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氮化硅的干法刻蝕S13N4在半導(dǎo)體工藝中主要用在兩個地方。1、用做器件區(qū)的防止氧化保護層(厚約lOOnm)。2、作為器件的鈍化保護層。在這兩個地方刻蝕的圖形尺寸都比較大,非等向的刻蝕就不那么重要了。刻蝕Si3N4時下方通常是厚約25nm的Si02,為了避免對Si02層的刻蝕,Si3N4與S102之間必須有一定的刻蝕選擇比。S13N4的刻蝕基本上與Si02和Si類似,常用CF4+0等離子體來刻蝕。但是Si-N鍵強度介于Si-Si與Si-0之間,因此使Si3N4對Si或Si02的刻蝕選擇比均不好,河南MEMS材料刻蝕加工廠商。在CF4的等離子體中,Si對Si3N4的選擇比約為8,而Si3N4對Si02的選擇比只有2—3,在這么低的刻蝕選擇比下,刻蝕時間的控制就變得非常重要。除了CF4外,河南MEMS材料刻蝕加工廠商,也有人改用蘭氟化氮(NF3)的等離子體來刻蝕Si3N4,河南MEMS材料刻蝕加工廠商,雖然刻蝕速率較慢,但可獲得可以接受的Si3N4/Si02的刻蝕選擇比。濕法刻蝕特點是:濕法刻蝕在半導(dǎo)體工藝中有著普遍應(yīng)用:磨片、拋光、清洗、腐蝕。河南MEMS材料刻蝕加工廠商
刻蝕,英文為Etch,它是半導(dǎo)體制造工藝,微電子IC制造工藝以及微納制造工藝中的一種相當(dāng)重要的步驟。是與光刻相聯(lián)系的圖形化(pattern)處理的一種主要工藝。所謂刻蝕,實際上狹義理解就是光刻腐蝕,先通過光刻將光刻膠進行光刻曝光處理,然后通過其它方式實現(xiàn)腐蝕處理掉所需除去的部分??涛g是用化學(xué)或物理方法有選擇地從硅片表面去除不需要的材料的過程,其基本目標(biāo)是在涂膠的硅片上正確地復(fù)制掩模圖形。隨著微制造工藝的發(fā)展,廣義上來講,刻蝕成了通過溶液、反應(yīng)離子或其它機械方式來剝離、去除材料的一種統(tǒng)稱,成為微加工制造的一種普適叫法。遼寧材料刻蝕價錢有圖形刻蝕采用掩蔽層來定義要刻蝕掉的表面材料區(qū)域,只有硅片上被選擇的這一部分在刻蝕過程中刻掉。
早期的刻蝕技術(shù)為濕法刻蝕,就是將刻蝕材料浸泡在腐蝕液中進行腐蝕的技術(shù)。這個過程是純化學(xué)腐蝕的過程。濕法刻蝕具有良好的選擇性,例如實驗室經(jīng)常采用磷酸來腐蝕鋁金屬化,而不會腐蝕金屬化層間的介質(zhì)層材料;半導(dǎo)體制造過程中用調(diào)配后的氫氟酸(加入NH4F緩沖液)來腐蝕二氧化硅,而不會對光刻膠造成過量的傷害。隨著半導(dǎo)體特征尺寸的不斷減小,濕法刻蝕逐漸**法刻蝕所替代。其原因在于濕法刻蝕是各向同性的,橫向刻蝕的寬度接近于縱向刻蝕的深度,因此會產(chǎn)生鉆蝕的現(xiàn)象,因此在小尺寸的制程中,濕法刻蝕的精度控制非常困難,并且可重復(fù)性差。
在氧化物中開窗口的過程,可能導(dǎo)致氧化物—硅界面層附近的Si0處發(fā)生鉆蝕。在極端情況下,可以導(dǎo)致氧化物層的脫落。在淺擴散高速晶體管的制造中有時會遇到這一問題。薄膜材料刻蝕所用的化學(xué)物與溶解這一類物體的材料是相同的,其作用是將材料轉(zhuǎn)變成可溶性的鹽或復(fù)合物。對于每種材料,都有多種刻蝕化學(xué)物可選用,它們的特性取決于膜的參數(shù)(如膜的微結(jié)構(gòu)、疏松度和膜的形成過程),同時也取決于所提供的前加工過程的性質(zhì)。它一般有下述特點:(1)膜材料比相應(yīng)的體材料更容易刻蝕。因此,必須用稀釋的刻蝕劑,以便控制刻蝕速率。