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氮化硅的干法刻蝕S13N4在半導體工藝中主要用在兩個地方。1,黑龍江Si材料刻蝕價格、用做器件區(qū)的防止氧化保護層(厚約lOOnm)。2、作為器件的鈍化保護層。在這兩個地方刻蝕的圖形尺寸都比較大,非等向的刻蝕就不那么重要了??涛gSi3N4時下方通常是厚約25nm的Si02,為了避免對Si02層的刻蝕,Si3N4與S102之間必須有一定的刻蝕選擇比。S13N4的刻蝕基本上與Si02和Si類似,常用CF4+0等離子體來刻蝕。但是Si-N鍵強度介于Si-Si與Si-0之間,因此使Si3N4對Si或Si02的刻蝕選擇比均不好。在CF4的等離子體中,Si對Si3N4的選擇比約為8,而Si3N4對Si02的選擇比只有2—3,在這么低的刻蝕選擇比下,刻蝕時間的控制就變得非常重要。除了CF4外,也有人改用蘭氟化氮(NF3)的等離子體來刻蝕Si3N4,雖然刻蝕速率較慢,黑龍江Si材料刻蝕價格,黑龍江Si材料刻蝕價格,但可獲得可以接受的Si3N4/Si02的刻蝕選擇比??涛g成了通過溶液、反應離子或其它機械方式來剝離、去除材料的一種統(tǒng)稱。黑龍江Si材料刻蝕價格
“刻蝕”指用化學和物理方法有選擇地從硅片表面去除不需要的材料,是晶圓制造中不可或缺的關(guān)鍵步驟??涛g技術(shù)按工藝可以分為濕法刻蝕與干法刻蝕,其中干法刻蝕是目前8英寸、12英寸先進制程中的主要刻蝕手段,干法刻蝕又多以“等離子體刻蝕”為主導。在刻蝕環(huán)節(jié)中,硅電極產(chǎn)生高電壓,令刻蝕氣體形成電離狀態(tài),其與芯片同時處于刻蝕設(shè)備的同一腔體中,并隨著刻蝕進程而逐步被消耗,因此刻蝕電極也需要達到與晶圓一樣的半導體級的純度(11個9)。東莞硅材料刻蝕技術(shù)等離子會釋放帶正電的離子來撞擊晶圓以去除(刻蝕)材料,并和活性自由基產(chǎn)生化學反應。
雙等離子體源刻蝕機加裝有兩個射頻(RF)功率源,能夠更精確地控制離子密度與離子能量。位于上部的射頻功率源通過電感線圈將能量傳遞給等離子體從而增加離子密度,但是離子濃度增加的同時離子能量也隨之增加。下部加裝的偏置射頻電源通過電容結(jié)構(gòu)能夠降低轟擊在硅表面離子的能量而不影響離子濃度,從而能夠更好地控制刻蝕速率與選擇比。原子層刻蝕(ALE)為下一代刻蝕工藝技術(shù),能夠精確去除材料而不影響其他部分。隨著結(jié)構(gòu)尺寸的不斷縮小,反應離子刻蝕面臨刻蝕速率差異與下層材料損傷等問題。原子層刻蝕(ALE)能夠精密控制被去除材料量而不影響其他部分,可以用于定向刻蝕或生成光滑表面,是刻蝕技術(shù)研究的熱點之一。目前原子層刻蝕在芯片制造領(lǐng)域并沒有取代傳統(tǒng)的等離子刻蝕工藝,而是被用于原子級目標材料精密去除過程。
典型的硅刻蝕是用含氮的物質(zhì)與氫氟酸的混合水溶液。這一配比規(guī)則在控制刻蝕中成為一個重要的因素。在一些比率上,刻蝕硅會有放熱反應。加熱反應所產(chǎn)生的熱可加速刻蝕反應,接下來又產(chǎn)生更多的熱,這樣進行下去會導致工藝無法控制。有時醋酸和其他成分被混合進來控制加熱反應。一些器件要求在晶圓上刻蝕出槽或溝??涛g配方要進行調(diào)整以使刻蝕速率依靠晶圓的取向。取向的晶圓以45°角刻蝕,取向的晶圓以“平”底刻蝕。其他取向的晶圓可以得到不同形狀的溝槽。多晶硅刻蝕也可用基本相同的規(guī)則。有圖形刻蝕采用掩蔽層來定義要刻蝕掉的表面材料區(qū)域,只有硅片上被選擇的這一部分在刻蝕過程中刻掉。
