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干刻蝕是一類較新型,但迅速為半導(dǎo)體工業(yè)所采用的技術(shù)。其利用電漿(plasma)來進行半導(dǎo)體薄膜材料的刻蝕加工。其中電漿必須在真空度約10至0.001Torr的環(huán)境下,才有可能被激發(fā)出來;而干刻蝕采用的氣體,或轟擊質(zhì)量頗巨,或化學(xué)活性極高,均能達成刻蝕的目的。干刻蝕基本上包括離子轟擊與化學(xué)反應(yīng)兩部份刻蝕機制。偏「離子轟擊」效應(yīng)者使用氬氣(argon),加工出來之邊緣側(cè)向侵蝕現(xiàn)象極微,甘肅Si材料刻蝕版廠家。而偏化學(xué)反應(yīng)效應(yīng)者則采氟系或氯系氣體(如四氟化碳CF4),經(jīng)激發(fā)出來的電漿,即帶有氟或氯之離子團,可快速與芯片表面材質(zhì)反應(yīng)。刪轎厚干刻蝕法可直接利用光阻作刻蝕之阻絕遮幕,不必另行成長阻絕遮幕之半導(dǎo)體材料。而其較重要的優(yōu)點,能兼顧邊緣側(cè)向侵蝕現(xiàn)象極微與高刻蝕率兩種優(yōu)點,甘肅Si材料刻蝕版廠家,換言之,本技術(shù)中所謂活性離子刻蝕已足敷頁堡局滲次微米線寬制程技術(shù)的要求,而正被大量使用。介質(zhì)刻蝕是用于介質(zhì)材料的刻蝕,甘肅Si材料刻蝕版廠家,如二氧化硅,氮化硅。甘肅Si材料刻蝕版廠家
濕法刻蝕是化學(xué)清洗方法中的一種,是化學(xué)清洗在半導(dǎo)體制造行業(yè)中的應(yīng)用,是用化學(xué)方法有選擇地從硅片表面去除不需要材料的過程。其基本目的是在涂膠的硅片上正確地復(fù)制掩膜圖形,有圖形的光刻膠層在刻蝕中不受到腐蝕源明顯的侵蝕,這層掩蔽膜用來在刻蝕中保護硅片上的特殊區(qū)域而選擇性地刻蝕掉未被光刻膠保護的區(qū)域。從半導(dǎo)體制造業(yè)一開始,濕法刻蝕就與硅片制造聯(lián)系在一起。雖然濕法刻蝕已經(jīng)逐步開始**法刻蝕所取代,但它在漂去氧化硅、去除殘留物、表層剝離以及大尺寸圖形刻蝕應(yīng)用等方面仍然起著重要的作用。與干法刻蝕相比,濕法刻蝕的好處在于對下層材料具有高的選擇比,對器件不會帶來等離子體損傷,并且設(shè)備簡單。吉林半導(dǎo)體材料刻蝕技術(shù)等離子刻蝕是將電磁能量(通常為射頻(RF))施加到含有化學(xué)反應(yīng)成分(如氟或氯)的氣體中實現(xiàn)。
鋁膜濕法刻蝕:對于鋁和鋁合金層有選擇性的刻蝕溶液是居于磷酸的。遺憾的是,鋁和磷酸反應(yīng)的副產(chǎn)物是微小的氫氣泡。這些氣泡附著在晶圓表面,并阻礙刻蝕反應(yīng)。結(jié)果既可能產(chǎn)生導(dǎo)致相鄰引線短路的鋁橋連,又可能在表面形成不希望出現(xiàn)的雪球的鋁點。特殊配方鋁刻蝕溶液的使用緩解了這個問題。典型的活性溶液成分配比是:16:1:1:2。除了特殊配方外,典型的鋁刻蝕工藝還會包含以攪拌或上下移動晶圓舟的攪動。有時超聲波或兆頻超聲波也用來去除氣泡。
