需求數(shù)量:0
價格要求:面議
所在地:廣東省
包裝要求:
產(chǎn)品關(guān)鍵詞:安徽金屬真空鍍膜多少錢,真空鍍膜
***更新:2021-01-09 04:25:20
瀏覽次數(shù):0次
聯(lián)系我們
當前位置:首頁?產(chǎn)品供應(yīng)?電子元器件?電子材料、零部件、結(jié)構(gòu)件?半導(dǎo)體材料?安徽金屬真空鍍膜多少錢 廣東省科學院半導(dǎo)體研究所供應(yīng)
需求數(shù)量:0
價格要求:面議
所在地:廣東省
包裝要求:
產(chǎn)品關(guān)鍵詞:安徽金屬真空鍍膜多少錢,真空鍍膜
***更新:2021-01-09 04:25:20
瀏覽次數(shù):0次
聯(lián)系我們聯(lián)系人:曾昭燴
郵箱: 512480780@qq.com
電話: 15018420573
傳真: 020_
網(wǎng)址: http://www.gdssli.com
手機: 020-61086422
地址: 長興路363號
[當前離線] [加為商友] [發(fā)送信件]
詳細說明
PECVD工藝中由于等離子體中高速運動的電子撞擊到中性的反應(yīng)氣體分子,就會使中性反應(yīng)氣體分子變成碎片或處于活動的狀態(tài)容易發(fā)生反應(yīng),以在襯底在300-350℃就可以得到良好的氧化硅或者氮化硅薄膜,安徽金屬真空鍍膜多少錢,可以在器件當中作為鈍化絕緣層,來提高器件的可靠性。等離子體化學氣相沉積法,利用了等離子體的活性來促進反應(yīng),使化學反應(yīng)能在較低的溫度下進行。優(yōu)點是:反應(yīng)溫度降低,安徽金屬真空鍍膜多少錢,安徽金屬真空鍍膜多少錢,沉積速率較快,成膜質(zhì)量好,不容易破裂。缺點是:設(shè)備投資大、對氣管有特殊要求。利用PECVD生長的氮化硅薄膜薄膜應(yīng)用范圍廣,設(shè)備簡單,易于產(chǎn)業(yè)化。安徽金屬真空鍍膜多少錢
在等離子增強化學氣相沉積(PECVD)工藝中,由等離子體輔助化學反應(yīng)過程。在等離子體輔助下,200 到500°C的工藝溫度足以實現(xiàn)成品膜層的制備,因此該技術(shù)降低了基材的溫度負荷。等離子可在接近基片的周圍被激發(fā)(近程等離子法)。而對于半導(dǎo)體硅片等敏感型基材,輻射和離子轟擊可能損壞基材。另一方面,在遠程等離子法中,等離子體與基材間設(shè)有空間隔斷。隔斷不僅能夠保護基材,也允許激發(fā)混合工藝氣體的特定成分。然而,為保證化學反應(yīng)在被活動的粒子真正抵達基材表面時才開始進行,需精心設(shè)計工藝過程。黑龍江貴金屬真空鍍膜加工廠通過PVD制備的薄膜通常存在應(yīng)力問題,不同材料與襯底間可能存在壓應(yīng)力或張應(yīng)力。
磁控濺射的工作原理是指電子在外加電場的作用下,在飛向襯底過程中與氬原子發(fā)生碰撞,使其電離產(chǎn)生出Ar正離子和新的電子;新電子飛向襯底,Ar離子在電場作用下加速飛向陰極靶,并以高能量轟擊靶表面,使靶材發(fā)生濺射。在濺射粒子中,中性的靶原子或分子沉積在基片上形成薄膜,而產(chǎn)生的二次電子會受到電場和磁場作用,被束縛在靠近靶表面的等離子體區(qū)域內(nèi),以近似擺線形式在靶表面做圓周運動,并且在該區(qū)域中電離出大量的Ar 來轟擊靶材,從而實現(xiàn)了高的沉積速率。隨著碰撞次數(shù)的增加,二次電子的能量消耗殆盡,逐漸遠離靶表面,并在電場的作用下較終沉積在襯底上。由于該電子的能量很低,傳遞給襯底的能量很小,致使襯底溫升較低。
