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產(chǎn)品關(guān)鍵詞:遼寧光刻實驗室,光刻
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產(chǎn)品關(guān)鍵詞:遼寧光刻實驗室,光刻
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光刻膠所屬的微電子化學品是電子行業(yè)與化工行業(yè)交叉的領(lǐng)域,是典型的技術(shù)密集行業(yè)。從事微電子化學品業(yè)務需要具備與電子產(chǎn)業(yè)前沿發(fā)展相匹配的關(guān)鍵生產(chǎn)技術(shù),如混配技術(shù)、分離技術(shù)、純化技術(shù)以及與生產(chǎn)過程相配套的分析檢驗技術(shù)、環(huán)境處理與監(jiān)測技術(shù)等。同時,下游電子產(chǎn)業(yè)多樣化的使用場景要求微電子化學品生產(chǎn)企業(yè)有較強的配套能力,以及時研發(fā)和改進產(chǎn)品工藝來滿足客戶的個性化需求,遼寧光刻實驗室。光刻膠的生產(chǎn)工藝主要過程是將感光材料、樹脂、溶劑等主要原料在恒溫恒濕1000級的黃光區(qū)潔凈房進行混合,遼寧光刻實驗室,在氮氣氣體保護下充分攪拌,使其充分混合形成均相液體,經(jīng)過多次過濾,并通過中間過程控制和檢驗,使其達到工藝技術(shù)和質(zhì)量要求,較后做產(chǎn)品檢驗,合格后在氮氣氣體保護下包裝,遼寧光刻實驗室、打標、入庫。邊緣的光刻膠一般涂布不均勻,產(chǎn)生邊緣效應,不能得到很好的圖形,而且容易發(fā)生剝離而影響其它部分的圖形。遼寧光刻實驗室
光聚合型,可形成正性光刻膠,是通過采用了烯類單體,在光作用下生成自由基從而進一步引發(fā)單體聚合,較后生成聚合物的過程;光分解型光刻膠可以制成正性膠,通過采用含有疊氮醌類化合物的材料在經(jīng)過光照后,發(fā)生光分解反應的過程。光交聯(lián)型,即采用聚乙烯醇月桂酸酯等作為光敏材料,在光的作用下,其分子中的雙鍵被打開,并使鏈與鏈之間發(fā)生交聯(lián),形成一種不溶性的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu),從而起到抗蝕作用,是一種典型的負性光刻膠。按照應用領(lǐng)域的不同,光刻膠又可以分為印刷電路板(PCB)用光刻膠、液晶顯示(LCD)用光刻膠、半導體用光刻膠和其他用途光刻膠。PCB 光刻膠技術(shù)壁壘相對其他兩類較低,而半導體光刻膠表示著光刻膠技術(shù)較先進水平。遼寧光刻實驗室光刻涂膠四周呈現(xiàn)放射性條紋,主要可能的原因是光刻膠有顆粒、襯底未清洗干凈。
堅膜,以提高光刻膠在離子注入或刻蝕中保護下表面的能力;進一步增強光刻膠與硅片表面之間的黏附性;進一步減少駐波效應(StandingWaveEffect)。常見問題:a、烘烤不足(Underbake)。減弱光刻膠的強度(抗刻蝕能力和離子注入中的阻擋能力);降低小孔填充能力(GapfillCapabilityfortheneedlehole);降低與基底的黏附能力。b、烘烤過度(Overbake)。引起光刻膠的流動,使圖形精度降低,分辨率變差。另外還可以用深紫外線(DUV,DeepUltra-Violet)堅膜。使正性光刻膠樹脂發(fā)生交聯(lián)形成一層薄的表面硬殼,增加光刻膠的熱穩(wěn)定性。在后面的等離子刻蝕和離子注入(125~200C)工藝中減少因光刻膠高溫流動而引起分辨率的降低。