在氧化物中開窗口的過程,可能導致氧化物—硅界面層附近的Si0處發(fā)生鉆蝕。在極端情況下,可以導致氧化物層的脫落。在淺擴散高速晶體管的制造中有時會遇到這一問題。薄膜材料刻蝕所用的化學物與溶解這一類物體的材料是相同的,其作用是將材料轉(zhuǎn)變成可溶性的鹽或復合物。對于每種材料,都有多種刻蝕化學物可選用,它們的特性取決于膜的參數(shù)(如膜的微結(jié)構(gòu)、疏松度和膜的形成過程),同時也取決于所提供的前加工過程的性質(zhì)。它一般有下述特點:(1)膜材料比相應的體材料更容易刻蝕。因此,必須用稀釋的刻蝕劑,以便控制刻蝕速率。(2)受照射的膜一般將被迅速刻蝕。這種情況,包括離子注入的膜,電子束蒸發(fā)生成的膜,甚至前工序中曾在電子束蒸發(fā)環(huán)境中受照射的膜。而某些光刻膠受照射則屬于例外,因為這是由于聚合作用而變得更難刻蝕的緣故。負性膠就是一例。(3)內(nèi)應力大的膜將迅速被刻蝕。膜的應力通常由沉積溫度、沉積技術(shù)和基片溫度所控制。(4)微觀結(jié)構(gòu)差的薄膜,包括多孔膜和疏松結(jié)構(gòu)的膜,將被迅速刻蝕。這樣的膜,??梢酝ㄟ^高于生長溫度的熱處理使其致密化。有圖形刻蝕可用來在硅片上制作多種不同的特征圖形,包括柵、金屬互連線、通孔、接觸孔和溝槽。黑龍江Si材料刻蝕價格
刻蝕是用化學或物理方法有選擇地從硅片表面去除不需要的材料的過程。黑龍江Si材料刻蝕價格
刻蝕是按照掩模圖形或設(shè)計要求對半導體襯底表面或表面覆蓋薄膜進行選擇性刻蝕的技術(shù),它是半導體制造工藝,微電子IC制造工藝以及微納制造工藝中的一種相當重要的步驟。是與光刻相聯(lián)系的圖形化處理的一種主要工藝。刻蝕分為干法刻蝕和濕法腐蝕。原位芯片目前掌握多種刻蝕工藝,并會根據(jù)客戶的需求,設(shè)計刻蝕效果好且性價比高的刻蝕解決方案??涛g技術(shù)主要應用于半導體器件,集成電路制造,薄膜電路,印刷電路和其他微細圖形的加工等。廣東省科學院半導體研究所。黑龍江Si材料刻蝕價格
廣東省科學院半導體研究所位于長興路363號,交通便利,環(huán)境優(yōu)美,是一家服務型企業(yè)。廣東省半導體所是一家****企業(yè),一直“以人為本,服務于社會”的經(jīng)營理念;“誠守信譽,持續(xù)發(fā)展”的質(zhì)量方針。公司擁有專業(yè)的技術(shù)團隊,具有微納加工技術(shù)服務,真空鍍膜技術(shù)服務,紫外光刻技術(shù)服務,材料刻蝕技術(shù)服務等多項業(yè)務。廣東省半導體所順應時代發(fā)展和市場需求,通過**技術(shù),力圖保證高規(guī)格高質(zhì)量的微納加工技術(shù)服務,真空鍍膜技術(shù)服務,紫外光刻技術(shù)服務,材料刻蝕技術(shù)服務。
文章來源地址: http://www.cdcfah.com/cp/2780736.html
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