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刻蝕較簡(jiǎn)單較常用分類是:干法刻蝕和濕法刻蝕。顯而易見(jiàn),它們的區(qū)別就在于濕法使用溶劑或溶液來(lái)進(jìn)行刻蝕。濕法刻蝕是一個(gè)純粹的化學(xué)反應(yīng)過(guò)程,是指利用溶液與預(yù)刻蝕材料之間的化學(xué)反應(yīng)來(lái)去除未被掩蔽膜材料掩蔽的部分而達(dá)到刻蝕目的。其特點(diǎn)是:濕法刻蝕在半導(dǎo)體工藝中有著普遍應(yīng)用:磨片、拋光、清洗、腐蝕。優(yōu)點(diǎn)是選擇性好、重復(fù)性好、生產(chǎn)效率高、設(shè)備簡(jiǎn)單,廣州氮化硅材料刻蝕加工廠、成本低。干法刻蝕種類比較多,包括光揮發(fā)、氣相腐蝕、等離子體腐蝕等,廣州氮化硅材料刻蝕加工廠。按照被刻蝕的材料類型來(lái)劃分,干法刻蝕主要分成三種:金屬刻蝕,廣州氮化硅材料刻蝕加工廠、介質(zhì)刻蝕和硅刻蝕。等離子體刻蝕機(jī)要求相同的元素:化學(xué)刻蝕劑和能量源。廣州氮化硅材料刻蝕加工廠
干法刻蝕是芯片制造領(lǐng)域較主要的表面材料去除方法,擁有更好的剖面控制。干刻蝕法按作用機(jī)理分為:物理刻蝕、化學(xué)刻蝕和物理化學(xué)綜合作用刻蝕。物理和化學(xué)綜合作用機(jī)理中,離子轟擊的物理過(guò)程可以通過(guò)濺射去除表面材料,具有比較強(qiáng)的方向性。離子轟擊可以改善化學(xué)刻蝕作用,使反應(yīng)元素與硅表面物質(zhì)反應(yīng)效率更高。綜合型干刻蝕法綜合離子濺射與表面反應(yīng)的優(yōu)點(diǎn),使刻蝕具有較好的選擇比和線寬控制。在集成電路制造過(guò)程中需要多種類型的干法刻蝕工藝,應(yīng)用涉及硅片上各種材料。被刻蝕材料主要包括介質(zhì)、硅和金屬等,通過(guò)與光刻、沉積等工藝多次配合可以形成完整的底層電路、柵極、絕緣層以及金屬通路等。廣州氮化硅材料刻蝕加工廠氮化硅濕法刻蝕:對(duì)于鈍化層,另外一種受青睞的化合物是氮化硅。
反應(yīng)離子刻蝕:這種刻蝕過(guò)程同時(shí)兼有物理和化學(xué)兩種作用。輝光放電在零點(diǎn)幾到幾十帕的低真空下進(jìn)行。硅片處于陰極電位,放電時(shí)的電位大部分降落在陰極附近。大量帶電粒子受垂直于硅片表面的電場(chǎng)加速,垂直入射到硅片表面上,以較大的動(dòng)量進(jìn)行物理刻蝕,同時(shí)它們還與薄膜表面發(fā)生強(qiáng)烈的化學(xué)反應(yīng),產(chǎn)生化學(xué)刻蝕作用。選擇合適的氣體組分,不僅可以獲得理想的刻蝕選擇性和速度,還可以使活性基團(tuán)的壽命短,這就有效地阻止了因這些基團(tuán)在薄膜表面附近的擴(kuò)散所能造成的側(cè)向反應(yīng),較大提高了刻蝕的各向異性特性。反應(yīng)離子刻蝕是超大規(guī)模集成電路工藝中比較有發(fā)展前景的一種刻蝕方法。
二氧化硅濕法刻蝕:較普通的刻蝕層是熱氧化形成的二氧化硅?;镜目涛g劑是氫氟酸,它有刻蝕二氧化硅而不傷及硅的優(yōu)點(diǎn)。然而,飽和濃度的氫氟酸在室溫下的刻蝕速率約為300A/s。這個(gè)速率對(duì)于一個(gè)要求控制的工藝來(lái)說(shuō)太快了。在實(shí)際中,氫氟酸與水或氟化銨及水混合。以氟化銨來(lái)緩沖加速刻蝕速率的氫離子的產(chǎn)生。這種刻蝕溶液稱為緩沖氧化物刻蝕或BOE。針對(duì)特定的氧化層厚度,他們以不同的濃度混合來(lái)達(dá)到合理的刻蝕時(shí)間。一些BOE公式包括一個(gè)濕化劑用以減小刻蝕表面的張力,以使其均勻地進(jìn)入更小的開(kāi)孔區(qū)。有圖形刻蝕可用來(lái)在硅片上制作多種不同的特征圖形,包括柵、金屬互連線、通孔、接觸孔和溝槽。
