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產(chǎn)品關(guān)鍵詞:山西MEMS材料刻蝕代工,材料刻蝕
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等離子刻蝕是干法刻蝕中較常見的一種形式。一種或多種氣體原子或分子混合于反應(yīng)腔室中,在外部能量作用下(如射頻、微波等)形成等離子體。其原理是暴露在電子區(qū)域的氣體形成等離子體,由此產(chǎn)生的電離氣體和釋放高能電子組成的氣體,從而形成了等離子或離子,電離氣體原子通過(guò)電場(chǎng)加速時(shí),會(huì)釋放足夠的力量與表面驅(qū)逐力緊緊粘合材料或蝕刻表面。一個(gè)等離子體干法刻蝕系統(tǒng)基本部件包括:發(fā)生刻蝕反應(yīng)的反應(yīng)腔、產(chǎn)生等離子體氣的射頻電源、氣體流量控制系統(tǒng),山西MEMS材料刻蝕代工、去除生成物的真空系統(tǒng),山西MEMS材料刻蝕代工。刻蝕中會(huì)用到大量的化學(xué)氣體,通常用氟刻蝕二氧化硅,氯和氟刻蝕鋁,氯、氟和溴刻蝕硅,山西MEMS材料刻蝕代工,氧去除光刻膠。濕法刻蝕是一個(gè)純粹的化學(xué)反應(yīng)過(guò)程。山西MEMS材料刻蝕代工
干刻蝕是一類較新型,但迅速為半導(dǎo)體工業(yè)所采用的技術(shù)。其利用電漿(plasma)來(lái)進(jìn)行半導(dǎo)體薄膜材料的刻蝕加工。其中電漿必須在真空度約10至0.001Torr的環(huán)境下,才有可能被激發(fā)出來(lái);而干刻蝕采用的氣體,或轟擊質(zhì)量頗巨,或化學(xué)活性極高,均能達(dá)成刻蝕的目的。干刻蝕基本上包括離子轟擊與化學(xué)反應(yīng)兩部份刻蝕機(jī)制。偏「離子轟擊」效應(yīng)者使用氬氣(argon),加工出來(lái)之邊緣側(cè)向侵蝕現(xiàn)象極微。而偏化學(xué)反應(yīng)效應(yīng)者則采氟系或氯系氣體(如四氟化碳CF4),經(jīng)激發(fā)出來(lái)的電漿,即帶有氟或氯之離子團(tuán),可快速與芯片表面材質(zhì)反應(yīng)。刪轎厚干刻蝕法可直接利用光阻作刻蝕之阻絕遮幕,不必另行成長(zhǎng)阻絕遮幕之半導(dǎo)體材料。而其較重要的優(yōu)點(diǎn),能兼顧邊緣側(cè)向侵蝕現(xiàn)象極微與高刻蝕率兩種優(yōu)點(diǎn),換言之,本技術(shù)中所謂活性離子刻蝕已足敷頁(yè)堡局滲次微米線寬制程技術(shù)的要求,而正被大量使用。山西MEMS材料刻蝕代工刻蝕是用化學(xué)或物理方法有選擇的從硅片表面去除不需要的材料的過(guò)程。
反應(yīng)離子刻蝕(RIE)是當(dāng)前常用技術(shù)路徑,屬于物理和化學(xué)混合刻蝕。在傳統(tǒng)的反應(yīng)離子刻蝕機(jī)中,進(jìn)入反應(yīng)室的氣體會(huì)被分解電離為等離子體,等離子體由反應(yīng)正離子、自由基、反應(yīng)原子等組成。反應(yīng)正離子會(huì)轟擊硅片表面形成物理刻蝕,同時(shí)被轟擊的硅片表面化學(xué)活性被提高,之后硅片會(huì)與自由基和反應(yīng)原子形成化學(xué)刻蝕。這個(gè)過(guò)程中由于離子轟擊帶有方向性,RIE技術(shù)具有較好的各向異性。目前先進(jìn)集成電路制造技術(shù)中用于刻蝕關(guān)鍵層的刻蝕方法是高密度等離子體刻蝕技術(shù)。傳統(tǒng)的RIE系統(tǒng)難以使刻蝕物質(zhì)進(jìn)入高深寬比圖形中并將殘余生成物從中排出,因此不能滿足0.25μm以下尺寸的加工要求,解決辦法是增加等離子體的密度。高密度等離子體刻蝕技術(shù)主要分為電子回旋加速振蕩(ECR)、電容或電感耦合等離子體(CCP/ICP)、雙等離子體源等。
早期的刻蝕技術(shù)為濕法刻蝕,就是將刻蝕材料浸泡在腐蝕液中進(jìn)行腐蝕的技術(shù)。這個(gè)過(guò)程是純化學(xué)腐蝕的過(guò)程。濕法刻蝕具有良好的選擇性,例如實(shí)驗(yàn)室經(jīng)常采用磷酸來(lái)腐蝕鋁金屬化,而不會(huì)腐蝕金屬化層間的介質(zhì)層材料;半導(dǎo)體制造過(guò)程中用調(diào)配后的氫氟酸(加入NH4F緩沖液)來(lái)腐蝕二氧化硅,而不會(huì)對(duì)光刻膠造成過(guò)量的傷害。隨著半導(dǎo)體特征尺寸的不斷減小,濕法刻蝕逐漸**法刻蝕所替代。其原因在于濕法刻蝕是各向同性的,橫向刻蝕的寬度接近于縱向刻蝕的深度,因此會(huì)產(chǎn)生鉆蝕的現(xiàn)象,因此在小尺寸的制程中,濕法刻蝕的精度控制非常困難,并且可重復(fù)性差。等離子刻蝕是將電磁能量(通常為射頻(RF))施加到含有化學(xué)反應(yīng)成分(如氟或氯)的氣體中實(shí)現(xiàn)。
