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產品關鍵詞:江西等離子體增強氣相沉積真空鍍膜廠家,真空鍍膜
***更新:2020-12-24 03:19:32
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真空鍍膜的物理過程:PVD(物理的氣相沉積技術)的基本原理可分為三個工藝步驟:(1)金屬顆粒的氣化:即鍍料的蒸發(fā)、升華或被濺射從而形成氣化源(2)鍍料粒子((原子、分子或離子)的遷移:由氣化源供出原子、分子或離子經過碰撞,江西等離子體增強氣相沉積真空鍍膜廠家,產生多種反應。(3)鍍料粒子在基片表面的沉積。磁控濺射主要利用輝光放電(glowdischarge)將氬氣(Ar)離子撞擊靶材(target)表面,靶材的原子被彈出而堆積在基板表面形成薄膜,江西等離子體增強氣相沉積真空鍍膜廠家。濺鍍薄膜的性質、均勻度都比蒸鍍薄膜來的好,但是鍍膜速度卻比蒸鍍慢比較多,江西等離子體增強氣相沉積真空鍍膜廠家。新型的濺鍍設備幾乎都使用強力磁鐵將電子成螺旋狀運動以加速靶材周圍的氬氣離子化,造成靶與氬氣離子間的撞擊機率增加,提高濺鍍速率。PECVD生長氧化硅薄膜是一個比較復雜的過程。江西等離子體增強氣相沉積真空鍍膜廠家
PECVD生長氧化硅薄膜是一個比較復雜的過程,薄膜的沉積速率主要受到反應氣體比例、RF功率、反應室壓力、基片生長溫度等。在一定范圍內,提高硅烷與笑氣的比例,可提供氧化硅的沉積速率。在RF功率較低的時候,提升RF功率可提升薄膜的沉積速率,當RF增加到一定值后,沉積速率隨RF增大而減少,然后趨于飽和。在一定的氣體總量條件下,沉積速率隨腔體壓力增大而增大。PECVD在低溫范圍內(200-350℃),沉積速率會隨著基片溫度的升高而略微下降,但不是太明顯。安徽共濺射真空鍍膜代工利用PECVD生長的氮化硅薄膜均勻性和重復性好,可大面積成膜。
磁控濺射的優(yōu)勢在于可根據靶材的性質來選擇使用不同的靶qiang進行濺射,靶qiang分為射頻靶(RF)、直流靶(DC)、直流脈沖靶(DC Pluse)。其中射頻靶主要用于導電性較差的氧化物、陶瓷等介質膜的濺射,也可以進行常規(guī)金屬材料濺射。直流靶只能用于導電性較好的金屬材料,而直流脈沖靶介于二者之間,可濺射硅、鍺等半導體材料。利用PECVD生長的氮化硅薄膜具有以下優(yōu)點:1.均勻性和重復性好,可大面積成膜2.可在低溫下成膜3.臺階覆蓋性比較好 4.薄膜成分和厚度容易控制 5.應用范圍廣,設備簡單,易于產業(yè)化。
電子束蒸發(fā):將蒸發(fā)材料置于水冷坩堝中,利用電子束直接加熱使蒸發(fā)材料汽化并在襯底上凝結形成薄膜,是蒸度高熔點薄膜和高純薄膜的一種主要加熱方法。為了獲得性能良好的半導體電極Al膜,我們通過優(yōu)化工藝參數,制備了一系列性能優(yōu)越的Al薄膜。通過理論計算和性能測試,分析比較了電子束蒸發(fā)與磁控濺射兩種方法制備Al膜的特點??紤]Al膜的致密性就相當于考慮Al膜的晶粒的大小,密度以及能達到均勻化的程度,因為它也直接影響Al膜的其它性能,進而影響半導體嘩啦的性能。氣相沉積的多晶Al膜的晶粒尺寸隨著沉積過程中吸附原子或原子團在基片表面遷移率的增加而增加。由此可以看出Al膜的晶粒尺寸的大小將取決環(huán)于基片溫度、沉積速度、氣相原子在平行基片方面的速度分量、基片表面光潔度和化學活性等因素。薄膜中存在的各種缺陷是產生本征應力的主要原因,這些缺陷一般都是非平衡缺陷,有自行消失的傾向。
