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產(chǎn)品關(guān)鍵詞:北京MEMS材料刻蝕廠家,材料刻蝕
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基本工藝要求理想的刻蝕工藝必須具有以下特點(diǎn):①各向異性刻蝕,即只有垂直刻蝕,沒有橫向鉆蝕。這樣才能保證精確地在被刻蝕的薄膜上復(fù)制出與抗蝕劑上完全一致的幾何圖形;②良好的刻蝕選擇性,即對(duì)作為掩模的抗蝕劑和處于其下的另一層薄膜或材料的刻蝕速率都比被刻蝕薄膜的刻蝕速率小得多,以保證刻蝕過程中抗蝕劑掩蔽的有效性,不致發(fā)生因?yàn)檫^刻蝕而損壞薄膜下面的其他材料;③加工批量大,控制容易,成本低,北京MEMS材料刻蝕廠家,對(duì)環(huán)境污染少,適用于工業(yè)生產(chǎn),北京MEMS材料刻蝕廠家,北京MEMS材料刻蝕廠家。干法刻蝕優(yōu)點(diǎn)是:各向異性好,選擇比高,可控性、靈活性、重復(fù)性好。北京MEMS材料刻蝕廠家
經(jīng)過前面的一系列工藝已將光刻掩膜版的圖形轉(zhuǎn)移到光刻膠上。為了制作元器件,需將光刻膠上的圖形進(jìn)一步轉(zhuǎn)移到光刻膠下層的材料上。這個(gè)任務(wù)就由刻蝕來完成。刻蝕就是將涂膠前所淀積的薄膜中沒有被光刻膠(經(jīng)過曝光和顯影后)覆蓋和保護(hù)的那部分去除掉,達(dá)到將光刻膠上的圖形轉(zhuǎn)移到其下層材料上的目的。光刻膠的下層薄膜可能是二氧化硅、氮化硅、多晶硅或者金屬材料。材料不同或圖形不同,刻蝕的要求不同。實(shí)際上,光刻和刻蝕是兩個(gè)不同的加工工藝,但因?yàn)檫@兩個(gè)工藝只有連續(xù)進(jìn)行,才能完成真正意義上的圖形轉(zhuǎn)移,而且在工藝線上,這兩個(gè)工藝經(jīng)常是放在同一工序中,因此有時(shí)也將這兩個(gè)步驟統(tǒng)稱為光刻。遼寧MEMS材料刻蝕加工工廠在半導(dǎo)體制造中有兩種基本的刻蝕工藝:干法刻蝕和濕法腐蝕。
在微細(xì)加工中,刻蝕和清洗處理過程包括許多內(nèi)容。對(duì)于適當(dāng)取向的半導(dǎo)體薄片的鋸痕首先要機(jī)械拋光,以除去全部的機(jī)械損傷,之后進(jìn)行化學(xué)刻蝕和拋光,以獲得無損傷的光學(xué)平面。這種工藝往往能去除以微米級(jí)計(jì)算的材料表層。對(duì)薄片進(jìn)行化學(xué)清洗和洗滌,可以除去因操作和貯存而產(chǎn)生的污染,然后用熱處理的方法生長Si0(對(duì)于硅基集成電路),或者沉積氮化硅(對(duì)于砷化鎵電路),以形成初始保護(hù)層??涛g過程和圖案的形成相配合。廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所。
同樣的刻蝕條件,針對(duì)不同的刻蝕暴露面積,刻蝕的速率會(huì)有所不一樣。通常來說,刻蝕面積越大,刻蝕的速率越慢,暴露面積越小,刻蝕的速率越快。所以在速率調(diào)試的過程中,需要使用尺寸相當(dāng)?shù)臉悠愤M(jìn)來調(diào)試,這樣調(diào)試的刻蝕速率參考意義比較大。氮化硅濕法刻蝕:對(duì)于鈍化層,另外一種受青睞的化合物是氮化硅。可以用液體化學(xué)的方法來刻蝕,但是不想其他層那樣容易。使用的化學(xué)品是熱磷酸。因酸液在此溫度下會(huì)迅速蒸發(fā),所以刻蝕要在一個(gè)裝有冷卻蓋的密封回流容器中進(jìn)行。主要問題是光刻膠層經(jīng)不起刻蝕劑的溫度和高刻蝕速率。因此,需要一層二氧化硅或其他材料來阻擋刻蝕劑。這兩個(gè)因素已導(dǎo)致對(duì)于氮化硅使用干法刻蝕技術(shù)。濕法刻蝕特點(diǎn)是:濕法刻蝕在半導(dǎo)體工藝中有著普遍應(yīng)用:磨片、拋光、清洗、腐蝕。
