刻蝕是刻蝕的一種方法,其他的有干刻蝕,等離子刻蝕等。濕法刻蝕這種刻蝕技術(shù)主要是借助腐蝕液和晶片材料的化學(xué)反應(yīng),遼寧氮化硅材料刻蝕廠家,遼寧氮化硅材料刻蝕廠家,遼寧氮化硅材料刻蝕廠家,因此我們可以借助化學(xué)試劑的選取、配比以及溫度的控制等來達到合適的刻蝕速率和良好的刻蝕選擇比。濕法刻蝕的過程:(1)反應(yīng)物擴散到欲被刻蝕材料的表面;(2)反應(yīng)物與被刻蝕材料反應(yīng);(3)反應(yīng)后的產(chǎn)物離開刻蝕表面擴散到溶液中,隨溶液被排出。濕法腐蝕仍然用來腐蝕硅片上某些層或用來去除干法刻蝕后的殘留物。遼寧氮化硅材料刻蝕廠家
工藝所用化學(xué)物質(zhì)取決于要刻蝕的薄膜類型。介電刻蝕應(yīng)用中通常使用含氟的化學(xué)物質(zhì)。硅和金屬刻蝕使用含氯成分的化學(xué)物質(zhì)。在工藝中可能會對一個薄膜層或多個薄膜層執(zhí)行特定的刻蝕步驟。當(dāng)需要處理多層薄膜時,以及刻蝕中必須精確停在某個特定薄膜層而不對其造成損傷時,刻蝕工藝的選擇比就變得非常重要。選擇比是兩個刻蝕速率的比率:被去除層的刻蝕速率與被保護層的刻蝕速率(例如刻蝕掩膜或終止層)。掩?;蛲V箤樱┩ǔ6枷M懈叩倪x擇比。遼寧氮化硅材料刻蝕廠家氮化硅濕法刻蝕:對于鈍化層,另外一種受青睞的化合物是氮化硅。
刻蝕原理介紹主要工藝參數(shù)刻蝕液更換頻率的管控刻蝕不良的產(chǎn)生原因單擊此處編輯母版標(biāo)題樣式單擊此處編輯母版標(biāo)題樣式刻蝕工藝介紹辛小剛刻蝕原理介紹刻蝕主要工藝參數(shù)刻蝕液更換頻率的管控刻蝕不良原因分析刻蝕是用一定比例的酸液把玻璃上未受光刻膠保護的Metal/ITO膜通過化學(xué)反應(yīng)去除掉,較終形成制程所需要的圖形。刻蝕種類目前我司的刻蝕種類主要分兩種:1、Metal刻蝕刻蝕液主要成分:磷酸、硝酸、醋酸、水。Metal:合金金屬2、ITO刻蝕刻蝕液主要成分:鹽酸、硝酸、水。ITO:氧化銦錫(混合物)Metal刻蝕前后:ITO刻蝕前后:刻蝕前后對比照片12345刻蝕液濃度刻蝕溫度刻蝕速度噴淋流量過刻量刻蝕液的濃度對刻蝕效果影響較大,所以我們主要通過:來料檢驗、首片確認(rèn)、定期更換的方法來保證。
典型的硅刻蝕是用含氮的物質(zhì)與氫氟酸的混合水溶液。這一配比規(guī)則在控制刻蝕中成為一個重要的因素。在一些比率上,刻蝕硅會有放熱反應(yīng)。加熱反應(yīng)所產(chǎn)生的熱可加速刻蝕反應(yīng),接下來又產(chǎn)生更多的熱,這樣進行下去會導(dǎo)致工藝無法控制。有時醋酸和其他成分被混合進來控制加熱反應(yīng)。一些器件要求在晶圓上刻蝕出槽或溝??涛g配方要進行調(diào)整以使刻蝕速率依靠晶圓的取向。取向的晶圓以45°角刻蝕,取向的晶圓以“平”底刻蝕。其他取向的晶圓可以得到不同形狀的溝槽。多晶硅刻蝕也可用基本相同的規(guī)則。按照被刻蝕的材料類型來劃分,干法刻蝕主要分成三種:金屬刻蝕、介質(zhì)刻蝕和硅刻蝕。
溫度越高刻蝕效率越高,但是溫度過高工藝方面波動較大,只要通過設(shè)備自帶溫控器和點檢確認(rèn)??涛g流片的速度與刻蝕速率密切相關(guān)噴淋流量的大小決定了基板表面藥液置換速度的快慢,流量控制可保證基板表面藥液濃度均勻。過刻量即測蝕量,適當(dāng)增加測試量可有效控制刻蝕中的點狀不良作業(yè)數(shù)量管控:每天對生產(chǎn)數(shù)量及時記錄,達到規(guī)定作業(yè)片數(shù)及時更換。作業(yè)時間管控:由于藥液的揮發(fā),所以如果在規(guī)定更換時間未達到相應(yīng)的生產(chǎn)片數(shù)藥液也需更換。首片和抽檢管控:作業(yè)時需先進行首片確認(rèn),且在作業(yè)過程中每批次進行抽檢(時間間隔約25min)。1、大面積刻蝕不干凈:刻蝕液濃度下降、刻蝕溫度變化。2、刻蝕不均勻:噴淋流量異常、藥液未及時沖洗干凈等。3、過刻蝕:刻蝕速度異常、刻蝕溫度異常等。在工藝中可能會對一個薄膜層或多個薄膜層執(zhí)行特定的刻蝕步驟。吉林深硅刻蝕材料刻蝕版廠家
物理上,等離子體刻蝕劑由反應(yīng)室、真空系統(tǒng)、氣體供應(yīng)、終點檢測和電源組成。遼寧氮化硅材料刻蝕廠家
反應(yīng)離子刻蝕:這種刻蝕過程同時兼有物理和化學(xué)兩種作用。輝光放電在零點幾到幾十帕的低真空下進行。硅片處于陰極電位,放電時的電位大部分降落在陰極附近。大量帶電粒子受垂直于硅片表面的電場加速,垂直入射到硅片表面上,以較大的動量進行物理刻蝕,同時它們還與薄膜表面發(fā)生強烈的化學(xué)反應(yīng),產(chǎn)生化學(xué)刻蝕作用。選擇合適的氣體組分,不僅可以獲得理想的刻蝕選擇性和速度,還可以使活性基團的壽命短,這就有效地阻止了因這些基團在薄膜表面附近的擴散所能造成的側(cè)向反應(yīng),較大提高了刻蝕的各向異性特性。反應(yīng)離子刻蝕是超大規(guī)模集成電路工藝中比較有發(fā)展前景的一種刻蝕方法。遼寧氮化硅材料刻蝕廠家
廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所主要經(jīng)營范圍是電子元器件,擁有一支專業(yè)技術(shù)團隊和良好的市場口碑。公司業(yè)務(wù)分為微納加工技術(shù)服務(wù),真空鍍膜技術(shù)服務(wù),紫外光刻技術(shù)服務(wù),材料刻蝕技術(shù)服務(wù)等,目前不斷進行創(chuàng)新和服務(wù)改進,為客戶提供良好的產(chǎn)品和服務(wù)。公司從事電子元器件多年,有著創(chuàng)新的設(shè)計、強大的技術(shù),還有一批**的專業(yè)化的隊伍,確保為客戶提供良好的產(chǎn)品及服務(wù)。在社會各界的鼎力支持下,持續(xù)創(chuàng)新,不斷鑄造***服務(wù)體驗,為客戶成功提供堅實有力的支持。
文章來源地址: http://www.cdcfah.com/cp/2511996.html
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