刻蝕是使用化學(xué)或者物理方法有選擇地從硅片表面去除不需要材料的過(guò)程,常用的設(shè)備為刻蝕機(jī)等。通常的晶圓加工流程中,刻蝕工藝位于光刻工藝之后,有圖形的光刻膠層在刻蝕中不會(huì)受到腐蝕源的明顯侵蝕,從而完成圖形轉(zhuǎn)移的工藝步驟。為在硅片表面材料上復(fù)制掩膜圖案,刻蝕需要滿足一定的參數(shù),主要有:刻蝕速率、刻蝕剖面、刻蝕偏差和選擇比等??涛g速率指刻蝕過(guò)程中去除硅片表面材料的速度;刻蝕剖面指的是刻蝕圖形的側(cè)壁形狀,通常分為各向同性和各向異性剖面;刻蝕偏差指的是線寬或關(guān)鍵尺寸間距的變化,通常由橫向鉆蝕引起;選擇比指的是同一刻蝕條件下兩種材料刻蝕速率比,高選擇比意味著不需要的材料會(huì)被刻除。干法刻蝕優(yōu)點(diǎn)是:細(xì)線條操作安全,易實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化,無(wú)化學(xué)廢液,處理過(guò)程未引入污染,潔凈度高。浙江氮化硅材料刻蝕多少錢(qián)
介質(zhì)刻蝕是用于介質(zhì)材料的刻蝕,如二氧化硅,氮化硅。廣州氮化硅材料刻蝕加工廠
典型的硅刻蝕是用含氮的物質(zhì)與氫氟酸的混合水溶液。這一配比規(guī)則在控制刻蝕中成為一個(gè)重要的因素。在一些比率上,刻蝕硅會(huì)有放熱反應(yīng)。加熱反應(yīng)所產(chǎn)生的熱可加速刻蝕反應(yīng),接下來(lái)又產(chǎn)生更多的熱,這樣進(jìn)行下去會(huì)導(dǎo)致工藝無(wú)法控制。有時(shí)醋酸和其他成分被混合進(jìn)來(lái)控制加熱反應(yīng)。一些器件要求在晶圓上刻蝕出槽或溝??涛g配方要進(jìn)行調(diào)整以使刻蝕速率依靠晶圓的取向。取向的晶圓以45°角刻蝕,取向的晶圓以“平”底刻蝕。其他取向的晶圓可以得到不同形狀的溝槽。多晶硅刻蝕也可用基本相同的規(guī)則。廣州氮化硅材料刻蝕加工廠
廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所是一家服務(wù)型類企業(yè),積極探索行業(yè)發(fā)展,努力實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品創(chuàng)新。公司是一家****企業(yè),以誠(chéng)信務(wù)實(shí)的創(chuàng)業(yè)精神、專業(yè)的管理團(tuán)隊(duì)、踏實(shí)的職工隊(duì)伍,努力為廣大用戶提供***的產(chǎn)品。以滿足顧客要求為己任;以顧客永遠(yuǎn)滿意為標(biāo)準(zhǔn);以保持行業(yè)優(yōu)先為目標(biāo),提供***的微納加工技術(shù)服務(wù),真空鍍膜技術(shù)服務(wù),紫外光刻技術(shù)服務(wù),材料刻蝕技術(shù)服務(wù)。廣東省半導(dǎo)體所順應(yīng)時(shí)代發(fā)展和市場(chǎng)需求,通過(guò)**技術(shù),力圖保證高規(guī)格高質(zhì)量的微納加工技術(shù)服務(wù),真空鍍膜技術(shù)服務(wù),紫外光刻技術(shù)服務(wù),材料刻蝕技術(shù)服務(wù)。
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