需求數量:0
價格要求:面議
所在地:廣東省
包裝要求:
產品關鍵詞:浙江叉指電極真空鍍膜技術,真空鍍膜
***更新:2021-01-11 04:23:18
瀏覽次數:0次
聯(lián)系我們
當前位置:首頁?產品供應?電子元器件?電子材料、零部件、結構件?半導體材料?浙江叉指電極真空鍍膜技術 廣東省科學院半導體研究所供應
聯(lián)系人:曾昭燴
郵箱: 512480780@qq.com
電話: 15018420573
傳真: 020_
網址: http://www.gdssli.com
手機: 020-61086422
地址: 長興路363號
[當前離線] [加為商友] [發(fā)送信件]
詳細說明
磁控濺射一般金屬鍍膜大都采用直流濺鍍,而不導電的陶磁材料則使用RF交流濺鍍,基本的原理是在真空中利用輝光放電(glowdischarge)將氬氣(Ar)離子撞擊靶材(target)表面,電漿中的陽離子會加速沖向作為被濺鍍材的負電極表面,這個沖擊將使靶材的物質飛出而沉積在基板上形成薄膜,浙江叉指電極真空鍍膜技術,浙江叉指電極真空鍍膜技術。PECVD等離子增強化學氣相沉積,等離子體是物質分子熱運動加劇,相互間的碰撞會導致氣體分子產生電離,浙江叉指電極真空鍍膜技術,物質就會變成自由運動并由相互作用的正離子、電子和中性粒子組成的混合物。PECVD薄膜的沉積速率主要受到反應氣體比例、RF功率、反應室壓力、基片生長溫度等。浙江叉指電極真空鍍膜技術
真空蒸發(fā)鍍膜是在真空室中,加熱蒸發(fā)容器待形成薄膜的原材料,使其原子或者分子從表面氣化逸出,形成蒸汽流,入射到襯底或者基片表面,凝結形成固態(tài)薄膜的方法。真空蒸發(fā)鍍膜法,設備比較簡單、容易操作、制成的薄膜純度高、質量好、膜厚容易控制,成膜速率快,效果高。在蒸發(fā)溫度以上進行蒸發(fā)試,蒸發(fā)源溫度的微小變化即可引起蒸發(fā)速率發(fā)生很大變化。因此,在鍍膜過程中,想要控制蒸發(fā)速率,必須精確控制蒸發(fā)源的溫度,加熱時應盡量避免產生過大的溫度梯度。蒸發(fā)速率正比于材料的飽和蒸氣壓,溫度變化10%左右,飽和蒸氣壓就要變化一個數量級左右。河北共濺射真空鍍膜加工廠商電子束蒸發(fā)是蒸度高熔點薄膜和高純薄膜的一種主要加熱方法。
常用的薄膜制備方式主要有兩種,其中一種是物理的氣相沉積(PVD),PVD的方法有磁控濺射鍍膜、電子束蒸發(fā)鍍膜、熱阻蒸發(fā)等。另一種是化學氣相沉積法(CVD),主要有常壓CVD、LPCVD(低壓氣相沉積法)、PECVD(等離子體增強氣相沉積法)等方法。解決靶中毒主要有以下幾種方法;1.使用射頻電源進行濺射;2.采用閉環(huán)控制反應氣體通入流量;3.使用孿生靶交替濺射;4.控制鍍膜模式的變換:在鍍膜前,采集靶中毒的遲滯效應曲線,使進氣流量控制在產生靶中毒的前沿,確保工藝過程始終處于沉積速率陡降前的模式。
反應濺射工藝進行過程中靶表面濺射區(qū)域內出現被反應生成物覆蓋或反應生成物被剝離而重新暴露金屬表面此消彼長的過程。如果化合物的生成速率大于化合物被剝離的速率,化合物覆蓋面積增加。在一定功率的情況下,參與化合物生成的反應氣體量增加,化合物生成率增加。如果反應氣體量增加過度,化合物覆蓋面積增加,如果不能及時調整反應氣體流量,化合物覆蓋面積增加的速率得不到防止,濺射溝道將進一步被化合物覆蓋,當濺射靶被化合物全部覆蓋的時候,靶完全中毒,不能繼續(xù)濺射。影響靶中毒的因素主要是反應氣體和濺射氣體的比例,反應氣體過量就會導致靶中毒。通過PVD制備的薄膜通常存在應力問題,不同材料與襯底間可能存在壓應力或張應力。
在薄膜生長過程中,各種副產物從膜的表面逐漸脫離,在真空泵的作用下從出口排出?;瘜W氣相沉積法(CVD)是一種利用化學反應的方式,將反應氣體生成固態(tài)的產物,并沉積在基片表面的薄膜沉積技術。主要有常壓CVD、LPCVD(低壓氣相沉積法)、PECVD(等離子體增強氣相沉積法)等方法。PECVD反應過程中,反應氣體從進氣口進入爐腔,逐漸擴散至襯底表面,在射頻源激發(fā)的電場作用下,反應氣體分解成電子、離子和活性基團等。分解物發(fā)生化學反應,生成形成膜的初始成分和副反應物,這些生成物以化學鍵的形式吸附到樣品表面,生成固態(tài)膜的晶核,晶核逐漸生長成島狀物,島狀物繼續(xù)生長成連續(xù)的薄膜。熱氧化是在一定的溫度和氣體條件下,使硅片表面氧化一定厚度的氧化硅的。主要有干法氧化和濕法氧化。遼寧真空鍍膜多少錢
磁控濺射常用于新型氧化物,陶瓷材料的鍍膜,電子束則用于對薄膜質量較高的金屬材料。浙江叉指電極真空鍍膜技術
磁控濺射可改變工作氣體與氬氣比例從而進行反應濺射,例如使用Si靶材,通入一定比例的N2,氬氣作為工作氣體,而氮氣作為反應氣體,較終能得到SiNx薄膜。通入氧氣與氮氣從而獲得各種材料的氧化物與氮化物薄膜,通過改變反應氣體與工作氣體的比例也能對濺射速率進行調整,薄膜內組分也能相應調整。但反應氣體過量時可能會造成靶中毒。磁控濺射還可用于不同金屬合金的共濺射,同時使用多個靶qiang電源和不同靶材,例如TiW合金,通過獨自調整Ti、W的濺射速率,同時開始濺射2種材料,則在襯底上可以形成Ti/W合計,對不同材料的速率進行調節(jié),即能滿足不同組分的要求。浙江叉指電極真空鍍膜技術
廣東省科學院半導體研究所屬于電子元器件的高新企業(yè),技術力量雄厚。是一家****企業(yè),隨著市場的發(fā)展和生產的需求,與多家企業(yè)合作研究,在原有產品的基礎上經過不斷改進,追求新型,在強化內部管理,完善結構調整的同時,良好的質量、合理的價格、完善的服務,在業(yè)界受到寬泛好評。公司業(yè)務涵蓋微納加工技術服務,真空鍍膜技術服務,紫外光刻技術服務,材料刻蝕技術服務,價格合理,品質有保證,深受廣大客戶的歡迎。廣東省半導體所以創(chuàng)造***產品及服務的理念,打造高指標的服務,引導行業(yè)的發(fā)展。
文章來源地址: http://www.cdcfah.com/cp/2794855.html
本企業(yè)其它產品 更多>>