需求數量:0
價格要求:面議
所在地:廣東省
包裝要求:
產品關鍵詞:湖北氧化硅材料刻蝕平臺,材料刻蝕
***更新:2021-01-01 07:25:08
瀏覽次數:0次
聯(lián)系我們
當前位置:首頁?產品供應?電子元器件?電子材料、零部件、結構件?半導體材料?湖北氧化硅材料刻蝕平臺 廣東省科學院半導體研究所供應
聯(lián)系人:曾昭燴
郵箱: 512480780@qq.com
電話: 15018420573
傳真: 020_
網址: http://www.gdssli.com
手機: 020-61086422
地址: 長興路363號
[當前離線] [加為商友] [發(fā)送信件]
詳細說明
理想情況下,晶圓所有點的刻蝕速率都一致(均勻)。晶圓不同點刻蝕速率不同的情況稱為非均勻性(或者稱為微負載),湖北氧化硅材料刻蝕平臺,湖北氧化硅材料刻蝕平臺,通常以百分比表示。減少非均勻性和微負載是刻蝕的重要目標。應用材料公司一直以來不斷開發(fā)具有成本效益的創(chuàng)新解決方案,來應對不斷變化的蝕刻難題。這些難題可能源自于器件尺寸的不斷縮??;所用材料的變化(例如高k薄膜或多孔較低k介電薄膜);器件架構多樣化(例如FinFET和三維NAND晶體管);以及新的封裝方式(例如硅穿孔(TSV)技術),湖北氧化硅材料刻蝕平臺??涛g,它是半導體制造工藝,微納制造工藝中的一種相當重要的步驟。湖北氧化硅材料刻蝕平臺
刻蝕也可以分成有圖形刻蝕和無圖形刻蝕。有圖形刻蝕采用掩蔽層(有圖形的光刻膠)來定義要刻蝕掉的表面材料區(qū)域,只有硅片上被選擇的這一部分在刻蝕過程中刻掉。有圖形刻蝕可用來在硅片上制作多種不同的特征圖形,包括柵、金屬互連線、通孔、接觸孔和溝槽。無圖形刻蝕、反刻或剝離是在整個硅片沒有掩模的情況下進行的,這種刻蝕工藝用于剝離掩模層(如STI氮化硅剝離和用于制備晶體管注入側墻的硅化物工藝后鈦的剝離)。反刻是在想要把某一層膜的總的厚度減小時采用的(如當平坦化硅片表面時需要減小形貌特征)。山東硅材料刻蝕公司干法刻蝕也可以根據被刻蝕的材料類型來分類,如刻蝕氮化鎵、氧化硅、氮化硅、鋁鎵氮等材料。
刻蝕技術(etchingtechnique),是在半導體工藝,按照掩模圖形或設計要求對半導體襯底表面或表面覆蓋薄膜進行選擇性腐蝕或剝離的技術??涛g技術不僅是半導體器件和集成電路的基本制造工藝,而且還應用于薄膜電路、印刷電路和其他微細圖形的加工??涛g還可分為濕法刻蝕和干法刻蝕。普通的刻蝕過程大致如下:先在表面涂敷一層光致抗蝕劑,然后透過掩模對抗蝕劑層進行選擇性曝光,由于抗蝕劑層的已曝光部分和未曝光部分在顯影液中溶解速度不同,經過顯影后在襯底表面留下了抗蝕劑圖形,以此為掩模就可對襯底表面進行選擇性腐蝕。如果襯底表面存在介質或金屬層,則選擇腐蝕以后,圖形就轉移到介質或金屬層上。
