需求數(shù)量:0
價格要求:面議
所在地:廣東省
包裝要求:
產(chǎn)品關(guān)鍵詞:重慶氧化硅材料刻蝕公司,材料刻蝕
***更新:2020-12-29 08:28:48
瀏覽次數(shù):0次
聯(lián)系我們
當(dāng)前位置:首頁?產(chǎn)品供應(yīng)?電子元器件?電子材料、零部件、結(jié)構(gòu)件?半導(dǎo)體材料?重慶氧化硅材料刻蝕公司 廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所供應(yīng)
需求數(shù)量:0
價格要求:面議
所在地:廣東省
包裝要求:
產(chǎn)品關(guān)鍵詞:重慶氧化硅材料刻蝕公司,材料刻蝕
***更新:2020-12-29 08:28:48
瀏覽次數(shù):0次
聯(lián)系我們聯(lián)系人:曾昭燴
郵箱: 512480780@qq.com
電話: 15018420573
傳真: 020_
網(wǎng)址: http://www.gdssli.com
手機(jī): 020-61086422
地址: 長興路363號
[當(dāng)前離線] [加為商友] [發(fā)送信件]
詳細(xì)說明
刻蝕工藝:把未被抗蝕劑掩蔽的薄膜層除去,從而在薄膜上得到與抗蝕劑膜上完全相同圖形的工藝。在集成電路制造過程中,經(jīng)過掩模套準(zhǔn)、曝光和顯影,在抗蝕劑膜上復(fù)印出所需的圖形,或者用電子束直接描繪在抗蝕劑膜上產(chǎn)生圖形,然后把此圖形精確地轉(zhuǎn)移到抗蝕劑下面的介質(zhì)薄膜(如氧化硅、氮化硅,重慶氧化硅材料刻蝕公司、多晶硅)或金屬薄膜(如鋁及其合金)上去,制造出所需的薄層圖案,重慶氧化硅材料刻蝕公司??涛g就是用化學(xué)的、物理的或同時使用化學(xué)和物理的方法,有選擇地把沒有被抗蝕劑掩蔽的那一部分薄膜層除去,從而在薄膜上得到和抗蝕劑膜上完全一致的圖形,重慶氧化硅材料刻蝕公司??涛g技術(shù)主要分為干法刻蝕與濕法刻蝕。干法刻蝕主要利用反應(yīng)氣體與等離子體進(jìn)行刻蝕;濕法刻蝕主要利用化學(xué)試劑與被刻蝕材料發(fā)生化學(xué)反應(yīng)進(jìn)行刻蝕。刻蝕的基本目標(biāo)是在涂膠的硅片上正確的復(fù)制掩模圖形。重慶氧化硅材料刻蝕公司
氮化硅的干法刻蝕S13N4在半導(dǎo)體工藝中主要用在兩個地方。1、用做器件區(qū)的防止氧化保護(hù)層(厚約lOOnm)。2、作為器件的鈍化保護(hù)層。在這兩個地方刻蝕的圖形尺寸都比較大,非等向的刻蝕就不那么重要了??涛gSi3N4時下方通常是厚約25nm的Si02,為了避免對Si02層的刻蝕,Si3N4與S102之間必須有一定的刻蝕選擇比。S13N4的刻蝕基本上與Si02和Si類似,常用CF4+0等離子體來刻蝕。但是Si-N鍵強(qiáng)度介于Si-Si與Si-0之間,因此使Si3N4對Si或Si02的刻蝕選擇比均不好。在CF4的等離子體中,Si對Si3N4的選擇比約為8,而Si3N4對Si02的選擇比只有2—3,在這么低的刻蝕選擇比下,刻蝕時間的控制就變得非常重要。除了CF4外,也有人改用蘭氟化氮(NF3)的等離子體來刻蝕Si3N4,雖然刻蝕速率較慢,但可獲得可以接受的Si3N4/Si02的刻蝕選擇比。重慶氧化硅材料刻蝕公司ICP刻蝕設(shè)備能夠進(jìn)行(氮化鎵)、(氮化硅)、(氧化硅)、(鋁鎵氮)等半導(dǎo)體材料進(jìn)行刻蝕。
濕法刻蝕是將刻蝕材料浸泡在腐蝕液內(nèi)進(jìn)行腐蝕的技術(shù),是利用合適的化學(xué)試劑先將未被光刻膠覆蓋的晶片部分分解,然后轉(zhuǎn)成可溶的化合物達(dá)到去除的目的。濕法刻蝕是刻蝕的一種方法,其他的有干刻蝕,等離子刻蝕等。濕法刻蝕這種刻蝕技術(shù)主要是借助腐蝕液和晶片材料的化學(xué)反應(yīng),因此我們可以借助化學(xué)試劑的選取、配比以及溫度的控制等來達(dá)到合適的刻蝕速率和良好的刻蝕選擇比。濕法刻蝕的過程:(1)反應(yīng)物擴(kuò)散到欲被刻蝕材料的表面;(2)反應(yīng)物與被刻蝕材料反應(yīng);(3)反應(yīng)后的產(chǎn)物離開刻蝕表面擴(kuò)散到溶液中,隨溶液被排出。
在半導(dǎo)體制造中有兩種基本的刻蝕工藝:干法刻蝕和濕法腐蝕。干法刻蝕是把硅片表面曝露于氣態(tài)中產(chǎn)生的等離子體,等離子體通過光刻膠中開出的窗口,與硅片發(fā)生物理或化學(xué)反應(yīng)(或這兩種反應(yīng)),從而去掉曝露的表面材料。干法刻蝕是亞微米尺寸下刻蝕器件的較重要方法。而在濕法腐蝕中,液體化學(xué)試劑(如酸、堿和溶劑等)以化學(xué)方式去除硅片表面的材料。濕法腐蝕一般只是用在尺寸較大的情況下(大于3微米)。濕法腐蝕仍然用來腐蝕硅片上某些層或用來去除干法刻蝕后的殘留物。干法刻蝕優(yōu)點(diǎn)是:細(xì)線條操作安全,易實(shí)現(xiàn)自動化,無化學(xué)廢液,處理過程未引入污染,潔凈度高。
