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產(chǎn)品關(guān)鍵詞:云南金屬真空鍍膜平臺(tái),真空鍍膜
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磁控濺射一般金屬鍍膜大都采用直流濺鍍,而不導(dǎo)電的陶磁材料則使用RF交流濺鍍,基本的原理是在真空中利用輝光放電(glowdischarge)將氬氣(Ar)離子撞擊靶材(target)表面,電漿中的陽(yáng)離子會(huì)加速?zèng)_向作為被濺鍍材的負(fù)電極表面,這個(gè)沖擊將使靶材的物質(zhì)飛出而沉積在基板上形成薄膜,云南金屬真空鍍膜平臺(tái)。PECVD等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積,云南金屬真空鍍膜平臺(tái),等離子體是物質(zhì)分子熱運(yùn)動(dòng)加劇,相互間的碰撞會(huì)導(dǎo)致氣體分子產(chǎn)生電離,云南金屬真空鍍膜平臺(tái),物質(zhì)就會(huì)變成自由運(yùn)動(dòng)并由相互作用的正離子、電子和中性粒子組成的混合物。利用PECVD生長(zhǎng)的氮化硅薄膜可在低溫下成膜。云南金屬真空鍍膜平臺(tái)
常用的薄膜制備方式主要有兩種,其中一種是物理的氣相沉積(PVD),PVD的方法有磁控濺射鍍膜、電子束蒸發(fā)鍍膜、熱阻蒸發(fā)等。另一種是化學(xué)氣相沉積法(CVD),主要有常壓CVD、LPCVD(低壓氣相沉積法)、PECVD(等離子體增強(qiáng)氣相沉積法)等方法。解決靶中毒主要有以下幾種方法;1.使用射頻電源進(jìn)行濺射;2.采用閉環(huán)控制反應(yīng)氣體通入流量;3.使用孿生靶交替濺射;4.控制鍍膜模式的變換:在鍍膜前,采集靶中毒的遲滯效應(yīng)曲線,使進(jìn)氣流量控制在產(chǎn)生靶中毒的前沿,確保工藝過(guò)程始終處于沉積速率陡降前的模式。山西反射濺射真空鍍膜技術(shù)磁控濺射一般金屬鍍膜大都采用直流濺鍍,而不導(dǎo)電的陶磁材料則使用RF交流濺鍍。
熱氧化與化學(xué)氣相沉積不同,她是通過(guò)氧氣或水蒸氣擴(kuò)散到硅表面并進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)形成氧化硅。熱氧化形成氧化硅時(shí),會(huì)消耗相當(dāng)于氧化硅膜厚的45%的硅。熱氧化氧化過(guò)程主要分兩個(gè)步驟:步驟一:氧氣或者水蒸氣等吸附到氧化硅表面,步驟二:氧氣或者水蒸氣等擴(kuò)散到硅表面,步驟三:氧氣或者水蒸氣等與硅反應(yīng)生成氧化硅。熱蒸發(fā)主要是三個(gè)過(guò)程:1.蒸發(fā)材料從固態(tài)轉(zhuǎn)化為氣態(tài)的過(guò)程。2.氣化原子或分子在蒸發(fā)源與基底之間的運(yùn)輸 3.蒸發(fā)原子或分子在襯底表面上淀積過(guò)程,即是蒸汽凝聚、成核、核生長(zhǎng)、形成連續(xù)薄膜的過(guò)程。
PECVD一般用到的氣體有硅烷、笑氣、氨氣等其他。這些氣體通過(guò)氣管進(jìn)入在反應(yīng)腔體,在射頻源的左右下,氣體被電離成活性基團(tuán)。活性基團(tuán)進(jìn)行化學(xué)反應(yīng),在低溫(300攝氏度左右)生長(zhǎng)氧化硅或者氮化硅。氧化硅和氮化硅可用于半導(dǎo)體器件的絕緣層,可有效的進(jìn)行絕緣。PECVD系統(tǒng)的氣源幾乎都是由氣體鋼瓶供氣,這些鋼瓶被放置在有許多安全保護(hù)裝置的氣柜中,通過(guò)氣柜上的控制面板、管道輸送到PECVD的工藝腔體中。在淀積時(shí),反應(yīng)氣體的多少會(huì)影響淀積的速率及其均勻性等,因此需要嚴(yán)格控制氣體流量,通常采用質(zhì)量流量計(jì)來(lái)實(shí)現(xiàn)精確控制。磁控濺射方向性要優(yōu)于電子束蒸發(fā),但薄膜質(zhì)量,表面粗糙度等方面不如電子束蒸發(fā)。
