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產(chǎn)品關(guān)鍵詞:江西貴金屬真空鍍膜代工,真空鍍膜
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在電子束加熱裝置中,被加熱的材料放置于水冷的坩堝當中,可避免蒸發(fā)材料與坩堝壁發(fā)生反應影響薄膜的質(zhì)量,因此,電子束蒸發(fā)沉積法可以制備高純薄膜。LPCVD反應的能量源是熱能,通常其溫度在500℃-1000℃之間,壓力在0.1Torr-2Torr以內(nèi),影響其沉積反應的主要參數(shù)是溫度、壓力和氣體流量,它的主要特征是因為在低壓環(huán)境下,反應氣體的平均自由程及擴散系數(shù)變大,膜厚均勻性好、臺階覆蓋性好。目前采用LPCVD工藝制作的主要材料有:多晶硅、單晶硅、非晶硅、氮化硅等,江西貴金屬真空鍍膜代工。電子束蒸發(fā)法是真空蒸發(fā)鍍膜中常用的一種方法,是在高真空條件下利用電子束進行直接加熱蒸發(fā)材料,使蒸發(fā)材料氣化并向襯底輸運,江西貴金屬真空鍍膜代工,在基底上凝結(jié)形成薄膜的方法,江西貴金屬真空鍍膜代工?;瘜W氣相沉積法是一種利用化學反應的方式,將反應氣體生成固態(tài)的產(chǎn)物,并沉積在基片表面的薄膜沉積技術(shù)。江西貴金屬真空鍍膜代工
PECVD在低溫范圍內(nèi)(200-350℃),沉積速率會隨著基片溫度的升高而略微下降,但不是太明顯。PECVD生長氧化硅薄膜是一個比較復雜的過程,薄膜的沉積速率主要受到反應氣體比例、RF功率、反應室壓力、基片生長溫度等。在一定范圍內(nèi),提高硅烷與笑氣的比例,可提供氧化硅的沉積速率。在RF功率較低的時候,提升RF功率可提升薄膜的沉積速率,當RF增加到一定值后,沉積速率隨RF增大而減少,然后趨于飽和。在一定的氣體總量條件下,沉積速率隨腔體壓力增大而增大。江西貴金屬真空鍍膜代工電子束蒸發(fā)是蒸度高熔點薄膜和高純薄膜的一種主要加熱方法。
電子束蒸發(fā)法是真空蒸發(fā)鍍膜中常用的一種方法,是在高真空條件下利用電子束進行直接加熱蒸發(fā)材料,使蒸發(fā)材料氣化并向襯底輸運,在基底上凝結(jié)形成薄膜的方法。在電子束加熱裝置中,被加熱的材料放置于水冷的坩堝當中,可避免蒸發(fā)材料與坩堝壁發(fā)生反應影響薄膜的質(zhì)量,因此,電子束蒸發(fā)沉積法可以制備高純薄膜。LPCVD反應的能量源是熱能,通常其溫度在500℃-1000℃之間,壓力在0.1Torr-2Torr以內(nèi),影響其沉積反應的主要參數(shù)是溫度、壓力和氣體流量,它的主要特征是因為在低壓環(huán)境下,反應氣體的平均自由程及擴散系數(shù)變大,膜厚均勻性好、臺階覆蓋性好。目前采用LPCVD工藝制作的主要材料有:多晶硅、單晶硅、非晶硅、氮化硅等。
