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產(chǎn)品關(guān)鍵詞:山西磁控濺射真空鍍膜平臺(tái),真空鍍膜
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針對(duì)PVD制備薄膜應(yīng)力的解決辦法主要有:1.提高襯底溫度,有利于薄膜和襯底間原子擴(kuò)散,并加速反應(yīng)過(guò)程,有利于形成擴(kuò)散附著,降低內(nèi)應(yīng)力;2.熱退火處理,薄膜中存在的各種缺陷是產(chǎn)生本征應(yīng)力的主要原因,這些缺陷一般都是非平衡缺陷,有自行消失的傾向,山西磁控濺射真空鍍膜平臺(tái),但需要外界給予活化能。對(duì)薄膜進(jìn)行熱處理,非平衡缺陷大量消失,薄膜內(nèi)應(yīng)力卓著降低;3.添加亞層控制多層薄膜應(yīng)力,山西磁控濺射真空鍍膜平臺(tái),利用應(yīng)變相消原理,在薄膜層之間再沉積一層薄膜,控制工藝使其呈現(xiàn)與結(jié)構(gòu)薄膜相反的應(yīng)力狀態(tài),山西磁控濺射真空鍍膜平臺(tái),緩解應(yīng)力帶來(lái)的破壞作用,整體上抵消內(nèi)部應(yīng)力。電子束蒸發(fā)的金屬粒子只能考自身能量附著在襯底表面,臺(tái)階覆蓋性比較差。山西磁控濺射真空鍍膜平臺(tái)
磁控濺射可改變工作氣體與氬氣比例從而進(jìn)行反應(yīng)濺射,例如使用Si靶材,通入一定比例的N2,氬氣作為工作氣體,而氮?dú)庾鳛榉磻?yīng)氣體,較終能得到SiNx薄膜。通入氧氣與氮?dú)鈴亩@得各種材料的氧化物與氮化物薄膜,通過(guò)改變反應(yīng)氣體與工作氣體的比例也能對(duì)濺射速率進(jìn)行調(diào)整,薄膜內(nèi)組分也能相應(yīng)調(diào)整。但反應(yīng)氣體過(guò)量時(shí)可能會(huì)造成靶中毒。磁控濺射還可用于不同金屬合金的共濺射,同時(shí)使用多個(gè)靶qiang電源和不同靶材,例如TiW合金,通過(guò)獨(dú)自調(diào)整Ti、W的濺射速率,同時(shí)開始濺射2種材料,則在襯底上可以形成Ti/W合計(jì),對(duì)不同材料的速率進(jìn)行調(diào)節(jié),即能滿足不同組分的要求。福建功率器件真空鍍膜外協(xié)PECVD當(dāng)中沉積速率過(guò)快,會(huì)導(dǎo)致氧化硅薄膜速率過(guò)快,說(shuō)明薄膜質(zhì)量比較差。
利用PECVD生長(zhǎng)的氮化硅薄膜具有以下優(yōu)點(diǎn):1.均勻性和重復(fù)性好,可大面積成膜2.可在低溫下成膜3.臺(tái)階覆蓋性比較好 4.薄膜成分和厚度容易控制 5.應(yīng)用范圍廣,設(shè)備簡(jiǎn)單,易于產(chǎn)業(yè)化。磁控濺射的優(yōu)勢(shì)在于可根據(jù)靶材的性質(zhì)來(lái)選擇使用不同的靶qiang進(jìn)行濺射,靶qiang分為射頻靶(RF)、直流靶(DC)、直流脈沖靶(DC Pluse)。其中射頻靶主要用于導(dǎo)電性較差的氧化物、陶瓷等介質(zhì)膜的濺射,也可以進(jìn)行常規(guī)金屬材料濺射。直流靶只能用于導(dǎo)電性較好的金屬材料,而直流脈沖靶介于二者之間,可濺射硅、鍺等半導(dǎo)體材料。
物理的氣相沉積技術(shù)具有膜/基結(jié)合力好、薄膜均勻致密、薄膜厚度可控性好、應(yīng)用的靶材普遍、濺射范圍寬、可沉積厚膜、可制取成分穩(wěn)定的合金膜和重復(fù)性好等優(yōu)點(diǎn)。同時(shí),物理的氣相沉積技術(shù)由于其工藝處理溫度可控制在500℃以下。化學(xué)氣相沉積技術(shù)是把含有構(gòu)成薄膜元素的單質(zhì)氣體或化合物供給基體,借助氣相作用或基體表面上的化學(xué)反應(yīng),在基體上制出金屬或化合物薄膜的方法,主要包括常壓化學(xué)氣相沉積、低壓化學(xué)氣相沉積和兼有CVD和PVD兩者特點(diǎn)的等離子化學(xué)氣相沉積等。利用PECVD生長(zhǎng)的氮化硅薄膜均勻性和重復(fù)性好,可大面積成膜。