(2)受照射的膜一般將被迅速刻蝕。這種情況,包括離子注入的膜,電子束蒸發(fā)生成的膜,甚至前工序中曾在電子束蒸發(fā)環(huán)境中受照射的膜。而某些光刻膠受照射則屬于例外,因為這是由于聚合作用而變得更難刻蝕的緣故。負(fù)性膠就是一例。(3)內(nèi)應(yīng)力大的膜將迅速被刻蝕。膜的應(yīng)力通常由沉積溫度、沉積技術(shù)和基片溫度所控制。(4)微觀結(jié)構(gòu)差的薄膜,包括多孔膜和疏松結(jié)構(gòu)的膜,將被迅速刻蝕。這樣的膜,??梢酝ㄟ^高于生長溫度的熱處理使其致密化。工藝所用化學(xué)物質(zhì)取決于要刻蝕的薄膜類型。
雙等離子體源刻蝕機加裝有兩個射頻(RF)功率源,能夠更精確地控制離子密度與離子能量。位于上部的射頻功率源通過電感線圈將能量傳遞給等離子體從而增加離子密度,但是離子濃度增加的同時離子能量也隨之增加。下部加裝的偏置射頻電源通過電容結(jié)構(gòu)能夠降低轟擊在硅表面離子的能量而不影響離子濃度,從而能夠更好地控制刻蝕速率與選擇比。原子層刻蝕(ALE)為下一代刻蝕工藝技術(shù),能夠精確去除材料而不影響其他部分。隨著結(jié)構(gòu)尺寸的不斷縮小,反應(yīng)離子刻蝕面臨刻蝕速率差異與下層材料損傷等問題。原子層刻蝕(ALE)能夠精密控制被去除材料量而不影響其他部分,可以用于定向刻蝕或生成光滑表面,是刻蝕技術(shù)研究的熱點之一。目前原子層刻蝕在芯片制造領(lǐng)域并沒有取代傳統(tǒng)的等離子刻蝕工藝,而是被用于原子級目標(biāo)材料精密去除過程??涛g是用化學(xué)或物理方法有選擇地從硅片表面去除不需要的材料的過程。河南MEMS材料刻蝕加工廠商
晶圓不同點刻蝕速率不同的情況稱為非均勻性(或者稱為微負(fù)載),通常以百分比表示。河南MEMS材料刻蝕加工廠商
光刻膠是另一個剝離的例子。總的來說,有圖形刻蝕和無圖形刻蝕工藝條件能夠采用干法刻蝕或濕法腐蝕技術(shù)來實現(xiàn)。為了復(fù)制硅片表面材料上的掩膜圖形,刻蝕必須滿足一些特殊的要求。包括幾方面刻蝕參數(shù):刻蝕速率、刻蝕剖面、刻蝕偏差、選擇比、均勻性、殘留物、聚合物、等離子體誘導(dǎo)損傷、顆粒玷污和缺陷等。刻蝕是用化學(xué)或物理方法有選擇的從硅片表面去除不需要的材料的過程??涛g的基本目標(biāo)是在涂膠的硅片上正確的復(fù)制掩模圖形。有圖形的光刻膠層在刻蝕中不受腐蝕源明顯的侵蝕。河南MEMS材料刻蝕加工廠商
廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所位于長興路363號,交通便利,環(huán)境優(yōu)美,是一家服務(wù)型企業(yè)。公司是一家****企業(yè),以誠信務(wù)實的創(chuàng)業(yè)精神、專業(yè)的管理團隊、踏實的職工隊伍,努力為廣大用戶提供***的產(chǎn)品。公司擁有專業(yè)的技術(shù)團隊,具有微納加工技術(shù)服務(wù),真空鍍膜技術(shù)服務(wù),紫外光刻技術(shù)服務(wù),材料刻蝕技術(shù)服務(wù)等多項業(yè)務(wù)。廣東省半導(dǎo)體所順應(yīng)時代發(fā)展和市場需求,通過**技術(shù),力圖保證高規(guī)格高質(zhì)量的微納加工技術(shù)服務(wù),真空鍍膜技術(shù)服務(wù),紫外光刻技術(shù)服務(wù),材料刻蝕技術(shù)服務(wù)。
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