在半導(dǎo)體制造中有兩種基本的刻蝕工藝：干法刻蝕和濕法腐蝕，深圳硅材料刻蝕工藝。干法刻蝕是把硅片表面曝露于氣態(tài)中產(chǎn)生的等離子體，深圳硅材料刻蝕工藝，等離子體通過(guò)光刻膠中開(kāi)出的窗口，與硅片發(fā)生物理或化學(xué)反應(yīng)（或這兩種反應(yīng)），從而去掉曝露的表面材料。干法刻蝕是亞微米尺寸下刻蝕器件的較重要方法。而在濕法腐蝕中，液體化學(xué)試劑（如酸、堿和溶劑等）以化學(xué)方式去除硅片表面的材料。濕法腐蝕一般只是用在尺寸較大的情況下（大于3微米）。濕法腐蝕仍然用來(lái)腐蝕硅片上某些層或用來(lái)去除干法刻蝕后的殘留物。刻蝕成了通過(guò)溶液，深圳硅材料刻蝕工藝、反應(yīng)離子或其它機(jī)械方式來(lái)剝離、去除材料的一種統(tǒng)稱。深圳硅材料刻蝕工藝

GaN材料的刻蝕一般采用光刻膠來(lái)做掩膜，但是刻蝕GaN和光刻膠，選擇比接近1:1，如果需要刻蝕深度超過(guò)3微米以上就需要采用厚膠來(lái)做掩膜。對(duì)于刻蝕更深的GaN,那就需要采用氧化硅來(lái)做刻蝕的掩模，刻蝕GaN的氣體對(duì)于刻蝕氧化硅刻蝕比例可以達(dá)到8:1。深硅刻蝕是MEMS器件工藝當(dāng)中很重要的一個(gè)工藝，根據(jù)不同應(yīng)用對(duì)深硅刻蝕有不同的側(cè)壁形貌要求，深硅刻蝕的刻蝕方式有BOSCH工藝、Cryo工藝、mix工藝，而常用的工藝是用BOSCH工藝，刻蝕深度可以達(dá)到400微米，深寬選擇比可以達(dá)到20:1.吉林Si材料刻蝕外協(xié)無(wú)圖形刻蝕、反刻或剝離是在整個(gè)硅片沒(méi)有掩模的情況下進(jìn)行的，這種刻蝕工藝用于剝離掩模層。

刻蝕也可以分成有圖形刻蝕和無(wú)圖形刻蝕。有圖形刻蝕采用掩蔽層（有圖形的光刻膠）來(lái)定義要刻蝕掉的表面材料區(qū)域，只有硅片上被選擇的這一部分在刻蝕過(guò)程中刻掉。有圖形刻蝕可用來(lái)在硅片上制作多種不同的特征圖形，包括柵、金屬互連線、通孔、接觸孔和溝槽。無(wú)圖形刻蝕、反刻或剝離是在整個(gè)硅片沒(méi)有掩模的情況下進(jìn)行的，這種刻蝕工藝用于剝離掩模層。反刻是在想要把某一層膜的總的厚度減小時(shí)采用的（如當(dāng)平坦化硅片表面時(shí)需要減小形貌特征）。廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所。

濕法刻蝕是將刻蝕材料浸泡在腐蝕液內(nèi)進(jìn)行腐蝕的技術(shù)，是利用合適的化學(xué)試劑先將未被光刻膠覆蓋的晶片部分分解，然后轉(zhuǎn)成可溶的化合物達(dá)到去除的目的。濕法刻蝕是刻蝕的一種方法,其他的有干刻蝕，等離子刻蝕等。濕法刻蝕這種刻蝕技術(shù)主要是借助腐蝕液和晶片材料的化學(xué)反應(yīng)，因此我們可以借助化學(xué)試劑的選取、配比以及溫度的控制等來(lái)達(dá)到合適的刻蝕速率和良好的刻蝕選擇比。濕法刻蝕的過(guò)程：（1）反應(yīng)物擴(kuò)散到欲被刻蝕材料的表面；（2）反應(yīng)物與被刻蝕材料反應(yīng)；（3）反應(yīng)后的產(chǎn)物離開(kāi)刻蝕表面擴(kuò)散到溶液中，隨溶液被排出。同樣的刻蝕條件，針對(duì)不同的刻蝕暴露面積，刻蝕的速率會(huì)有所不一樣。

選擇比指的是在同一刻蝕條件下一種材料與另一種材料相比刻蝕速率快多少，它定義為被刻蝕材料的刻蝕速率與另一種材料的刻蝕速率的比?；緝?nèi)容：高選擇比意味著只刻除想要刻去的那一層材料。一個(gè)高選擇比的刻蝕工藝不刻蝕下面一層材料（刻蝕到恰當(dāng)?shù)纳疃葧r(shí)停止）并且保護(hù)的光刻膠也未被刻蝕。圖形幾何尺寸的縮小要求減薄光刻膠厚度。高選擇比在較先進(jìn)的工藝中為了確保關(guān)鍵尺寸和剖面控制是必需的。特別是關(guān)鍵尺寸越小，選擇比要求越高。廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所。原位芯片目前掌握多種刻蝕工藝，并會(huì)根據(jù)客戶的需求，設(shè)計(jì)刻蝕效果好且性價(jià)比高的刻蝕解決方案。吉林Si材料刻蝕外協(xié)

刻蝕是按照掩模圖形或設(shè)計(jì)要求對(duì)半導(dǎo)體襯底表面或表面覆蓋薄膜進(jìn)行選擇性刻蝕的技術(shù)。深圳硅材料刻蝕工藝

鋁膜濕法刻蝕：對(duì)于鋁和鋁合金層有選擇性的刻蝕溶液是居于磷酸的。遺憾的是，鋁和磷酸反應(yīng)的副產(chǎn)物是微小的氫氣泡。這些氣泡附著在晶圓表面，并阻礙刻蝕反應(yīng)。結(jié)果既可能產(chǎn)生導(dǎo)致相鄰引線短路的鋁橋連，又可能在表面形成不希望出現(xiàn)的雪球的鋁點(diǎn)。特殊配方鋁刻蝕溶液的使用緩解了這個(gè)問(wèn)題。典型的活性溶液成分配比是：16：1：1：2。除了特殊配方外，典型的鋁刻蝕工藝還會(huì)包含以攪拌或上下移動(dòng)晶圓舟的攪動(dòng)。有時(shí)超聲波或兆頻超聲波也用來(lái)去除氣泡。深圳硅材料刻蝕工藝

廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所致力于電子元器件，是一家服務(wù)型的公司。廣東省半導(dǎo)體所致力于為客戶提供良好的微納加工技術(shù)服務(wù)，真空鍍膜技術(shù)服務(wù)，紫外光刻技術(shù)服務(wù)，材料刻蝕技術(shù)服務(wù)，一切以用戶需求為中心，深受廣大客戶的歡迎。公司注重以質(zhì)量為中心，以服務(wù)為理念，秉持誠(chéng)信為本的理念，打造電子元器件良好品牌。廣東省半導(dǎo)體所秉承“客戶為尊、服務(wù)為榮、創(chuàng)意為先、技術(shù)為實(shí)”的經(jīng)營(yíng)理念，全力打造公司的重點(diǎn)競(jìng)爭(zhēng)力。

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