相比刻蝕用單晶硅材料,芯片用單晶硅材料是芯片等終端產(chǎn)品的原材料,市場更為廣闊,國產(chǎn)替代的需求也十分旺盛。SEMI的統(tǒng)計顯示,2018年全球半導(dǎo)體制造材料市場規(guī)模為322.38億美元,其中硅材料的市場規(guī)模達(dá)到121.24億美元,占比高達(dá)37.61%。刻蝕用單晶硅材料和芯片用單晶硅材料在制造環(huán)節(jié)上有諸多相似之處:積累的固液共存界面控制技術(shù)、熱場尺寸優(yōu)化工藝、多晶硅投料優(yōu)化等工藝技術(shù)已經(jīng)達(dá)到國際先進(jìn)水平,為進(jìn)入新賽道提供了產(chǎn)業(yè)技術(shù)和經(jīng)驗(yàn)的支撐。濕法刻蝕是指利用溶液與預(yù)刻蝕材料之間的化學(xué)反應(yīng)來去除未被掩蔽膜材料掩蔽的部分而達(dá)到刻蝕目的。重慶氧化硅材料刻蝕公司
刻蝕是用化學(xué)或物理方法有選擇地從硅片表面去除不需要的材料的過程。重慶氧化硅材料刻蝕公司
介質(zhì)刻蝕是用于介質(zhì)材料的刻蝕,如二氧化硅。干法刻蝕優(yōu)點(diǎn)是:各向異性好,選擇比高,可控性、靈活性、重復(fù)性好,細(xì)線條操作安全,易實(shí)現(xiàn)自動化,無化學(xué)廢液,處理過程未引入污染,潔凈度高。缺點(diǎn)是:成本高,設(shè)備復(fù)雜。干法刻蝕主要形式有純化學(xué)過程(如屏蔽式,下游式,桶式),純物理過程(如離子銑),物理化學(xué)過程,常用的有反應(yīng)離子刻蝕RIE,離子束輔助自由基刻蝕ICP等。干法刻蝕方式比較多,一般有:濺射與離子束銑蝕,等離子刻蝕(PlasmaEtching),高壓等離子刻蝕,高密度等離子體(HDP)刻蝕,反應(yīng)離子刻蝕(RIE)。另外,化學(xué)機(jī)械拋光CMP,剝離技術(shù)等等也可看成是廣義刻蝕的一些技術(shù)。重慶氧化硅材料刻蝕公司
廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所位于長興路363號,交通便利,環(huán)境優(yōu)美,是一家服務(wù)型企業(yè)。是一家****企業(yè),隨著市場的發(fā)展和生產(chǎn)的需求,與多家企業(yè)合作研究,在原有產(chǎn)品的基礎(chǔ)上經(jīng)過不斷改進(jìn),追求新型,在強(qiáng)化內(nèi)部管理,完善結(jié)構(gòu)調(diào)整的同時,良好的質(zhì)量、合理的價格、完善的服務(wù),在業(yè)界受到寬泛好評。公司業(yè)務(wù)涵蓋微納加工技術(shù)服務(wù),真空鍍膜技術(shù)服務(wù),紫外光刻技術(shù)服務(wù),材料刻蝕技術(shù)服務(wù),價格合理,品質(zhì)有保證,深受廣大客戶的歡迎。廣東省半導(dǎo)體所將以真誠的服務(wù)、創(chuàng)新的理念、***的產(chǎn)品,為彼此贏得全新的未來!
文章來源地址: http://www.cdcfah.com/cp/2614422.html
本企業(yè)其它產(chǎn)品 更多>>
珠海感應(yīng)耦合等離子刻蝕材料刻蝕 廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所供應(yīng)
遼寧氧化硅材料刻蝕 廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所供應(yīng)
云南EB真空鍍膜 廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所供應(yīng)
吉林真空鍍膜代工 廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所供應(yīng)
重慶MEMS光刻 廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所供應(yīng)
磁控濺射真空鍍膜廠商 廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所供應(yīng)
山東光刻服務(wù)價格 廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所供應(yīng)
山東微納加工平臺 廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所供應(yīng)
同類產(chǎn)品推薦 更多>>
上海硅材料刻蝕公司 廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所供應(yīng)
中山功率器件微納加工廠 廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所供應(yīng)
重慶MEMS光刻 廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所供應(yīng)
深圳光電器件真空鍍膜加工 廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所供應(yīng)
黑龍江真空鍍膜微納加工廠 廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所供應(yīng)
河南MEMS材料刻蝕加工 廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所供應(yīng)
深圳氮化硅材料刻蝕價錢 廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所供應(yīng)
山東微納加工平臺 廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所供應(yīng)