磁控濺射一般金屬鍍膜大都采用直流濺鍍,而不導(dǎo)電的陶磁材料則使用RF交流濺鍍,基本的原理是在真空中利用輝光放電(glowdischarge)將氬氣(Ar)離子撞擊靶材(target)表面,電漿中的陽(yáng)離子會(huì)加速?zèng)_向作為被濺鍍材的負(fù)電極表面,這個(gè)沖擊將使靶材的物質(zhì)飛出而沉積在基板上形成薄膜。PECVD等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積,等離子體是物質(zhì)分子熱運(yùn)動(dòng)加劇,相互間的碰撞會(huì)導(dǎo)致氣體分子產(chǎn)生電離,物質(zhì)就會(huì)變成自由運(yùn)動(dòng)并由相互作用的正離子、電子和中性粒子組成的混合物。蒸發(fā)速率正比于材料的飽和蒸氣壓,溫度變化10%左右,飽和蒸氣壓就要變化一個(gè)數(shù)量級(jí)左右。湖北叉指電極真空鍍膜技術(shù)
磁控濺射主要利用輝光放電將氬氣離子撞擊靶材表面,靶材的原子被彈出而堆積在基板表面形成薄膜。山西磁控濺射真空鍍膜平臺(tái)
熱氧化是在一定的溫度和氣體條件下,使硅片表面氧化一定厚度的氧化硅的。主要有干法氧化和濕法氧化,干法氧化是在硅片表面通入氧氣,硅片與氧化反應(yīng)生成氧化硅,氧化速率比較慢,氧化膜厚容易控制。濕法氧化在爐管當(dāng)中通入氧氣和氫氣,兩者反應(yīng)生長(zhǎng)水蒸氣,水蒸氣與硅片表面反應(yīng)生長(zhǎng)氧化硅,濕法氧化,速率比較快,可以生長(zhǎng)比較厚的薄膜。對(duì)于薄膜應(yīng)力主要有以下原因:1.薄膜生長(zhǎng)初始階段,薄膜面和界面的表面張力的共同作用;2.沉積過(guò)程中膜面溫度遠(yuǎn)高于襯底溫度產(chǎn)生熱應(yīng)變;3.薄膜和襯底間點(diǎn)陣錯(cuò)配而產(chǎn)生界面應(yīng)力;4.金屬膜氧化后氧化物原子體積增大產(chǎn)生壓應(yīng)力;5.斜入射造成各向異性成核、生長(zhǎng);6.薄膜內(nèi)產(chǎn)生相變或化學(xué)組分改變導(dǎo)致原子體積變化。山西磁控濺射真空鍍膜平臺(tái)
廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所專注技術(shù)創(chuàng)新和產(chǎn)品研發(fā),發(fā)展規(guī)模團(tuán)隊(duì)不斷壯大。公司目前擁有專業(yè)的技術(shù)員工,為員工提供廣闊的發(fā)展平臺(tái)與成長(zhǎng)空間,為客戶提供高質(zhì)的產(chǎn)品服務(wù),深受員工與客戶好評(píng)。公司以誠(chéng)信為本,業(yè)務(wù)領(lǐng)域涵蓋微納加工技術(shù)服務(wù),真空鍍膜技術(shù)服務(wù),紫外光刻技術(shù)服務(wù),材料刻蝕技術(shù)服務(wù),我們本著對(duì)客戶負(fù)責(zé),對(duì)員工負(fù)責(zé),更是對(duì)公司發(fā)展負(fù)責(zé)的態(tài)度,爭(zhēng)取做到讓每位客戶滿意。公司憑著雄厚的技術(shù)力量、飽滿的工作態(tài)度、扎實(shí)的工作作風(fēng)、良好的職業(yè)道德,樹立了良好的微納加工技術(shù)服務(wù),真空鍍膜技術(shù)服務(wù),紫外光刻技術(shù)服務(wù),材料刻蝕技術(shù)服務(wù)形象,贏得了社會(huì)各界的信任和認(rèn)可。
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