需求數(shù)量:0
價(jià)格要求:面議
所在地:廣東省
包裝要求:
產(chǎn)品關(guān)鍵詞:廣東低壓氣相沉積真空鍍膜服務(wù)價(jià)格,真空鍍膜
***更新:2020-12-24 06:21:03
瀏覽次數(shù):7次
聯(lián)系我們
當(dāng)前位置:首頁(yè)?產(chǎn)品供應(yīng)?電子元器件?電子材料、零部件、結(jié)構(gòu)件?半導(dǎo)體材料?廣東低壓氣相沉積真空鍍膜服務(wù)價(jià)格 廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所供應(yīng)
需求數(shù)量:0
價(jià)格要求:面議
所在地:廣東省
包裝要求:
產(chǎn)品關(guān)鍵詞:廣東低壓氣相沉積真空鍍膜服務(wù)價(jià)格,真空鍍膜
***更新:2020-12-24 06:21:03
瀏覽次數(shù):7次
聯(lián)系我們聯(lián)系人:曾昭燴
郵箱: 512480780@qq.com
電話(huà): 15018420573
傳真: 020_
網(wǎng)址: http://www.gdssli.com
手機(jī): 020-61086422
地址: 長(zhǎng)興路363號(hào)
[當(dāng)前離線(xiàn)] [加為商友] [發(fā)送信件]
詳細(xì)說(shuō)明
影響靶中毒的因素主要是反應(yīng)氣體和濺射氣體的比例,反應(yīng)氣體過(guò)量就會(huì)導(dǎo)致靶中毒。反應(yīng)濺射工藝進(jìn)行過(guò)程中靶表面濺射區(qū)域內(nèi)出現(xiàn)被反應(yīng)生成物覆蓋或反應(yīng)生成物被剝離而重新暴露金屬表面此消彼長(zhǎng)的過(guò)程。如果化合物的生成速率大于化合物被剝離的速率,化合物覆蓋面積增加。在一定功率的情況下,參與化合物生成的反應(yīng)氣體量增加,化合物生成率增加。如果反應(yīng)氣體量增加過(guò)度,化合物覆蓋面積增加,如果不能及時(shí)調(diào)整反應(yīng)氣體流量,化合物覆蓋面積增加的速率得不到防止,廣東低壓氣相沉積真空鍍膜服務(wù)價(jià)格,廣東低壓氣相沉積真空鍍膜服務(wù)價(jià)格,濺射溝道將進(jìn)一步被化合物覆蓋,當(dāng)濺射靶被化合物全部覆蓋的時(shí)候,廣東低壓氣相沉積真空鍍膜服務(wù)價(jià)格,靶完全中毒,不能繼續(xù)濺射電子束蒸發(fā):將蒸發(fā)材料置于水冷坩堝中,利用電子束直接加熱使蒸發(fā)材料汽化并在襯底上凝結(jié)形成薄膜。廣東低壓氣相沉積真空鍍膜服務(wù)價(jià)格
PECVD生長(zhǎng)氧化硅薄膜是一個(gè)比較復(fù)雜的過(guò)程,薄膜的沉積速率主要受到反應(yīng)氣體比例、RF功率、反應(yīng)室壓力、基片生長(zhǎng)溫度等。在一定范圍內(nèi),提高硅烷與笑氣的比例,可提供氧化硅的沉積速率。在RF功率較低的時(shí)候,提升RF功率可提升薄膜的沉積速率,當(dāng)RF增加到一定值后,沉積速率隨RF增大而減少,然后趨于飽和。在一定的氣體總量條件下,沉積速率隨腔體壓力增大而增大。PECVD在低溫范圍內(nèi)(200-350℃),沉積速率會(huì)隨著基片溫度的升高而略微下降,但不是太明顯。廣州等離子體增強(qiáng)氣相沉積真空鍍膜廠家PECVD主要由工藝管及加熱爐、推舟系統(tǒng)、氣路系統(tǒng)、電氣系統(tǒng)、計(jì)算機(jī)系統(tǒng)、真空系統(tǒng)6大部分組成。
PECVD一般用到的氣體有硅烷、笑氣、氨氣等其他。這些氣體通過(guò)氣管進(jìn)入在反應(yīng)腔體,在射頻源的左右下,氣體被電離成活性基團(tuán)?;钚曰鶊F(tuán)進(jìn)行化學(xué)反應(yīng),在低溫(300攝氏度左右)生長(zhǎng)氧化硅或者氮化硅。氧化硅和氮化硅可用于半導(dǎo)體器件的絕緣層,可有效的進(jìn)行絕緣。PECVD系統(tǒng)的氣源幾乎都是由氣體鋼瓶供氣,這些鋼瓶被放置在有許多安全保護(hù)裝置的氣柜中,通過(guò)氣柜上的控制面板、管道輸送到PECVD的工藝腔體中。在淀積時(shí),反應(yīng)氣體的多少會(huì)影響淀積的速率及其均勻性等,因此需要嚴(yán)格控制氣體流量,通常采用質(zhì)量流量計(jì)來(lái)實(shí)現(xiàn)精確控制。
磁控濺射方向性要優(yōu)于電子束蒸發(fā),但薄膜質(zhì)量,表面粗糙度等方面不如電子束蒸發(fā)。但磁控濺射可用于多種材料,適用性普遍,電子束蒸發(fā)則只能用于金屬材料蒸鍍,且高熔點(diǎn)金屬,如W,Mo等的蒸鍍較為困難。所以磁控濺射常用于新型氧化物,陶瓷材料的鍍膜,電子束則用于對(duì)薄膜質(zhì)量較高的金屬材料。LPCVD工藝在襯底表面淀積一層均勻的介質(zhì)薄膜,在微納加工當(dāng)中用于結(jié)構(gòu)層材料、xi牲層、絕緣層、掩模材料,LPCVD工藝淀積的材料有多晶硅、氮化硅、磷硅玻璃。不同的材料淀積采用不同的氣體。降低PVD制備薄膜的應(yīng)力,可以提高襯底溫度。
在薄膜生長(zhǎng)過(guò)程中,各種副產(chǎn)物從膜的表面逐漸脫離,在真空泵的作用下從出口排出?;瘜W(xué)氣相沉積法(CVD)是一種利用化學(xué)反應(yīng)的方式,將反應(yīng)氣體生成固態(tài)的產(chǎn)物,并沉積在基片表面的薄膜沉積技術(shù)。主要有常壓CVD、LPCVD(低壓氣相沉積法)、PECVD(等離子體增強(qiáng)氣相沉積法)等方法。PECVD反應(yīng)過(guò)程中,反應(yīng)氣體從進(jìn)氣口進(jìn)入爐腔,逐漸擴(kuò)散至襯底表面,在射頻源激發(fā)的電場(chǎng)作用下,反應(yīng)氣體分解成電子、離子和活性基團(tuán)等。分解物發(fā)生化學(xué)反應(yīng),生成形成膜的初始成分和副反應(yīng)物,這些生成物以化學(xué)鍵的形式吸附到樣品表面,生成固態(tài)膜的晶核,晶核逐漸生長(zhǎng)成島狀物,島狀物繼續(xù)生長(zhǎng)成連續(xù)的薄膜。蒸發(fā)速率正比于材料的飽和蒸氣壓,溫度變化10%左右,飽和蒸氣壓就要變化一個(gè)數(shù)量級(jí)左右。廣東低壓氣相沉積真空鍍膜服務(wù)價(jià)格
