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產(chǎn)品關(guān)鍵詞:佛山GaN材料刻蝕技術(shù),材料刻蝕
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同樣的刻蝕條件,針對不同的刻蝕暴露面積,刻蝕的速率會有所不一樣。通常來說,刻蝕面積越大,刻蝕的速率越慢,暴露面積越小,刻蝕的速率越快。所以在速率調(diào)試的過程中,需要使用尺寸相當(dāng)?shù)臉悠愤M(jìn)來調(diào)試,這樣調(diào)試的刻蝕速率參考意義比較大。氮化硅濕法刻蝕:對于鈍化層,佛山GaN材料刻蝕技術(shù),另外一種受青睞的化合物是氮化硅。可以用液體化學(xué)的方法來刻蝕,但是不想其他層那樣容易。使用的化學(xué)品是熱磷酸。因酸液在此溫度下會迅速蒸發(fā),所以刻蝕要在一個(gè)裝有冷卻蓋的密封回流容器中進(jìn)行。主要問題是光刻膠層經(jīng)不起刻蝕劑的溫度和高刻蝕速率,佛山GaN材料刻蝕技術(shù)。因此,需要一層二氧化硅或其他材料來阻擋刻蝕劑,佛山GaN材料刻蝕技術(shù)。這兩個(gè)因素已導(dǎo)致對于氮化硅使用干法刻蝕技術(shù)。晶圓不同點(diǎn)刻蝕速率不同的情況稱為非均勻性(或者稱為微負(fù)載),通常以百分比表示。佛山GaN材料刻蝕技術(shù)
理想情況下,晶圓所有點(diǎn)的刻蝕速率都一致(均勻)。晶圓不同點(diǎn)刻蝕速率不同的情況稱為非均勻性(或者稱為微負(fù)載),通常以百分比表示。減少非均勻性和微負(fù)載是刻蝕的重要目標(biāo)。應(yīng)用材料公司一直以來不斷開發(fā)具有成本效益的創(chuàng)新解決方案,來應(yīng)對不斷變化的蝕刻難題。這些難題可能源自于器件尺寸的不斷縮?。凰貌牧系淖兓ɡ绺遦薄膜或多孔較低k介電薄膜);器件架構(gòu)多樣化(例如FinFET和三維NAND晶體管);以及新的封裝方式(例如硅穿孔(TSV)技術(shù))。佛山GaN材料刻蝕技術(shù)有圖形的光刻膠層在刻蝕中不受腐蝕源明顯的侵蝕。
經(jīng)過前面的一系列工藝已將光刻掩膜版的圖形轉(zhuǎn)移到光刻膠上。為了制作元器件,需將光刻膠上的圖形進(jìn)一步轉(zhuǎn)移到光刻膠下層的材料上。這個(gè)任務(wù)就由刻蝕來完成??涛g就是將涂膠前所淀積的薄膜中沒有被光刻膠(經(jīng)過曝光和顯影后)覆蓋和保護(hù)的那部分去除掉,達(dá)到將光刻膠上的圖形轉(zhuǎn)移到其下層材料上的目的。光刻膠的下層薄膜可能是二氧化硅、氮化硅、多晶硅或者金屬材料。材料不同或圖形不同,刻蝕的要求不同。實(shí)際上,光刻和刻蝕是兩個(gè)不同的加工工藝,但因?yàn)檫@兩個(gè)工藝只有連續(xù)進(jìn)行,才能完成真正意義上的圖形轉(zhuǎn)移,而且在工藝線上,這兩個(gè)工藝經(jīng)常是放在同一工序中,因此有時(shí)也將這兩個(gè)步驟統(tǒng)稱為光刻。
二氧化硅濕法刻蝕:較普通的刻蝕層是熱氧化形成的二氧化硅?;镜目涛g劑是氫氟酸,它有刻蝕二氧化硅而不傷及硅的優(yōu)點(diǎn)。然而,飽和濃度的氫氟酸在室溫下的刻蝕速率約為300A/s。這個(gè)速率對于一個(gè)要求控制的工藝來說太快了。在實(shí)際中,氫氟酸與水或氟化銨及水混合。以氟化銨來緩沖加速刻蝕速率的氫離子的產(chǎn)生。這種刻蝕溶液稱為緩沖氧化物刻蝕或BOE。針對特定的氧化層厚度,他們以不同的濃度混合來達(dá)到合理的刻蝕時(shí)間。一些BOE公式包括一個(gè)濕化劑用以減小刻蝕表面的張力,以使其均勻地進(jìn)入更小的開孔區(qū)。為了復(fù)制硅片表面材料上的掩膜圖形,刻蝕必須滿足一些特殊的要求。