不過(guò),芯片用單晶硅材料對(duì)材料內(nèi)部微缺陷率水平的要求較高,對(duì)加工環(huán)節(jié)的硅片表面顆粒和雜質(zhì)含量、表面平整度、應(yīng)力和機(jī)械強(qiáng)度等參數(shù)指標(biāo)有更為嚴(yán)格的要求。這些特性導(dǎo)致芯片用單晶硅材料的研發(fā)和生產(chǎn),需要合理設(shè)計(jì)加工環(huán)節(jié)的工藝流程,同時(shí)也需要更先進(jìn)的加工設(shè)備。通過(guò)刻蝕用單晶硅材料在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中“見縫插針”的,已經(jīng)擁有了穩(wěn)定的基本盤。向芯片用單晶硅材料賽道進(jìn)發(fā),既是對(duì)創(chuàng)業(yè)初心的回歸,更是應(yīng)對(duì)下游需求變化的戰(zhàn)略調(diào)整,有望再一次驅(qū)動(dòng)的強(qiáng)勁增長(zhǎng)。材料是工業(yè)之母,隨著更多關(guān)鍵材料和設(shè)備的突破,中國(guó)終將在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中揚(yáng)眉吐氣。刻蝕是按照掩模圖形或設(shè)計(jì)要求對(duì)半導(dǎo)體襯底表面或表面覆蓋薄膜進(jìn)行選擇性刻蝕的技術(shù)。湖南Si材料刻蝕廠家
刻蝕工藝:把未被抗蝕劑掩蔽的薄膜層除去,從而在薄膜上得到與抗蝕劑膜上完全相同圖形的工藝。山西MEMS材料刻蝕代工
在Si片上形成具有垂直側(cè)壁的高深寬比溝槽結(jié)構(gòu)是制備先進(jìn)MEMS器件的關(guān)鍵工藝,其各向異性刻蝕要求非常嚴(yán)格。高深寬比的干法刻蝕技術(shù)以其刻蝕速率快、各向異性較強(qiáng)、污染少等優(yōu)點(diǎn)脫穎而出,成為MEMS器件加工的關(guān)鍵技術(shù)之一。BOSCH工藝,又名TMDE(Time Multiplexed Deep Etching)工藝,是一個(gè)刻蝕—鈍化—刻蝕的循環(huán)過(guò)程,以達(dá)到對(duì)硅材料進(jìn)行高深寬比、各向異性刻蝕的目的。 BOSCH工藝的原理是在反應(yīng)腔室中輪流通入鈍化氣體C4F8與刻蝕氣體SF6與樣品進(jìn)行反應(yīng),工藝的整個(gè)過(guò)程是淀積鈍化層步驟與刻蝕步驟的反復(fù)交替。其中保護(hù)氣體C4F8在高密度等離子體的作用下分解生成碳氟聚合物保護(hù)層,沉積在已經(jīng)做好圖形的樣品表面。山西MEMS材料刻蝕代工
廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所專注技術(shù)創(chuàng)新和產(chǎn)品研發(fā),發(fā)展規(guī)模團(tuán)隊(duì)不斷壯大。公司目前擁有較多的高技術(shù)人才,以不斷增強(qiáng)企業(yè)重點(diǎn)競(jìng)爭(zhēng)力,加快企業(yè)技術(shù)創(chuàng)新,實(shí)現(xiàn)穩(wěn)健生產(chǎn)經(jīng)營(yíng)。誠(chéng)實(shí)、守信是對(duì)企業(yè)的經(jīng)營(yíng)要求,也是我們做人的基本準(zhǔn)則。公司致力于打造***的微納加工技術(shù)服務(wù),真空鍍膜技術(shù)服務(wù),紫外光刻技術(shù)服務(wù),材料刻蝕技術(shù)服務(wù)。公司力求給客戶提供全數(shù)良好服務(wù),我們相信誠(chéng)實(shí)正直、開拓進(jìn)取地為公司發(fā)展做正確的事情,將為公司和個(gè)人帶來(lái)共同的利益和進(jìn)步。經(jīng)過(guò)幾年的發(fā)展,已成為微納加工技術(shù)服務(wù),真空鍍膜技術(shù)服務(wù),紫外光刻技術(shù)服務(wù),材料刻蝕技術(shù)服務(wù)行業(yè)出名企業(yè)。
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