光刻膠是另一個(gè)剝離的例子??偟膩碚f,有圖形刻蝕和無圖形刻蝕工藝條件能夠采用干法刻蝕或濕法腐蝕技術(shù)來實(shí)現(xiàn)。為了復(fù)制硅片表面材料上的掩膜圖形,刻蝕必須滿足一些特殊的要求。包括幾方面刻蝕參數(shù):刻蝕速率、刻蝕剖面、刻蝕偏差、選擇比、均勻性、殘留物、聚合物、等離子體誘導(dǎo)損傷、顆粒玷污和缺陷等??涛g是用化學(xué)或物理方法有選擇的從硅片表面去除不需要的材料的過程??涛g的基本目標(biāo)是在涂膠的硅片上正確的復(fù)制掩模圖形。有圖形的光刻膠層在刻蝕中不受腐蝕源明顯的侵蝕。在硅材料刻蝕當(dāng)中,硅針的刻蝕需要用到各向同性刻蝕,硅柱的刻蝕需要用到各項(xiàng)異性刻蝕。東莞GaN材料刻蝕加工
工藝所用化學(xué)物質(zhì)取決于要刻蝕的薄膜類型。北京MEMS材料刻蝕廠家
在GaN發(fā)光二極管器件制作過程中,刻蝕是一項(xiàng)很重要的工藝。ICP干法刻蝕常用在n型電極制作中,因?yàn)樵谒{(lán)寶石襯底上生長LED,n型電極和P型電極位于同一側(cè),需要刻蝕露出n型層。ICP是近幾年來很常用的一種離子體刻蝕技術(shù),它在GaN的刻蝕中應(yīng)用很普遍。ICP刻蝕具有等離子體密度和等離子體的轟擊能量單獨(dú)可控,低壓強(qiáng)獲得高密度等離子體,在保持高刻蝕速率的同事能夠產(chǎn)生高的選擇比和低損傷的刻蝕表面等優(yōu)勢。ICP(感應(yīng)耦合等離子)刻蝕GaN是物料濺射和化學(xué)反應(yīng)相結(jié)合的復(fù)雜過程??涛gGaN主要使用到氯氣和三氯化硼,刻蝕過程中材料表面表面的Ga-N鍵在離子轟擊下破裂,此為物理濺射,產(chǎn)生活性的Ga和N原子,氮原子相互結(jié)合容易析出氮?dú)?,Ga原子和Cl離子生成容易揮發(fā)的GaCl2或者GaCl3。北京MEMS材料刻蝕廠家
廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所擁有面向半導(dǎo)體光電子器件、功率電子器件、MEMS、生物芯片等前沿領(lǐng)域,致力于打造***的公益性、開放性、支撐性樞紐中心。平臺(tái)擁有半導(dǎo)體制備工藝所需的整套儀器設(shè)備,建立了一條實(shí)驗(yàn)室研發(fā)線和一條中試線,加工尺寸覆蓋2-6英寸(部分8英寸),同時(shí)形成了一支與硬件有機(jī)結(jié)合的專業(yè)人才隊(duì)伍。平臺(tái)當(dāng)前緊抓技術(shù)創(chuàng)新和公共服務(wù),面向國內(nèi)外高校、科研院所以及企業(yè)提供開放共享,為技術(shù)咨詢、創(chuàng)新研發(fā)、技術(shù)驗(yàn)證以及產(chǎn)品中試提供支持。等多項(xiàng)業(yè)務(wù),主營業(yè)務(wù)涵蓋微納加工技術(shù)服務(wù),真空鍍膜技術(shù)服務(wù),紫外光刻技術(shù)服務(wù),材料刻蝕技術(shù)服務(wù)。一批專業(yè)的技術(shù)團(tuán)隊(duì),是實(shí)現(xiàn)企業(yè)戰(zhàn)略目標(biāo)的基礎(chǔ),是企業(yè)持續(xù)發(fā)展的動(dòng)力。誠實(shí)、守信是對(duì)企業(yè)的經(jīng)營要求,也是我們做人的基本準(zhǔn)則。公司致力于打造***的微納加工技術(shù)服務(wù),真空鍍膜技術(shù)服務(wù),紫外光刻技術(shù)服務(wù),材料刻蝕技術(shù)服務(wù)。公司力求給客戶提供全數(shù)良好服務(wù),我們相信誠實(shí)正直、開拓進(jìn)取地為公司發(fā)展做正確的事情,將為公司和個(gè)人帶來共同的利益和進(jìn)步。經(jīng)過幾年的發(fā)展,已成為微納加工技術(shù)服務(wù),真空鍍膜技術(shù)服務(wù),紫外光刻技術(shù)服務(wù),材料刻蝕技術(shù)服務(wù)行業(yè)出名企業(yè)。
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