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產(chǎn)品關(guān)鍵詞:佛山ICP材料刻蝕外協(xié),材料刻蝕
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基本工藝要求理想的刻蝕工藝必須具有以下特點:①各向異性刻蝕,即只有垂直刻蝕,沒有橫向鉆蝕。這樣才能保證精確地在被刻蝕的薄膜上復(fù)制出與抗蝕劑上完全一致的幾何圖形;②良好的刻蝕選擇性,佛山ICP材料刻蝕外協(xié),即對作為掩模的抗蝕劑和處于其下的另一層薄膜或材料的刻蝕速率都比被刻蝕薄膜的刻蝕速率小得多,以保證刻蝕過程中抗蝕劑掩蔽的有效性,不致發(fā)生因為過刻蝕而損壞薄膜下面的其他材料;③加工批量大,佛山ICP材料刻蝕外協(xié),控制容易,佛山ICP材料刻蝕外協(xié),成本低,對環(huán)境污染少,適用于工業(yè)生產(chǎn)。有圖形的光刻膠層在刻蝕中不受腐蝕源明顯的侵蝕。佛山ICP材料刻蝕外協(xié)
二氧化硅的干法刻蝕:刻蝕原理氧化物的等離子體刻蝕工藝大多采用含有氟碳化合物的氣體進行刻蝕。使用的氣體有四氟化碳(CF)、八氟丙烷(C,F(xiàn)8)、三氟甲烷(CHF3)等,常用的是CF和CHFCF的刻蝕速率比較高但對多晶硅的選擇比不好,CHF3的聚合物生產(chǎn)速率較高,非等離子體狀態(tài)下的氟碳化合物化學(xué)穩(wěn)定性較高,且其化學(xué)鍵比SiF的化學(xué)鍵強,不會與硅或硅的氧化物反應(yīng)。選擇比的改變在當(dāng)今半導(dǎo)體工藝中,Si02的干法刻蝕主要用于接觸孔與金屬間介電層連接洞的非等向性刻蝕方面。前者在S102下方的材料是Si,后者則是金屬層,通常是TiN(氮化鈦),因此在Si02的刻蝕中,Si07與Si或TiN的刻蝕選擇比是一個比較重要的因素。河南半導(dǎo)體材料刻蝕服務(wù)價格介質(zhì)刻蝕是用于介質(zhì)材料的刻蝕,如二氧化硅,氮化硅。
氮化硅的干法刻蝕S13N4在半導(dǎo)體工藝中主要用在兩個地方。1、用做器件區(qū)的防止氧化保護層(厚約lOOnm)。2、作為器件的鈍化保護層。在這兩個地方刻蝕的圖形尺寸都比較大,非等向的刻蝕就不那么重要了。刻蝕Si3N4時下方通常是厚約25nm的Si02,為了避免對Si02層的刻蝕,Si3N4與S102之間必須有一定的刻蝕選擇比。S13N4的刻蝕基本上與Si02和Si類似,常用CF4+0等離子體來刻蝕。但是Si-N鍵強度介于Si-Si與Si-0之間,因此使Si3N4對Si或Si02的刻蝕選擇比均不好。在CF4的等離子體中,Si對Si3N4的選擇比約為8,而Si3N4對Si02的選擇比只有2—3,在這么低的刻蝕選擇比下,刻蝕時間的控制就變得非常重要。除了CF4外,也有人改用蘭氟化氮(NF3)的等離子體來刻蝕Si3N4,雖然刻蝕速率較慢,但可獲得可以接受的Si3N4/Si02的刻蝕選擇比。
反應(yīng)離子刻蝕:這種刻蝕過程同時兼有物理和化學(xué)兩種作用。輝光放電在零點幾到幾十帕的低真空下進行。硅片處于陰極電位,放電時的電位大部分降落在陰極附近。大量帶電粒子受垂直于硅片表面的電場加速,垂直入射到硅片表面上,以較大的動量進行物理刻蝕,同時它們還與薄膜表面發(fā)生強烈的化學(xué)反應(yīng),產(chǎn)生化學(xué)刻蝕作用。選擇合適的氣體組分,不僅可以獲得理想的刻蝕選擇性和速度,還可以使活性基團的壽命短,這就有效地阻止了因這些基團在薄膜表面附近的擴散所能造成的側(cè)向反應(yīng),較大提高了刻蝕的各向異性特性。反應(yīng)離子刻蝕是超大規(guī)模集成電路工藝中比較有發(fā)展前景的一種刻蝕方法。為了復(fù)制硅片表面材料上的掩膜圖形,刻蝕必須滿足一些特殊的要求。