等離子刻蝕的原理可以概括為以下幾個步驟:1、在低壓下,反應(yīng)氣體在射頻功率的激發(fā)下,產(chǎn)生電離并形成等離子體,等離子體是由帶電的電子和離子組成,反應(yīng)腔體中的氣體在電子的撞擊下,除了轉(zhuǎn)變成離子外,還能吸收能量并形成大量的活性基團(Radicals)2、活性反應(yīng)基團和被刻蝕物質(zhì)表面形成化學(xué)反應(yīng)并形成揮發(fā)性的反應(yīng)生成物3、反應(yīng)生成物脫離被刻蝕物質(zhì)表面,并被真空系統(tǒng)抽出腔體。在平行電極等離子體反應(yīng)腔體中,被刻蝕物是被置于面積較小的電極上,在這種情況,一個直流偏壓會在等離子體和該電極間形成,并使帶正電的反應(yīng)氣體離子加速撞擊被刻蝕物質(zhì)表面,這種離子轟擊可較大加快表面的化學(xué)反應(yīng),及反應(yīng)生成物的脫附,從而導(dǎo)致比較高的刻蝕速率,正是由于離子轟擊的存在才使得各向異性刻蝕得以實現(xiàn)。二氧化硅濕法刻蝕:較普通的刻蝕層是熱氧化形成的二氧化硅。
刻蝕是使用化學(xué)或者物理方法有選擇地從硅片表面去除不需要材料的過程,常用的設(shè)備為刻蝕機等。通常的晶圓加工流程中,刻蝕工藝位于光刻工藝之后,有圖形的光刻膠層在刻蝕中不會受到腐蝕源的明顯侵蝕,從而完成圖形轉(zhuǎn)移的工藝步驟。為在硅片表面材料上復(fù)制掩膜圖案,刻蝕需要滿足一定的參數(shù),主要有:刻蝕速率、刻蝕剖面、刻蝕偏差和選擇比等。刻蝕速率指刻蝕過程中去除硅片表面材料的速度;刻蝕剖面指的是刻蝕圖形的側(cè)壁形狀,通常分為各向同性和各向異性剖面;刻蝕偏差指的是線寬或關(guān)鍵尺寸間距的變化,通常由橫向鉆蝕引起;選擇比指的是同一刻蝕條件下兩種材料刻蝕速率比,高選擇比意味著不需要的材料會被刻除。有圖形刻蝕和無圖形刻蝕工藝條件能夠采用干法刻蝕或濕法腐蝕技術(shù)來實現(xiàn)。云南GaN材料刻蝕廠商
濕法刻蝕是指利用溶液與預(yù)刻蝕材料之間的化學(xué)反應(yīng)來去除未被掩蔽膜材料掩蔽的部分而達到刻蝕目的。甘肅Si材料刻蝕版廠家
理想情況下,晶圓所有點的刻蝕速率都一致(均勻)。晶圓不同點刻蝕速率不同的情況稱為非均勻性(或者稱為微負載),通常以百分比表示。減少非均勻性和微負載是刻蝕的重要目標。應(yīng)用材料公司一直以來不斷開發(fā)具有成本效益的創(chuàng)新解決方案,來應(yīng)對不斷變化的蝕刻難題。這些難題可能源自于器件尺寸的不斷縮??;所用材料的變化(例如高k薄膜或多孔較低k介電薄膜);器件架構(gòu)多樣化(例如FinFET和三維NAND晶體管);以及新的封裝方式(例如硅穿孔(TSV)技術(shù))。甘肅Si材料刻蝕版廠家
廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所主營品牌有芯辰實驗室,微納加工,發(fā)展規(guī)模團隊不斷壯大,該公司服務(wù)型的公司。公司是一家****企業(yè),以誠信務(wù)實的創(chuàng)業(yè)精神、專業(yè)的管理團隊、踏實的職工隊伍,努力為廣大用戶提供***的產(chǎn)品。以滿足顧客要求為己任;以顧客永遠滿意為標準;以保持行業(yè)優(yōu)先為目標,提供***的微納加工技術(shù)服務(wù),真空鍍膜技術(shù)服務(wù),紫外光刻技術(shù)服務(wù),材料刻蝕技術(shù)服務(wù)。廣東省半導(dǎo)體所以創(chuàng)造***產(chǎn)品及服務(wù)的理念,打造高指標的服務(wù),引導(dǎo)行業(yè)的發(fā)展。
文章來源地址: http://www.cdcfah.com/cp/2516914.html
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