對于被刻蝕材料和掩蔽層材料（例如光刻膠）的選擇比SR可通過下式計算：SR=Ef/Er；其中，上海氮化硅材料刻蝕服務(wù)，Ef為被刻蝕材料的刻蝕速率，Er為掩蔽層材料的刻蝕速率（如光刻膠）；根據(jù)這個公式，選擇比通常表示為一個比值，一個選擇比差的工藝這一比值可能是1:1，意味著被刻蝕的材料與光刻膠掩蔽層被去除地一樣快，而一個選擇比高的工藝這一比值可能是100:1，說明被刻蝕材料的刻蝕速率為不要被刻蝕材料的（如光刻膠）刻蝕速率的100倍，上海氮化硅材料刻蝕服務(wù)，上海氮化硅材料刻蝕服務(wù)。廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所。氮化硅濕法刻蝕：對于鈍化層，另外一種受青睞的化合物是氮化硅。上海氮化硅材料刻蝕服務(wù)

GaN材料的刻蝕一般采用光刻膠來做掩膜，但是刻蝕GaN和光刻膠，選擇比接近1:1，如果需要刻蝕深度超過3微米以上就需要采用厚膠來做掩膜。對于刻蝕更深的GaN,那就需要采用氧化硅來做刻蝕的掩模，刻蝕GaN的氣體對于刻蝕氧化硅刻蝕比例可以達到8:1。深硅刻蝕是MEMS器件工藝當中很重要的一個工藝，根據(jù)不同應(yīng)用對深硅刻蝕有不同的側(cè)壁形貌要求，深硅刻蝕的刻蝕方式有BOSCH工藝、Cryo工藝、mix工藝，而常用的工藝是用BOSCH工藝，刻蝕深度可以達到400微米，深寬選擇比可以達到20:1.黑龍江硅材料刻蝕技術(shù)刻蝕的基本目標是在涂膠的硅片上正確的復(fù)制掩模圖形。

反應(yīng)離子刻蝕（RIE）是當前常用技術(shù)路徑，屬于物理和化學(xué)混合刻蝕。在傳統(tǒng)的反應(yīng)離子刻蝕機中，進入反應(yīng)室的氣體會被分解電離為等離子體，等離子體由反應(yīng)正離子、自由基、反應(yīng)原子等組成。反應(yīng)正離子會轟擊硅片表面形成物理刻蝕，同時被轟擊的硅片表面化學(xué)活性被提高，之后硅片會與自由基和反應(yīng)原子形成化學(xué)刻蝕。這個過程中由于離子轟擊帶有方向性，RIE技術(shù)具有較好的各向異性。目前先進集成電路制造技術(shù)中用于刻蝕關(guān)鍵層的刻蝕方法是高密度等離子體刻蝕技術(shù)。傳統(tǒng)的RIE系統(tǒng)難以使刻蝕物質(zhì)進入高深寬比圖形中并將殘余生成物從中排出，因此不能滿足0.25μm以下尺寸的加工要求，解決辦法是增加等離子體的密度。高密度等離子體刻蝕技術(shù)主要分為電子回旋加速振蕩（ECR）、電容或電感耦合等離子體（CCP/ICP）、雙等離子體源等。

同樣的刻蝕條件，針對不同的刻蝕暴露面積，刻蝕的速率會有所不一樣。通常來說，刻蝕面積越大，刻蝕的速率越慢，暴露面積越小，刻蝕的速率越快。所以在速率調(diào)試的過程中，需要使用尺寸相當?shù)臉悠愤M來調(diào)試，這樣調(diào)試的刻蝕速率參考意義比較大。氮化硅濕法刻蝕：對于鈍化層，另外一種受青睞的化合物是氮化硅?？梢杂靡后w化學(xué)的方法來刻蝕，但是不想其他層那樣容易。使用的化學(xué)品是熱磷酸。因酸液在此溫度下會迅速蒸發(fā)，所以刻蝕要在一個裝有冷卻蓋的密封回流容器中進行。主要問題是光刻膠層經(jīng)不起刻蝕劑的溫度和高刻蝕速率。因此，需要一層二氧化硅或其他材料來阻擋刻蝕劑。這兩個因素已導(dǎo)致對于氮化硅使用干法刻蝕技術(shù)。深硅刻蝕是MEMS器件制作當中一個很重要的工藝。

刻蝕也可以分成有圖形刻蝕和無圖形刻蝕。有圖形刻蝕采用掩蔽層（有圖形的光刻膠）來定義要刻蝕掉的表面材料區(qū)域，只有硅片上被選擇的這一部分在刻蝕過程中刻掉。有圖形刻蝕可用來在硅片上制作多種不同的特征圖形，包括柵、金屬互連線、通孔、接觸孔和溝槽。無圖形刻蝕、反刻或剝離是在整個硅片沒有掩模的情況下進行的，這種刻蝕工藝用于剝離掩模層（如STI氮化硅剝離和用于制備晶體管注入側(cè)墻的硅化物工藝后鈦的剝離）。反刻是在想要把某一層膜的總的厚度減小時采用的（如當平坦化硅片表面時需要減小形貌特征）。一般而言，高蝕速率（在一定時間內(nèi)去除的材料量）都會受到歡迎。黑龍江硅材料刻蝕技術(shù)

刻蝕是用化學(xué)或物理方法有選擇地從硅片表面去除不需要的材料的過程。上海氮化硅材料刻蝕服務(wù)

濕刻蝕：較普遍、也是設(shè)備成本較低的刻蝕方法。其影響被刻蝕物之刻蝕速率(etchingrate)的因素有三：刻蝕液濃度、刻蝕液溫度、及攪拌(stirring)之有無。定性而言，增加刻蝕溫度與加入攪拌，均能有效提高刻蝕速率；但濃度之影響則較不明確。舉例來說，以49%的HF刻蝕SiO2，當然比BOE(Buffered-Oxide-Etch；HF：NH4F=1：6)快的多；但40%的KOH刻蝕付淋兇和Si的速率卻比20%KOH慢！濕刻蝕的配方選用是一項化學(xué)的專業(yè)，對于一般不是這方面的研究人員，必須向該化學(xué)專業(yè)的同儕請教。一個選用濕刻蝕配方的重要觀念是（選擇性）(selectivity)，意指進行刻蝕時，對被蝕物去除速度與連帶對其他材質(zhì)(如刻蝕掩膜；etchingmask，或承載被加工薄膜之基板；substrate)的腐蝕速度之比值。一個具有高選擇性的刻蝕系統(tǒng)，應(yīng)該只對被加工薄膜有腐蝕作用，而不傷及一旁之刻蝕掩膜或其下的基板材料上海氮化硅材料刻蝕服務(wù)

廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所致力于電子元器件，以科技創(chuàng)新實現(xiàn)***管理的追求。廣東省半導(dǎo)體所深耕行業(yè)多年，始終以客戶的需求為向?qū)?，為客戶提?**的微納加工技術(shù)服務(wù)，真空鍍膜技術(shù)服務(wù)，紫外光刻技術(shù)服務(wù)，材料刻蝕技術(shù)服務(wù)。廣東省半導(dǎo)體所致力于把技術(shù)上的創(chuàng)新展現(xiàn)成對用戶產(chǎn)品上的貼心，為用戶帶來良好體驗。廣東省半導(dǎo)體所創(chuàng)始人陳志濤，始終關(guān)注客戶，創(chuàng)新科技，竭誠為客戶提供良好的服務(wù)。

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