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產(chǎn)品關(guān)鍵詞:珠海氮化鎵材料刻蝕加工,材料刻蝕
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刻蝕是使用化學(xué)或者物理方法有選擇地從硅片表面去除不需要材料的過程,常用的設(shè)備為刻蝕機等。通常的晶圓加工流程中,刻蝕工藝位于光刻工藝之后,有圖形的光刻膠層在刻蝕中不會受到腐蝕源的明顯侵蝕,從而完成圖形轉(zhuǎn)移的工藝步驟,珠海氮化鎵材料刻蝕加工。為在硅片表面材料上復(fù)制掩膜圖案,刻蝕需要滿足一定的參數(shù),主要有:刻蝕速率、刻蝕剖面、刻蝕偏差和選擇比等??涛g速率指刻蝕過程中去除硅片表面材料的速度;刻蝕剖面指的是刻蝕圖形的側(cè)壁形狀,珠海氮化鎵材料刻蝕加工,通常分為各向同性和各向異性剖面;刻蝕偏差指的是線寬或關(guān)鍵尺寸間距的變化,珠海氮化鎵材料刻蝕加工,通常由橫向鉆蝕引起;選擇比指的是同一刻蝕條件下兩種材料刻蝕速率比,高選擇比意味著不需要的材料會被刻除。氮化硅濕法刻蝕:對于鈍化層,另外一種受青睞的化合物是氮化硅。珠海氮化鎵材料刻蝕加工
光刻膠是另一個剝離的例子??偟膩碚f,有圖形刻蝕和無圖形刻蝕工藝條件能夠采用干法刻蝕或濕法腐蝕技術(shù)來實現(xiàn)。為了復(fù)制硅片表面材料上的掩膜圖形,刻蝕必須滿足一些特殊的要求。包括幾方面刻蝕參數(shù):刻蝕速率、刻蝕剖面、刻蝕偏差、選擇比、均勻性、殘留物、聚合物、等離子體誘導(dǎo)損傷、顆粒玷污和缺陷等??涛g是用化學(xué)或物理方法有選擇的從硅片表面去除不需要的材料的過程??涛g的基本目標(biāo)是在涂膠的硅片上正確的復(fù)制掩模圖形。有圖形的光刻膠層在刻蝕中不受腐蝕源明顯的侵蝕。湖南MEMS材料刻蝕工藝等離子體刻蝕機要求相同的元素:化學(xué)刻蝕劑和能量源。
GaN材料的刻蝕一般采用光刻膠來做掩膜,但是刻蝕GaN和光刻膠,選擇比接近1:1,如果需要刻蝕深度超過3微米以上就需要采用厚膠來做掩膜。對于刻蝕更深的GaN,那就需要采用氧化硅來做刻蝕的掩模,刻蝕GaN的氣體對于刻蝕氧化硅刻蝕比例可以達(dá)到8:1。深硅刻蝕是MEMS器件工藝當(dāng)中很重要的一個工藝,根據(jù)不同應(yīng)用對深硅刻蝕有不同的側(cè)壁形貌要求,深硅刻蝕的刻蝕方式有BOSCH工藝、Cryo工藝、mix工藝,而常用的工藝是用BOSCH工藝,刻蝕深度可以達(dá)到400微米,深寬選擇比可以達(dá)到20:1.
