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產(chǎn)品關(guān)鍵詞:中山感應耦合等離子刻蝕材料刻蝕,材料刻蝕
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產(chǎn)品關(guān)鍵詞:中山感應耦合等離子刻蝕材料刻蝕,材料刻蝕
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等離子刻蝕是將電磁能量(通常為射頻(RF))施加到含有化學反應成分(如氟或氯)的氣體中實現(xiàn)。等離子會釋放帶正電的離子來撞擊晶圓以去除(刻蝕)材料,并和活性自由基產(chǎn)生化學反應,與刻蝕的材料反應形成揮發(fā)性或非揮發(fā)性的殘留物。離子電荷會以垂直方向射入晶圓表面,中山感應耦合等離子刻蝕材料刻蝕。這樣會形成近乎垂直的刻蝕形貌,這種形貌是現(xiàn)今密集封裝芯片設計中制作細微特征所必需的。一般而言,高蝕速率(在一定時間內(nèi)去除的材料量)都會受到歡迎。反應離子刻蝕(RIE)的目標是在物理刻蝕和化學刻蝕之間達到較佳平衡,使物理撞擊(刻蝕率)強度足以去除必要的材料,同時適當?shù)幕瘜W反應能形成易于排出的揮發(fā)性殘留物或在剩余物上形成保護性沉積(選擇比和形貌控制)。采用磁場增強的RIE工藝,通過增加離子密度而不增加離子能量(可能會損失晶圓)的方式,改進了處理過程,中山感應耦合等離子刻蝕材料刻蝕,中山感應耦合等離子刻蝕材料刻蝕。ICP刻蝕設備能夠進行(氮化鎵)、(氮化硅)、(氧化硅)、(鋁鎵氮)等半導體材料進行刻蝕。中山感應耦合等離子刻蝕材料刻蝕
等離子體刻蝕機要求相同的元素:化學刻蝕劑和能量源。物理上,等離子體刻蝕劑由反應室、真空系統(tǒng)、氣體供應、終點檢測和電源組成。晶圓被送入反應室,并由真空系統(tǒng)把內(nèi)部壓力降低。在真空建立起來后,將反應室內(nèi)充入反應氣體。對于二氧化硅刻蝕,氣體一般使用CF4和氧的混合劑。電源通過在反應室中的電極創(chuàng)造了一個射頻電場。能量場將混合氣體激發(fā)或等離子體狀態(tài)。在激發(fā)狀態(tài),氟刻蝕二氧化硅,并將其轉(zhuǎn)化為揮發(fā)性成分由真空系統(tǒng)排出。廣東省科學院半導體研究所。中山感應耦合等離子刻蝕材料刻蝕刻蝕是用化學或物理方法有選擇地從硅片表面去除不需要的材料的過程。
反應離子刻蝕:這種刻蝕過程同時兼有物理和化學兩種作用。輝光放電在零點幾到幾十帕的低真空下進行。硅片處于陰極電位,放電時的電位大部分降落在陰極附近。大量帶電粒子受垂直于硅片表面的電場加速,垂直入射到硅片表面上,以較大的動量進行物理刻蝕,同時它們還與薄膜表面發(fā)生強烈的化學反應,產(chǎn)生化學刻蝕作用。選擇合適的氣體組分,不僅可以獲得理想的刻蝕選擇性和速度,還可以使活性基團的壽命短,這就有效地阻止了因這些基團在薄膜表面附近的擴散所能造成的側(cè)向反應,較大提高了刻蝕的各向異性特性。反應離子刻蝕是超大規(guī)模集成電路工藝中比較有發(fā)展前景的一種刻蝕方法。
不過,芯片用單晶硅材料對材料內(nèi)部微缺陷率水平的要求較高,對加工環(huán)節(jié)的硅片表面顆粒和雜質(zhì)含量、表面平整度、應力和機械強度等參數(shù)指標有更為嚴格的要求。這些特性導致芯片用單晶硅材料的研發(fā)和生產(chǎn),需要合理設計加工環(huán)節(jié)的工藝流程,同時也需要更先進的加工設備。通過刻蝕用單晶硅材料在全球半導體產(chǎn)業(yè)鏈中“見縫插針”的,已經(jīng)擁有了穩(wěn)定的基本盤。向芯片用單晶硅材料賽道進發(fā),既是對創(chuàng)業(yè)初心的回歸,更是應對下游需求變化的戰(zhàn)略調(diào)整,有望再一次驅(qū)動的強勁增長。材料是工業(yè)之母,隨著更多關(guān)鍵材料和設備的突破,中國終將在全球半導體產(chǎn)業(yè)鏈中揚眉吐氣。濕法刻蝕是指利用溶液與預刻蝕材料之間的化學反應來去除未被掩蔽膜材料掩蔽的部分而達到刻蝕目的。
對于被刻蝕材料和掩蔽層材料(例如光刻膠)的選擇比SR可通過下式計算:SR=Ef/Er;其中,Ef為被刻蝕材料的刻蝕速率,Er為掩蔽層材料的刻蝕速率(如光刻膠);根據(jù)這個公式,選擇比通常表示為一個比值,一個選擇比差的工藝這一比值可能是1:1,意味著被刻蝕的材料與光刻膠掩蔽層被去除地一樣快,而一個選擇比高的工藝這一比值可能是100:1,說明被刻蝕材料的刻蝕速率為不要被刻蝕材料的(如光刻膠)刻蝕速率的100倍。廣東省科學院半導體研究所。工藝所用化學物質(zhì)取決于要刻蝕的薄膜類型。中山感應耦合等離子刻蝕材料刻蝕
等離子體刻蝕機要求相同的元素:化學刻蝕劑和能量源。中山感應耦合等離子刻蝕材料刻蝕
等向性刻蝕:大部份的濕刻蝕液均是等向性,換言之,對刻蝕接觸點之任何方向腐蝕速度并無明顯差異。故一旦定義好刻蝕掩膜的圖案,暴露出來的區(qū)域,便是往下腐蝕的所在;蘭記婚只要刻蝕配方具高選擇性,便應當止于所該止之深度。然而有鑒于任何被蝕薄膜皆有其厚度,當其被蝕出某深度時,刻蝕掩膜圖案邊緣的部位漸與刻蝕液接觸,故刻蝕液也開始對刻蝕掩膜圖案邊緣的底部,進行蝕掏,這就是所謂的下切或側(cè)向侵蝕現(xiàn)象(undercut)。該現(xiàn)象造成的圖案側(cè)向誤差與被蝕薄膜厚度同數(shù)量級,換言之,濕刻蝕技術(shù)因之而無法應用在類似次微米線寬的精密棄擊乃制程技術(shù)!中山感應耦合等離子刻蝕材料刻蝕
廣東省科學院半導體研究所位于長興路363號。廣東省半導體所致力于為客戶提供良好的微納加工技術(shù)服務,真空鍍膜技術(shù)服務,紫外光刻技術(shù)服務,材料刻蝕技術(shù)服務,一切以用戶需求為中心,深受廣大客戶的歡迎。公司將不斷增強企業(yè)重點競爭力,努力學習行業(yè)知識,遵守行業(yè)規(guī)范,植根于電子元器件行業(yè)的發(fā)展。廣東省半導體所秉承“客戶為尊、服務為榮、創(chuàng)意為先、技術(shù)為實”的經(jīng)營理念,全力打造公司的重點競爭力。
文章來源地址: http://www.cdcfah.com/cp/2838903.html
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