在GaN發(fā)光二極管器件制作過程中,刻蝕是一項很重要的工藝。ICP干法刻蝕常用在n型電極制作中,因為在藍寶石襯底上生長LED,n型電極和P型電極位于同一側,需要刻蝕露出n型層。ICP是近幾年來很常用的一種離子體刻蝕技術,它在GaN的刻蝕中應用很普遍。ICP刻蝕具有等離子體密度和等離子體的轟擊能量單獨可控,低壓強獲得高密度等離子體,在保持高刻蝕速率的同事能夠產生高的選擇比和低損傷的刻蝕表面等優(yōu)勢。ICP(感應耦合等離子)刻蝕GaN是物料濺射和化學反應相結合的復雜過程??涛gGaN主要使用到氯氣和三氯化硼,刻蝕過程中材料表面表面的Ga-N鍵在離子轟擊下破裂,此為物理濺射,產生活性的Ga和N原子,氮原子相互結合容易析出氮氣,Ga原子和Cl離子生成容易揮發(fā)的GaCl2或者GaCl3。工藝所用化學物質取決于要刻蝕的薄膜類型。
溫度越高刻蝕效率越高,但是溫度過高工藝方面波動較大,只要通過設備自帶溫控器和點檢確認??涛g流片的速度與刻蝕速率密切相關噴淋流量的大小決定了基板表面藥液置換速度的快慢,流量控制可保證基板表面藥液濃度均勻。過刻量即測蝕量,適當增加測試量可有效控制刻蝕中的點狀不良作業(yè)數量管控:每天對生產數量及時記錄,達到規(guī)定作業(yè)片數及時更換。作業(yè)時間管控:由于藥液的揮發(fā),所以如果在規(guī)定更換時間未達到相應的生產片數藥液也需更換。首片和抽檢管控:作業(yè)時需先進行首片確認,且在作業(yè)過程中每批次進行抽檢(時間間隔約25min)。1、大面積刻蝕不干凈:刻蝕液濃度下降、刻蝕溫度變化。2、刻蝕不均勻:噴淋流量異常、藥液未及時沖洗干凈等。3、過刻蝕:刻蝕速度異常、刻蝕溫度異常等。物理上,等離子體刻蝕劑由反應室、真空系統(tǒng)、氣體供應、終點檢測和電源組成。山東硅材料刻蝕公司
濕法刻蝕是一個純粹的化學反應過程。湖北氧化硅材料刻蝕平臺
等向性刻蝕:大部份的濕刻蝕液均是等向性,換言之,對刻蝕接觸點之任何方向腐蝕速度并無明顯差異。故一旦定義好刻蝕掩膜的圖案,暴露出來的區(qū)域,便是往下腐蝕的所在;蘭記婚只要刻蝕配方具高選擇性,便應當止于所該止之深度。然而有鑒于任何被蝕薄膜皆有其厚度,當其被蝕出某深度時,刻蝕掩膜圖案邊緣的部位漸與刻蝕液接觸,故刻蝕液也開始對刻蝕掩膜圖案邊緣的底部,進行蝕掏,這就是所謂的下切或側向侵蝕現象(undercut)。該現象造成的圖案側向誤差與被蝕薄膜厚度同數量級,換言之,濕刻蝕技術因之而無法應用在類似次微米線寬的精密棄擊乃制程技術!湖北氧化硅材料刻蝕平臺
廣東省科學院半導體研究所專注技術創(chuàng)新和產品研發(fā),發(fā)展規(guī)模團隊不斷壯大。一批專業(yè)的技術團隊,是實現企業(yè)戰(zhàn)略目標的基礎,是企業(yè)持續(xù)發(fā)展的動力。廣東省科學院半導體研究所主營業(yè)務涵蓋微納加工技術服務,真空鍍膜技術服務,紫外光刻技術服務,材料刻蝕技術服務,堅持“質量保證、良好服務、顧客滿意”的質量方針,贏得廣大客戶的支持和信賴。公司深耕微納加工技術服務,真空鍍膜技術服務,紫外光刻技術服務,材料刻蝕技術服務,正積蓄著更大的能量,向更廣闊的空間、更寬泛的領域拓展。
文章來源地址: http://www.cdcfah.com/cp/2657296.html
本企業(yè)其它產品 更多>>