PECVD,等離子體化學氣相沉積法是借助微波或射頻等使含有薄膜組成原子的氣體電離,使局部形成等離子體,而等離子體化學活性很強,兩種或多種氣體很容易發(fā)生反應,在襯底上沉積出所期待的薄膜。為了使化學反應能在較低的溫度下進行,利用了等離子體的活性來促進反應,因此,這種CVD稱為等離子體增強化學氣相沉積。真空鍍膜的工藝流程:真空鍍膜的工藝流程一般依次為:前處理及化學清洗(材料進行有機清洗和無機清洗)→襯底真空中烘烤加熱→等離子體清洗→金屬離子轟擊→鍍金屬過渡層→鍍膜(通入反應氣體)。磁控濺射主要利用輝光放電將氬氣離子撞擊靶材表面,靶材的原子被彈出而堆積在基板表面形成薄膜。安徽共濺射真空鍍膜代工
PECVD當中沉積速率的快慢也會影響到薄膜的質量。江西等離子體增強氣相沉積真空鍍膜廠家
磁控濺射主要利用輝光放電(glowdischarge)將氬氣(Ar)離子撞擊靶材(target)表面,靶材的原子被彈出而堆積在基板表面形成薄膜。濺鍍薄膜的性質、均勻度都比蒸鍍薄膜來的好,但是鍍膜速度卻比蒸鍍慢比較多。新型的濺鍍設備幾乎都使用強力磁鐵將電子成螺旋狀運動以加速靶材周圍的氬氣離子化,造成靶與氬氣離子間的撞擊機率增加,提高濺鍍速率。真空鍍膜的物理過程:PVD(物理的氣相沉積技術)的基本原理可分為三個工藝步驟:(1)金屬顆粒的氣化:即鍍料的蒸發(fā)、升華或被濺射從而形成氣化源(2)鍍料粒子((原子、分子或離子)的遷移:由氣化源供出原子、分子或離子經過碰撞,產生多種反應。(3)鍍料粒子在基片表面的沉積。江西等離子體增強氣相沉積真空鍍膜廠家
廣東省科學院半導體研究所是一家面向半導體光電子器件、功率電子器件、MEMS、生物芯片等前沿領域,致力于打造***的公益性、開放性、支撐性樞紐中心。平臺擁有半導體制備工藝所需的整套儀器設備,建立了一條實驗室研發(fā)線和一條中試線,加工尺寸覆蓋2-6英寸(部分8英寸),同時形成了一支與硬件有機結合的專業(yè)人才隊伍。平臺當前緊抓技術創(chuàng)新和公共服務,面向國內外高校、科研院所以及企業(yè)提供開放共享,為技術咨詢、創(chuàng)新研發(fā)、技術驗證以及產品中試提供支持。的公司,是一家集研發(fā)、設計、生產和銷售為一體的專業(yè)化公司。廣東省半導體所作為面向半導體光電子器件、功率電子器件、MEMS、生物芯片等前沿領域,致力于打造***的公益性、開放性、支撐性樞紐中心。平臺擁有半導體制備工藝所需的整套儀器設備,建立了一條實驗室研發(fā)線和一條中試線,加工尺寸覆蓋2-6英寸(部分8英寸),同時形成了一支與硬件有機結合的專業(yè)人才隊伍。平臺當前緊抓技術創(chuàng)新和公共服務,面向國內外高校、科研院所以及企業(yè)提供開放共享,為技術咨詢、創(chuàng)新研發(fā)、技術驗證以及產品中試提供支持。的企業(yè)之一,為客戶提供良好的微納加工技術服務,真空鍍膜技術服務,紫外光刻技術服務,材料刻蝕技術服務。廣東省半導體所致力于把技術上的創(chuàng)新展現成對用戶產品上的貼心,為用戶帶來良好體驗。廣東省半導體所始終關注電子元器件行業(yè)。滿足市場需求,提高產品價值,是我們前行的力量。
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