化學(xué)氣相沉積技術(shù)是借助氣相作用或基體表面上的化學(xué)反應(yīng),在基體上制出金屬或化合物薄膜的方法。廣東低壓氣相沉積真空鍍膜服務(wù)價(jià)格
電子束蒸發(fā):將蒸發(fā)材料置于水冷坩堝中,利用電子束直接加熱使蒸發(fā)材料汽化并在襯底上凝結(jié)形成薄膜,是蒸度高熔點(diǎn)薄膜和高純薄膜的一種主要加熱方法。真空鍍膜技術(shù)一般分為兩大類(lèi),即物理的氣相沉積技術(shù)和化學(xué)氣相沉積技術(shù)。物理的氣相沉積技術(shù)是指在真空條件下,利用各種物理方法,將鍍料氣化成原子、分子或使其離化為離子,直接沉積到基體表面上的方法。制備硬質(zhì)反應(yīng)膜大多以物理的氣相沉積方法制得,它利用某種物理過(guò)程,如物質(zhì)的熱蒸發(fā),或受到離子轟擊時(shí)物質(zhì)表面原子的濺射等現(xiàn)象,實(shí)現(xiàn)物質(zhì)原子從源物質(zhì)到薄膜的可控轉(zhuǎn)移過(guò)程。廣東低壓氣相沉積真空鍍膜服務(wù)價(jià)格
廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所致力于電子元器件,以科技創(chuàng)新實(shí)現(xiàn)***管理的追求。廣東省半導(dǎo)體所擁有一支經(jīng)驗(yàn)豐富、技術(shù)創(chuàng)新的專(zhuān)業(yè)研發(fā)團(tuán)隊(duì),以高度的專(zhuān)注和執(zhí)著為客戶(hù)提供微納加工技術(shù)服務(wù),真空鍍膜技術(shù)服務(wù),紫外光刻技術(shù)服務(wù),材料刻蝕技術(shù)服務(wù)。廣東省半導(dǎo)體所繼續(xù)堅(jiān)定不移地走高質(zhì)量發(fā)展道路,既要實(shí)現(xiàn)基本面穩(wěn)定增長(zhǎng),又要聚焦關(guān)鍵領(lǐng)域,實(shí)現(xiàn)轉(zhuǎn)型再突破。廣東省半導(dǎo)體所創(chuàng)始人陳志濤,始終關(guān)注客戶(hù),創(chuàng)新科技,竭誠(chéng)為客戶(hù)提供良好的服務(wù)。
文章來(lái)源地址: http://www.cdcfah.com/cp/2540660.html
本企業(yè)其它產(chǎn)品 更多>>
珠海感應(yīng)耦合等離子刻蝕材料刻蝕 廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所供應(yīng)
遼寧氧化硅材料刻蝕 廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所供應(yīng)
云南EB真空鍍膜 廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所供應(yīng)
吉林真空鍍膜代工 廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所供應(yīng)
重慶MEMS光刻 廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所供應(yīng)
磁控濺射真空鍍膜廠商 廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所供應(yīng)
山東光刻服務(wù)價(jià)格 廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所供應(yīng)
山東微納加工平臺(tái) 廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所供應(yīng)
同類(lèi)產(chǎn)品推薦 更多>>
上海硅材料刻蝕公司 廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所供應(yīng)
中山功率器件微納加工廠 廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所供應(yīng)
重慶MEMS光刻 廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所供應(yīng)
深圳光電器件真空鍍膜加工 廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所供應(yīng)
黑龍江真空鍍膜微納加工廠 廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所供應(yīng)
河南MEMS材料刻蝕加工 廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所供應(yīng)
深圳氮化硅材料刻蝕價(jià)錢(qián) 廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所供應(yīng)
山東微納加工平臺(tái) 廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所供應(yīng)