選擇比指的是在同一刻蝕條件下一種材料與另一種材料相比刻蝕速率快多少,它定義為被刻蝕材料的刻蝕速率與另一種材料的刻蝕速率的比?;緝?nèi)容:高選擇比意味著只刻除想要刻去的那一層材料。一個(gè)高選擇比的刻蝕工藝不刻蝕下面一層材料(刻蝕到恰當(dāng)?shù)纳疃葧r(shí)停止)并且保護(hù)的光刻膠也未被刻蝕。圖形幾何尺寸的縮小要求減薄光刻膠厚度。高選擇比在較先進(jìn)的工藝中為了確保關(guān)鍵尺寸和剖面控制是必需的。特別是關(guān)鍵尺寸越小,選擇比要求越高。廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所。濕法腐蝕仍然用來腐蝕硅片上某些層或用來去除干法刻蝕后的殘留物。河南半導(dǎo)體材料刻蝕工藝
刻蝕也可以分成有圖形刻蝕和無圖形刻蝕。佛山GaN材料刻蝕技術(shù)
刻蝕技術(shù)(etchingtechnique),是在半導(dǎo)體工藝,按照掩模圖形或設(shè)計(jì)要求對半導(dǎo)體襯底表面或表面覆蓋薄膜進(jìn)行選擇性腐蝕或剝離的技術(shù)??涛g技術(shù)不*是半導(dǎo)體器件和集成電路的基本制造工藝,而且還應(yīng)用于薄膜電路、印刷電路和其他微細(xì)圖形的加工??涛g還可分為濕法刻蝕和干法刻蝕。普通的刻蝕過程大致如下:先在表面涂敷一層光致抗蝕劑,然后透過掩模對抗蝕劑層進(jìn)行選擇性曝光,由于抗蝕劑層的已曝光部分和未曝光部分在顯影液中溶解速度不同,經(jīng)過顯影后在襯底表面留下了抗蝕劑圖形,以此為掩模就可對襯底表面進(jìn)行選擇性腐蝕。如果襯底表面存在介質(zhì)或金屬層,則選擇腐蝕以后,圖形就轉(zhuǎn)移到介質(zhì)或金屬層上。佛山GaN材料刻蝕技術(shù)
廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所辦公設(shè)施齊全,辦公環(huán)境優(yōu)越,為員工打造良好的辦公環(huán)境。致力于創(chuàng)造***的產(chǎn)品與服務(wù),以誠信、敬業(yè)、進(jìn)取為宗旨,以建芯辰實(shí)驗(yàn)室,微納加工產(chǎn)品為目標(biāo),努力打造成為同行業(yè)中具有影響力的企業(yè)。公司不**提供專業(yè)的面向半導(dǎo)體光電子器件、功率電子器件、MEMS、生物芯片等前沿領(lǐng)域,致力于打造***的公益性、開放性、支撐性樞紐中心。平臺擁有半導(dǎo)體制備工藝所需的整套儀器設(shè)備,建立了一條實(shí)驗(yàn)室研發(fā)線和一條中試線,加工尺寸覆蓋2-6英寸(部分8英寸),同時(shí)形成了一支與硬件有機(jī)結(jié)合的專業(yè)人才隊(duì)伍。平臺當(dāng)前緊抓技術(shù)創(chuàng)新和公共服務(wù),面向國內(nèi)外高校、科研院所以及企業(yè)提供開放共享,為技術(shù)咨詢、創(chuàng)新研發(fā)、技術(shù)驗(yàn)證以及產(chǎn)品中試提供支持。,同時(shí)還建立了完善的售后服務(wù)體系,為客戶提供良好的產(chǎn)品和服務(wù)。自公司成立以來,一直秉承“以質(zhì)量求生存,以信譽(yù)求發(fā)展”的經(jīng)營理念,始終堅(jiān)持以客戶的需求和滿意為重點(diǎn),為客戶提供良好的微納加工技術(shù)服務(wù),真空鍍膜技術(shù)服務(wù),紫外光刻技術(shù)服務(wù),材料刻蝕技術(shù)服務(wù),從而使公司不斷發(fā)展壯大。
文章來源地址: http://www.cdcfah.com/cp/2711642.html
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