在等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)工藝中,由等離子體輔助化學(xué)反應(yīng)過(guò)程。在等離子體輔助下,200 到500°C的工藝溫度足以實(shí)現(xiàn)成品膜層的制備,因此該技術(shù)降低了基材的溫度負(fù)荷。等離子可在接近基片的周圍被激發(fā)(近程等離子法)。而對(duì)于半導(dǎo)體硅片等敏感型基材,輻射和離子轟擊可能損壞基材。另一方面,在遠(yuǎn)程等離子法中,等離子體與基材間設(shè)有空間隔斷。隔斷不僅能夠保護(hù)基材,也允許激發(fā)混合工藝氣體的特定成分。然而,為保證化學(xué)反應(yīng)在被活動(dòng)的粒子真正抵達(dá)基材表面時(shí)才開(kāi)始進(jìn)行,需精心設(shè)計(jì)工藝過(guò)程。熱氧化與化學(xué)氣相沉積不同,它是通過(guò)氧氣或水蒸氣擴(kuò)散到硅表面并進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)形成氧化硅。云南金屬真空鍍膜平臺(tái)
在蒸發(fā)溫度以上進(jìn)行蒸發(fā)試,蒸發(fā)源溫度的微小變化即可引起蒸發(fā)速率發(fā)生很大變化。云南金屬真空鍍膜平臺(tái)
真空鍍膜技術(shù)一般分為兩大類,即物理的氣相沉積技術(shù)和化學(xué)氣相沉積技術(shù)。物理的氣相沉積技術(shù)是指在真空條件下,利用各種物理方法,將鍍料氣化成原子、分子或使其離化為離子,直接沉積到基體表面上的方法。制備硬質(zhì)反應(yīng)膜大多以物理的氣相沉積方法制得,它利用某種物理過(guò)程,如物質(zhì)的熱蒸發(fā),或受到離子轟擊時(shí)物質(zhì)表面原子的濺射等現(xiàn)象,實(shí)現(xiàn)物質(zhì)原子從源物質(zhì)到薄膜的可控轉(zhuǎn)移過(guò)程。電子束蒸發(fā):將蒸發(fā)材料置于水冷坩堝中,利用電子束直接加熱使蒸發(fā)材料汽化并在襯底上凝結(jié)形成薄膜,是蒸度高熔點(diǎn)薄膜和高純薄膜的一種主要加熱方法。云南金屬真空鍍膜平臺(tái)
廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所是一家面向半導(dǎo)體光電子器件、功率電子器件、MEMS、生物芯片等前沿領(lǐng)域,致力于打造***的公益性、開(kāi)放性、支撐性樞紐中心。平臺(tái)擁有半導(dǎo)體制備工藝所需的整套儀器設(shè)備,建立了一條實(shí)驗(yàn)室研發(fā)線和一條中試線,加工尺寸覆蓋2-6英寸(部分8英寸),同時(shí)形成了一支與硬件有機(jī)結(jié)合的專業(yè)人才隊(duì)伍。平臺(tái)當(dāng)前緊抓技術(shù)創(chuàng)新和公共服務(wù),面向國(guó)內(nèi)外高校、科研院所以及企業(yè)提供開(kāi)放共享,為技術(shù)咨詢、創(chuàng)新研發(fā)、技術(shù)驗(yàn)證以及產(chǎn)品中試提供支持。的公司,致力于發(fā)展為創(chuàng)新務(wù)實(shí)、誠(chéng)實(shí)可信的企業(yè)。廣東省半導(dǎo)體所深耕行業(yè)多年,始終以客戶的需求為向?qū)?,為客戶提?**的微納加工技術(shù)服務(wù),真空鍍膜技術(shù)服務(wù),紫外光刻技術(shù)服務(wù),材料刻蝕技術(shù)服務(wù)。廣東省半導(dǎo)體所始終以本分踏實(shí)的精神和必勝的信念,影響并帶動(dòng)團(tuán)隊(duì)取得成功。廣東省半導(dǎo)體所始終關(guān)注自身,在風(fēng)云變化的時(shí)代,對(duì)自身的建設(shè)毫不懈怠,高度的專注與執(zhí)著使廣東省半導(dǎo)體所在行業(yè)的從容而自信。
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