刻蝕,英文為Etch,它是半導(dǎo)體制造工藝,微電子IC制造工藝以及微納制造工藝中的一種相當(dāng)重要的步驟。是與光刻相聯(lián)系的圖形化(pattern)處理的一種主要工藝。所謂刻蝕,實際上狹義理解就是光刻腐蝕,先通過光刻將光刻膠進行光刻曝光處理,然后通過其它方式實現(xiàn)腐蝕處理掉所需除去的部分??涛g是用化學(xué)或物理方法有選擇地從硅片表面去除不需要的材料的過程,其基本目標(biāo)是在涂膠的硅片上正確地復(fù)制掩模圖形。隨著微制造工藝的發(fā)展,廣義上來講,刻蝕成了通過溶液、反應(yīng)離子或其它機械方式來剝離、去除材料的一種統(tǒng)稱,成為微加工制造的一種普適叫法。干法刻蝕優(yōu)點是:各向異性好,選擇比高,可控性、靈活性、重復(fù)性好。珠海氮化硅材料刻蝕技術(shù)
等離子會釋放帶正電的離子來撞擊晶圓以去除(刻蝕)材料,并和活性自由基產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)。佛山ICP材料刻蝕外協(xié)
刻蝕是按照掩模圖形或設(shè)計要求對半導(dǎo)體襯底表面或表面覆蓋薄膜進行選擇性刻蝕的技術(shù),它是半導(dǎo)體制造工藝,微電子IC制造工藝以及微納制造工藝中的一種相當(dāng)重要的步驟。是與光刻相聯(lián)系的圖形化處理的一種主要工藝??涛g分為干法刻蝕和濕法腐蝕。原位芯片目前掌握多種刻蝕工藝,并會根據(jù)客戶的需求,設(shè)計刻蝕效果好且性價比高的刻蝕解決方案??涛g技術(shù)主要應(yīng)用于半導(dǎo)體器件,集成電路制造,薄膜電路,印刷電路和其他微細圖形的加工等。廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所。佛山ICP材料刻蝕外協(xié)
廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所是一家面向半導(dǎo)體光電子器件、功率電子器件、MEMS、生物芯片等前沿領(lǐng)域,致力于打造***的公益性、開放性、支撐性樞紐中心。平臺擁有半導(dǎo)體制備工藝所需的整套儀器設(shè)備,建立了一條實驗室研發(fā)線和一條中試線,加工尺寸覆蓋2-6英寸(部分8英寸),同時形成了一支與硬件有機結(jié)合的專業(yè)人才隊伍。平臺當(dāng)前緊抓技術(shù)創(chuàng)新和公共服務(wù),面向國內(nèi)外高校、科研院所以及企業(yè)提供開放共享,為技術(shù)咨詢、創(chuàng)新研發(fā)、技術(shù)驗證以及產(chǎn)品中試提供支持。的公司,致力于發(fā)展為創(chuàng)新務(wù)實、誠實可信的企業(yè)。廣東省半導(dǎo)體所擁有一支經(jīng)驗豐富、技術(shù)創(chuàng)新的專業(yè)研發(fā)團隊,以高度的專注和執(zhí)著為客戶提供微納加工技術(shù)服務(wù),真空鍍膜技術(shù)服務(wù),紫外光刻技術(shù)服務(wù),材料刻蝕技術(shù)服務(wù)。廣東省半導(dǎo)體所致力于把技術(shù)上的創(chuàng)新展現(xiàn)成對用戶產(chǎn)品上的貼心,為用戶帶來良好體驗。廣東省半導(dǎo)體所始終關(guān)注自身,在風(fēng)云變化的時代,對自身的建設(shè)毫不懈怠,高度的專注與執(zhí)著使廣東省半導(dǎo)體所在行業(yè)的從容而自信。
文章來源地址: http://www.cdcfah.com/cp/2513721.html
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