光刻膠是微電子技術(shù)中微細圖形加工的關(guān)鍵材料之一,特別是近年來大規(guī)模和超大規(guī)模集成電路的發(fā)展,更是促進了光刻膠的研究開發(fā)和應用。印刷工業(yè)是光刻膠應用的另一重要領(lǐng)域。1954 年由明斯克等人首先研究成功的聚乙烯醇肉桂酸脂就是用于印刷工業(yè)的,以后才用于電子工業(yè)。光刻膠是一種有機化合物,它被紫外光曝光后,在顯影溶液中的溶解度會發(fā)生變化。硅片制造中所用的光刻膠以液態(tài)涂在硅片表面,而后**燥成膠膜。光刻膠的技術(shù)復雜,品種較多。根據(jù)其化學反應機理和顯影原理,可分負性膠和正性膠兩類。光照后形成不可溶物質(zhì)的是負性膠;反之,對某些溶劑是不可溶的,經(jīng)光照后變成可溶物質(zhì)的即為正性膠。利用這種性能,將光刻膠作涂層,就能在硅片表面刻蝕所需的電路圖形?;诟泄鈽渲幕瘜W結(jié)構(gòu),光刻膠可以分為三種類型。在掩膜板與光刻膠之間使用透鏡聚集光實現(xiàn)曝光。
光刻(Photolithography)是一種圖形轉(zhuǎn)移的方法,在微納加工當中不可或缺的技術(shù)。光刻是一個比較大的概念,其實它是有多步工序所組成的。1.清洗:清洗襯底表面的有機物。2.旋涂:將光刻膠旋涂在襯底表面。3.曝光。將光刻版與襯底對準,在紫外光下曝光一定的時間。4.顯影:將曝光后的襯底在顯影液下顯影一定的時間,受過紫外線曝光的地方會溶解在顯影液當中。5.后烘。將顯影后的襯底放置熱板上后烘,以增強光刻膠與襯底之前的粘附力。光刻是將掩模版上的圖形轉(zhuǎn)移到涂有光致抗蝕劑(或稱光刻膠)的襯底上,通過一系列生產(chǎn)步驟將硅片表面薄膜的特定部分除去的一種圖形轉(zhuǎn)移技術(shù)。光刻技術(shù)是借用照相技術(shù)、平板印刷技術(shù)的基礎(chǔ)上發(fā)展起來的半導體關(guān)鍵工藝技術(shù)。光刻技術(shù)成為一種精密的微細加工技術(shù)。遼寧光刻實驗室
接觸式曝光只適于分立元件和中、小規(guī)模集成電路的生產(chǎn)。遼寧光刻實驗室
根據(jù)曝光方式的不同,光刻機主要分為接觸式,接近式以及投影式三種。接觸式光刻機,曝光時,光刻版壓在涂有光刻膠的襯底上,優(yōu)點是設備簡單,分辨率高,沒有衍射效應,缺點是光刻版與涂有光刻膠的晶圓片直接接觸,每次接觸都會在晶圓片和光刻版上產(chǎn)生缺陷,降低光刻版使用壽命,成品率低。接近式光刻機,光刻版與光刻膠有一個很小的縫隙,因為光刻版與襯底沒有接觸,缺陷減少,優(yōu)點是避免晶圓片與光刻版直接接觸,缺陷少,缺點是分辨率低,存在衍射效應。投影式曝光,一般光學系統(tǒng)將掩模版上的圖像縮小4x或5x倍,聚焦并與硅片上已有的圖形對準后曝光,每次曝光一小部分,曝完一個圖形后,硅片移動到下一個曝光位置繼續(xù)對準曝光,這種曝光方式分辨率比較高,但不產(chǎn)生缺陷。遼寧光刻實驗室
廣東省科學院半導體研究所主營品牌有芯辰實驗室,微納加工,發(fā)展規(guī)模團隊不斷壯大,該公司服務型的公司。是一家****企業(yè),隨著市場的發(fā)展和生產(chǎn)的需求,與多家企業(yè)合作研究,在原有產(chǎn)品的基礎(chǔ)上經(jīng)過不斷改進,追求新型,在強化內(nèi)部管理,完善結(jié)構(gòu)調(diào)整的同時,良好的質(zhì)量、合理的價格、完善的服務,在業(yè)界受到寬泛好評。以滿足顧客要求為己任;以顧客永遠滿意為標準;以保持行業(yè)優(yōu)先為目標,提供***的微納加工技術(shù)服務,真空鍍膜技術(shù)服務,紫外光刻技術(shù)服務,材料刻蝕技術(shù)服務。廣東省半導體所將以真誠的服務、創(chuàng)新的理念、***的產(chǎn)品,為彼此贏得全新的未來!
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