PECVD反應(yīng)過程中,反應(yīng)氣體從進氣口進入爐腔,逐漸擴散至襯底表面,在射頻源激發(fā)的電場作用下,反應(yīng)氣體分解成電子、離子和活性基團等。分解物發(fā)生化學反應(yīng),生成形成膜的初始成分和副反應(yīng)物,這些生成物以化學鍵的形式吸附到樣品表面,生成固態(tài)膜的晶核,晶核逐漸生長成島狀物,島狀物繼續(xù)生長成連續(xù)的薄膜。在薄膜生長過程中,各種副產(chǎn)物從膜的表面逐漸脫離,在真空泵的作用下從出口排出?;瘜W氣相沉積法(CVD)是一種利用化學反應(yīng)的方式,將反應(yīng)氣體生成固態(tài)的產(chǎn)物,并沉積在基片表面的薄膜沉積技術(shù)。主要有常壓CVD、LPCVD(低壓氣相沉積法)、PECVD(等離子體增強氣相沉積法)等方法。磁控濺射常用來沉積TSV結(jié)構(gòu)的阻擋層和種子層,通過對相關(guān)參數(shù)的調(diào)整和引入負偏壓。
真空鍍膜的工藝流程:真空鍍膜的工藝流程一般依次為:前處理及化學清洗(材料進行有機清洗和無機清洗)→襯底真空中烘烤加熱→等離子體清洗→金屬離子轟擊→鍍金屬過渡層→鍍膜(通入反應(yīng)氣體)。PECVD,等離子體化學氣相沉積法是借助微波或射頻等使含有薄膜組成原子的氣體電離,使局部形成等離子體,而等離子體化學活性很強,兩種或多種氣體很容易發(fā)生反應(yīng),在襯底上沉積出所期待的薄膜。為了使化學反應(yīng)能在較低的溫度下進行,利用了等離子體的活性來促進反應(yīng),因此,這種CVD稱為等離子體增強化學氣相沉積。薄膜應(yīng)力的起源是薄膜生長過程中的某種結(jié)構(gòu)不完整性、表面能態(tài)的存在、薄膜與基底界面間的晶格錯配等。吉林金屬真空鍍膜實驗室
PECVD當中沉積速率的快慢也會影響到薄膜的質(zhì)量。安徽金屬真空鍍膜多少錢
LPCVD工藝在襯底表面淀積一層均勻的介質(zhì)薄膜,在微納加工當中用于結(jié)構(gòu)層材料、xi牲層、絕緣層、掩模材料,LPCVD工藝淀積的材料有多晶硅、氮化硅、磷硅玻璃。不同的材料淀積采用不同的氣體。磁控濺射方向性要優(yōu)于電子束蒸發(fā),但薄膜質(zhì)量,表面粗糙度等方面不如電子束蒸發(fā)。但磁控濺射可用于多種材料,適用性普遍,電子束蒸發(fā)則只能用于金屬材料蒸鍍,且高熔點金屬,如W,Mo等的蒸鍍較為困難。所以磁控濺射常用于新型氧化物,陶瓷材料的鍍膜,電子束則用于對薄膜質(zhì)量較高的金屬材料。安徽金屬真空鍍膜多少錢
廣東省科學院半導(dǎo)體研究所專注技術(shù)創(chuàng)新和產(chǎn)品研發(fā),發(fā)展規(guī)模團隊不斷壯大。公司目前擁有較多的高技術(shù)人才,以不斷增強企業(yè)重點競爭力,加快企業(yè)技術(shù)創(chuàng)新,實現(xiàn)穩(wěn)健生產(chǎn)經(jīng)營。廣東省科學院半導(dǎo)體研究所主營業(yè)務(wù)涵蓋微納加工技術(shù)服務(wù),真空鍍膜技術(shù)服務(wù),紫外光刻技術(shù)服務(wù),材料刻蝕技術(shù)服務(wù),堅持“質(zhì)量保證、良好服務(wù)、顧客滿意”的質(zhì)量方針,贏得廣大客戶的支持和信賴。一直以來公司堅持以客戶為中心、微納加工技術(shù)服務(wù),真空鍍膜技術(shù)服務(wù),紫外光刻技術(shù)服務(wù),材料刻蝕技術(shù)服務(wù)市場為導(dǎo)向,重信譽,保質(zhì)量,想客戶之所想,急用戶之所急,全力以赴滿足客戶的一切需要。
文章來源地址: http://www.cdcfah.com/cp/2766454.html
本企業(yè)其它產(chǎn)品 更多>>
同類產(chǎn)品推薦 更多>>