在氧化物中開窗口的過程,可能導(dǎo)致氧化物—硅界面層附近的Si0處發(fā)生鉆蝕。在極端情況下,可以導(dǎo)致氧化物層的脫落。在淺擴(kuò)散高速晶體管的制造中有時會遇到這一問題。薄膜材料刻蝕所用的化學(xué)物與溶解這一類物體的材料是相同的,其作用是將材料轉(zhuǎn)變成可溶性的鹽或復(fù)合物。對于每種材料,都有多種刻蝕化學(xué)物可選用,它們的特性取決于膜的參數(shù)(如膜的微結(jié)構(gòu)、疏松度和膜的形成過程),同時也取決于所提供的前加工過程的性質(zhì)。它一般有下述特點:(1)膜材料比相應(yīng)的體材料更容易刻蝕。因此,必須用稀釋的刻蝕劑,以便控制刻蝕速率。(2)受照射的膜一般將被迅速刻蝕。這種情況,包括離子注入的膜,電子束蒸發(fā)生成的膜,甚至前工序中曾在電子束蒸發(fā)環(huán)境中受照射的膜。而某些光刻膠受照射則屬于例外,因為這是由于聚合作用而變得更難刻蝕的緣故。負(fù)性膠就是一例。(3)內(nèi)應(yīng)力大的膜將迅速被刻蝕。膜的應(yīng)力通常由沉積溫度、沉積技術(shù)和基片溫度所控制。(4)微觀結(jié)構(gòu)差的薄膜,包括多孔膜和疏松結(jié)構(gòu)的膜,將被迅速刻蝕。這樣的膜,??梢酝ㄟ^高于生長溫度的熱處理使其致密化。當(dāng)需要處理多層薄膜時,以及刻蝕中必須精確停在某個特定薄膜層而不對其造成損傷時。
刻蝕也可以分成有圖形刻蝕和無圖形刻蝕。有圖形刻蝕采用掩蔽層(有圖形的光刻膠)來定義要刻蝕掉的表面材料區(qū)域,只有硅片上被選擇的這一部分在刻蝕過程中刻掉。有圖形刻蝕可用來在硅片上制作多種不同的特征圖形,包括柵、金屬互連線、通孔、接觸孔和溝槽。無圖形刻蝕、反刻或剝離是在整個硅片沒有掩模的情況下進(jìn)行的,這種刻蝕工藝用于剝離掩模層。反刻是在想要把某一層膜的總的厚度減小時采用的(如當(dāng)平坦化硅片表面時需要減小形貌特征)。廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所??涛g也可以分成有圖形刻蝕和無圖形刻蝕。江蘇氧化硅材料刻蝕版廠家
干法刻蝕也可以根據(jù)被刻蝕的材料類型來分類,如刻蝕氮化鎵、氧化硅、氮化硅、鋁鎵氮等材料。珠海氮化鎵材料刻蝕加工
刻蝕,英文為Etch,它是半導(dǎo)體制造工藝,微電子IC制造工藝以及微納制造工藝中的一種相當(dāng)重要的步驟。是與光刻相聯(lián)系的圖形化(pattern)處理的一種主要工藝。所謂刻蝕,實際上狹義理解就是光刻腐蝕,先通過光刻將光刻膠進(jìn)行光刻曝光處理,然后通過其它方式實現(xiàn)腐蝕處理掉所需除去的部分??涛g是用化學(xué)或物理方法有選擇地從硅片表面去除不需要的材料的過程,其基本目標(biāo)是在涂膠的硅片上正確地復(fù)制掩模圖形。隨著微制造工藝的發(fā)展,廣義上來講,刻蝕成了通過溶液、反應(yīng)離子或其它機械方式來剝離、去除材料的一種統(tǒng)稱,成為微加工制造的一種普適叫法。珠海氮化鎵材料刻蝕加工
廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所致力于電子元器件,是一家服務(wù)型的公司。廣東省半導(dǎo)體所致力于為客戶提供良好的微納加工技術(shù)服務(wù),真空鍍膜技術(shù)服務(wù),紫外光刻技術(shù)服務(wù),材料刻蝕技術(shù)服務(wù),一切以用戶需求為中心,深受廣大客戶的歡迎。公司注重以質(zhì)量為中心,以服務(wù)為理念,秉持誠信為本的理念,打造電子元器件良好品牌。在社會各界的鼎力支持下,持續(xù)創(chuàng)新,不斷鑄造***服務(wù)體驗,為客戶成功提供堅實有力的支持。
文章來源地址: http://www.cdcfah.com/cp/2512934.html
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