干法刻蝕也可以根據(jù)被刻蝕的材料類型來分類。按材料來分，刻蝕主要分成三種：金屬刻蝕、介質(zhì)刻蝕、和硅刻蝕。介質(zhì)刻蝕是用于介質(zhì)材料的刻蝕，如二氧化硅。接觸孔和通孔結(jié)構(gòu)的制作需要刻蝕介質(zhì)，從而在ILD中刻蝕出窗口，而具有高深寬比（窗口的深與寬的比值）的窗口刻蝕具有一定的挑戰(zhàn)性，貴州ICP材料刻蝕廠商。硅刻蝕（包括多晶硅）應(yīng)用于需要去除硅的場合，貴州ICP材料刻蝕廠商，如刻蝕多晶硅晶體管柵和硅槽電容。金屬刻蝕主要是在金屬層上去掉鋁合金復(fù)合層，貴州ICP材料刻蝕廠商，制作出互連線。廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所。等離子刻蝕是將電磁能量（通常為射頻（RF））施加到含有化學(xué)反應(yīng)成分（如氟或氯）的氣體中實(shí)現(xiàn)。貴州ICP材料刻蝕廠商

硅材料在MEMS器件當(dāng)中是很重要的一種材料。在硅材料刻蝕當(dāng)中，應(yīng)用于醫(yī)美方向的硅針刻蝕需要用到各向同性刻蝕，縱向和橫向同時(shí)刻蝕，硅柱的刻蝕需要用到各項(xiàng)異性刻蝕，主要是在垂直方向刻蝕，而橫向盡量少刻蝕。氮化鎵基超表面結(jié)構(gòu)當(dāng)中，氮化鎵材料的刻蝕需要使用氧化硅作為掩膜來刻蝕，而氧化硅的刻蝕需要使用Cr充當(dāng)硬掩模。所以工藝當(dāng)中，需要先在氮化鎵表面使用PECVD沉積一層氧化硅，采用剝離的方法在氧化硅表面生長一層Cr，使用ICP設(shè)備依次刻蝕氧化硅和氮化鎵。ICP刻蝕可以調(diào)節(jié)的刻蝕參數(shù)有：ICP 功率，功率值越大，等離子體密度越大，射頻功率，功率值越大，等離子體能量越大，物理濺射加強(qiáng)。GaN的刻蝕一般是采用氯氣和三氯化硼，氣體比例的變化可以調(diào)節(jié)物理轟擊和化學(xué)反應(yīng)的平衡。貴州ICP材料刻蝕廠商刻蝕技術(shù)主要應(yīng)用于半導(dǎo)體器件，集成電路制造，薄膜電路，印刷電路和其他微細(xì)圖形的加工等。

二氧化硅的干法刻蝕：刻蝕原理氧化物的等離子體刻蝕工藝大多采用含有氟碳化合物的氣體進(jìn)行刻蝕。使用的氣體有四氟化碳(CF)、八氟丙烷(C，F(xiàn)8)、三氟甲烷(CHF3)等，常用的是CF和CHFCF的刻蝕速率比較高但對(duì)多晶硅的選擇比不好，CHF3的聚合物生產(chǎn)速率較高，非等離子體狀態(tài)下的氟碳化合物化學(xué)穩(wěn)定性較高，且其化學(xué)鍵比SiF的化學(xué)鍵強(qiáng)，不會(huì)與硅或硅的氧化物反應(yīng)。選擇比的改變?cè)诋?dāng)今半導(dǎo)體工藝中，Si02的干法刻蝕主要用于接觸孔與金屬間介電層連接洞的非等向性刻蝕方面。前者在S102下方的材料是Si，后者則是金屬層，通常是TiN（氮化鈦），因此在Si02的刻蝕中，Si07與Si或TiN的刻蝕選擇比是一個(gè)比較重要的因素。