電子束蒸發(fā)蒸鍍?nèi)珂u(W)、鉬(Mo)等高熔點材料,需要在坩堝的結(jié)構(gòu)上做一定的改進。高熔點的材料采用錠或者顆粒狀放在坩堝當中,因為水冷坩堝導熱過快,材料難以達到其蒸發(fā)的溫度。經(jīng)過實驗的驗證,蒸發(fā)高熔點的材料可以用薄片來蒸鍍,將1mm材料薄片架空于碳坩堝上沿,薄片只能通過坩堝邊沿來導熱,散熱速率慢,有利于達到蒸發(fā)的熔點。采用此方法可滿足蒸鍍50nm以下的材料薄膜。在一定溫度下,在真空當中,蒸發(fā)物質(zhì)的蒸氣與固體或液體平衡過程中所表現(xiàn)出的壓力, 稱為該物質(zhì)的飽和蒸氣壓。此時蒸發(fā)物表面液相、氣相處于動態(tài)平衡,即到達液相表面的分子全部粘接而不離開,并與從液相都氣相的分子數(shù)相等。通過PVD制備的薄膜通常存在應力問題,不同材料與襯底間可能存在壓應力或張應力。
熱氧化與化學氣相沉積不同,她是通過氧氣或水蒸氣擴散到硅表面并進行化學反應形成氧化硅。熱氧化形成氧化硅時,會消耗相當于氧化硅膜厚的45%的硅。熱氧化氧化過程主要分兩個步驟:步驟一:氧氣或者水蒸氣等吸附到氧化硅表面,步驟二:氧氣或者水蒸氣等擴散到硅表面,步驟三:氧氣或者水蒸氣等與硅反應生成氧化硅。熱蒸發(fā)主要是三個過程:1.蒸發(fā)材料從固態(tài)轉(zhuǎn)化為氣態(tài)的過程。2.氣化原子或分子在蒸發(fā)源與基底之間的運輸 3.蒸發(fā)原子或分子在襯底表面上淀積過程,即是蒸汽凝聚、成核、核生長、形成連續(xù)薄膜的過程。薄膜應力的起源是薄膜生長過程中的某種結(jié)構(gòu)不完整性、表面能態(tài)的存在、薄膜與基底界面間的晶格錯配等。河北低壓氣相沉積真空鍍膜廠家
電子束蒸發(fā)的金屬粒子只能考自身能量附著在襯底表面,臺階覆蓋性比較差。江西貴金屬真空鍍膜代工
物理的氣相沉積技術(shù)具有膜/基結(jié)合力好、薄膜均勻致密、薄膜厚度可控性好、應用的靶材普遍、濺射范圍寬、可沉積厚膜、可制取成分穩(wěn)定的合金膜和重復性好等優(yōu)點。同時,物理的氣相沉積技術(shù)由于其工藝處理溫度可控制在500℃以下?;瘜W氣相沉積技術(shù)是把含有構(gòu)成薄膜元素的單質(zhì)氣體或化合物供給基體,借助氣相作用或基體表面上的化學反應,在基體上制出金屬或化合物薄膜的方法,主要包括常壓化學氣相沉積、低壓化學氣相沉積和兼有CVD和PVD兩者特點的等離子化學氣相沉積等。江西貴金屬真空鍍膜代工
廣東省科學院半導體研究所專注技術(shù)創(chuàng)新和產(chǎn)品研發(fā),發(fā)展規(guī)模團隊不斷壯大。公司目前擁有較多的高技術(shù)人才,以不斷增強企業(yè)重點競爭力,加快企業(yè)技術(shù)創(chuàng)新,實現(xiàn)穩(wěn)健生產(chǎn)經(jīng)營。廣東省科學院半導體研究所主營業(yè)務涵蓋微納加工技術(shù)服務,真空鍍膜技術(shù)服務,紫外光刻技術(shù)服務,材料刻蝕技術(shù)服務,堅持“質(zhì)量保證、良好服務、顧客滿意”的質(zhì)量方針,贏得廣大客戶的支持和信賴。一直以來公司堅持以客戶為中心、微納加工技術(shù)服務,真空鍍膜技術(shù)服務,紫外光刻技術(shù)服務,材料刻蝕技術(shù)服務市場為導向,重信譽,保質(zhì)量,想客戶之所想,急用戶之所急,全力以赴滿足客戶的一切需要。
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