工藝所用化學(xué)物質(zhì)取決于要刻蝕的薄膜類型。介電刻蝕應(yīng)用中通常使用含氟的化學(xué)物質(zhì)。硅和金屬刻蝕使用含氯成分的化學(xué)物質(zhì)。在工藝中可能會(huì)對(duì)一個(gè)薄膜層或多個(gè)薄膜層執(zhí)行特定的刻蝕步驟。當(dāng)需要處理多層薄膜時(shí)，以及刻蝕中必須精確停在某個(gè)特定薄膜層而不對(duì)其造成損傷時(shí)，刻蝕工藝的選擇比就變得非常重要。選擇比是兩個(gè)刻蝕速率的比率：被去除層的刻蝕速率與被保護(hù)層的刻蝕速率（例如刻蝕掩膜或終止層）。掩?；蛲Ｖ箤樱┩ǔ６枷Ｍ懈叩倪x擇比。刻蝕工藝：把未被抗蝕劑掩蔽的薄膜層除去，從而在薄膜上得到與抗蝕劑膜上完全相同圖形的工藝。

同樣的刻蝕條件，針對(duì)不同的刻蝕暴露面積，刻蝕的速率會(huì)有所不一樣。通常來說，刻蝕面積越大，刻蝕的速率越慢，暴露面積越小，刻蝕的速率越快。所以在速率調(diào)試的過程中，需要使用尺寸相當(dāng)?shù)臉悠愤M(jìn)來調(diào)試，這樣調(diào)試的刻蝕速率參考意義比較大。氮化硅濕法刻蝕：對(duì)于鈍化層，另外一種受青睞的化合物是氮化硅?？梢杂靡后w化學(xué)的方法來刻蝕，但是不想其他層那樣容易。使用的化學(xué)品是熱磷酸。因酸液在此溫度下會(huì)迅速蒸發(fā)，所以刻蝕要在一個(gè)裝有冷卻蓋的密封回流容器中進(jìn)行。主要問題是光刻膠層經(jīng)不起刻蝕劑的溫度和高刻蝕速率。因此，需要一層二氧化硅或其他材料來阻擋刻蝕劑。這兩個(gè)因素已導(dǎo)致對(duì)于氮化硅使用干法刻蝕技術(shù)。刻蝕流片的速度與刻蝕速率密切相關(guān)噴淋流量的大小決定了基板表面藥液置換速度的快慢。湖北氮化硅材料刻蝕加工平臺(tái)

濕法刻蝕是一個(gè)純粹的化學(xué)反應(yīng)過程。貴州ICP材料刻蝕廠商

等離子刻蝕是干法刻蝕中較常見的一種形式。一種或多種氣體原子或分子混合于反應(yīng)腔室中，在外部能量作用下（如射頻、微波等）形成等離子體。其原理是暴露在電子區(qū)域的氣體形成等離子體，由此產(chǎn)生的電離氣體和釋放高能電子組成的氣體，從而形成了等離子或離子，電離氣體原子通過電場加速時(shí)，會(huì)釋放足夠的力量與表面驅(qū)逐力緊緊粘合材料或蝕刻表面。一個(gè)等離子體干法刻蝕系統(tǒng)基本部件包括：發(fā)生刻蝕反應(yīng)的反應(yīng)腔、產(chǎn)生等離子體氣的射頻電源、氣體流量控制系統(tǒng)、去除生成物的真空系統(tǒng)?？涛g中會(huì)用到大量的化學(xué)氣體，通常用氟刻蝕二氧化硅，氯和氟刻蝕鋁，氯、氟和溴刻蝕硅，氧去除光刻膠。貴州ICP材料刻蝕廠商

廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所主要經(jīng)營范圍是電子元器件，擁有一支專業(yè)技術(shù)團(tuán)隊(duì)和良好的市場口碑。公司業(yè)務(wù)涵蓋微納加工技術(shù)服務(wù)，真空鍍膜技術(shù)服務(wù)，紫外光刻技術(shù)服務(wù)，材料刻蝕技術(shù)服務(wù)等，價(jià)格合理，品質(zhì)有保證。公司秉持誠信為本的經(jīng)營理念，在電子元器件深耕多年，以技術(shù)為先導(dǎo)，以自主產(chǎn)品為重點(diǎn)，發(fā)揮人才優(yōu)勢(shì)，打造電子元器件良好品牌。廣東省半導(dǎo)體所憑借創(chuàng)新的產(chǎn)品、專業(yè)的服務(wù)、眾多的成功案例積累起來的聲譽(yù)和口碑，讓企業(yè)發(fā)展再上新高。

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