刻蝕是使用化學或者物理方法有選擇地從硅片表面去除不需要材料的過程，常用的設備為刻蝕機等。通常的晶圓加工流程中，刻蝕工藝位于光刻工藝之后，有圖形的光刻膠層在刻蝕中不會受到腐蝕源的明顯侵蝕，從而完成圖形轉(zhuǎn)移的工藝步驟，湖南Si材料刻蝕技術(shù)。為在硅片表面材料上復制掩膜圖案，刻蝕需要滿足一定的參數(shù)，主要有：刻蝕速率、刻蝕剖面，湖南Si材料刻蝕技術(shù)、刻蝕偏差和選擇比等，湖南Si材料刻蝕技術(shù)。刻蝕速率指刻蝕過程中去除硅片表面材料的速度；刻蝕剖面指的是刻蝕圖形的側(cè)壁形狀，通常分為各向同性和各向異性剖面；刻蝕偏差指的是線寬或關(guān)鍵尺寸間距的變化，通常由橫向鉆蝕引起；選擇比指的是同一刻蝕條件下兩種材料刻蝕速率比，高選擇比意味著不需要的材料會被刻除。原位芯片目前掌握多種刻蝕工藝，并會根據(jù)客戶的需求，設計刻蝕效果好且性價比高的刻蝕解決方案。湖南Si材料刻蝕技術(shù)

干法刻蝕也可以根據(jù)被刻蝕的材料類型來分類。按材料來分，刻蝕主要分成三種：金屬刻蝕、介質(zhì)刻蝕、和硅刻蝕。介質(zhì)刻蝕是用于介質(zhì)材料的刻蝕，如二氧化硅。接觸孔和通孔結(jié)構(gòu)的制作需要刻蝕介質(zhì)，從而在ILD中刻蝕出窗口，而具有高深寬比（窗口的深與寬的比值）的窗口刻蝕具有一定的挑戰(zhàn)性。硅刻蝕（包括多晶硅）應用于需要去除硅的場合，如刻蝕多晶硅晶體管柵和硅槽電容。金屬刻蝕主要是在金屬層上去掉鋁合金復合層，制作出互連線。廣東省科學院半導體研究所。湖北半導體材料刻蝕廠商濕法腐蝕仍然用來腐蝕硅片上某些層或用來去除干法刻蝕后的殘留物。

材料的濕法化學刻蝕，包括刻蝕劑到達材料表面和反應產(chǎn)物離開表面的傳輸過程，也包括表面本身的反應。如果刻蝕劑的傳輸是限制加工的因素，則這種反應受擴散的限制。吸附和解吸也影響濕法刻蝕的速率，而且在整個加工過程中可能是一種限制因素。半導體技術(shù)中的許多刻蝕工藝是在相當緩慢并受速率控制的情況下進行的，這是因為覆蓋在表面上有一污染層。因此，刻蝕時受到反應劑擴散速率的限制。污染層厚度常有幾微米，如果化學反應有氣體逸出，則此層就可能破裂。濕法刻蝕工藝常常有反應物產(chǎn)生，這種產(chǎn)物受溶液的溶解速率的限制。為了使刻蝕速率提高，常常使溶液攪動，因為攪動增強了外擴散效應。多晶和非晶材料的刻蝕是各向異性的。然而，結(jié)晶材料的刻蝕可能是各向同性，也可能是各向異性的，它取決于反應動力學的性質(zhì)。晶體材料的各向同性刻蝕常被稱作拋光刻蝕，因為它們產(chǎn)生平滑的表面。各向異性刻蝕通常能顯示晶面，或使晶體產(chǎn)生缺陷。因此，可用于化學加工，也可作為結(jié)晶刻蝕劑。

在GaN發(fā)光二極管器件制作過程中，刻蝕是一項很重要的工藝。ICP干法刻蝕常用在n型電極制作中，因為在藍寶石襯底上生長LED，n型電極和P型電極位于同一側(cè)，需要刻蝕露出n型層。ICP是近幾年來很常用的一種離子體刻蝕技術(shù)，它在GaN的刻蝕中應用很普遍。ICP刻蝕具有等離子體密度和等離子體的轟擊能量單獨可控，低壓強獲得高密度等離子體，在保持高刻蝕速率的同事能夠產(chǎn)生高的選擇比和低損傷的刻蝕表面等優(yōu)勢。ICP（感應耦合等離子）刻蝕GaN是物料濺射和化學反應相結(jié)合的復雜過程。刻蝕GaN主要使用到氯氣和三氯化硼，刻蝕過程中材料表面表面的Ga-N鍵在離子轟擊下破裂，此為物理濺射，產(chǎn)生活性的Ga和N原子，氮原子相互結(jié)合容易析出氮氣，Ga原子和Cl離子生成容易揮發(fā)的GaCl2或者GaCl3。溫度越高刻蝕效率越高，但是溫度過高工藝方面波動較大，只要通過設備自帶溫控器和點檢確認。

干法刻蝕是芯片制造領(lǐng)域較主要的表面材料去除方法，擁有更好的剖面控制。干刻蝕法按作用機理分為：物理刻蝕、化學刻蝕和物理化學綜合作用刻蝕。物理和化學綜合作用機理中，離子轟擊的物理過程可以通過濺射去除表面材料，具有比較強的方向性。離子轟擊可以改善化學刻蝕作用，使反應元素與硅表面物質(zhì)反應效率更高。綜合型干刻蝕法綜合離子濺射與表面反應的優(yōu)點，使刻蝕具有較好的選擇比和線寬控制。在集成電路制造過程中需要多種類型的干法刻蝕工藝，應用涉及硅片上各種材料。被刻蝕材料主要包括介質(zhì)、硅和金屬等，通過與光刻、沉積等工藝多次配合可以形成完整的底層電路、柵極、絕緣層以及金屬通路等。刻蝕技術(shù)主要應用于半導體器件，集成電路制造，薄膜電路，印刷電路和其他微細圖形的加工等。湖南Si材料刻蝕技術(shù)

刻蝕也可以分成有圖形刻蝕和無圖形刻蝕。湖南Si材料刻蝕技術(shù)

介質(zhì)刻蝕是用于介質(zhì)材料的刻蝕，如二氧化硅。干法刻蝕優(yōu)點是：各向異性好，選擇比高，可控性、靈活性、重復性好，細線條操作安全，易實現(xiàn)自動化，無化學廢液，處理過程未引入污染，潔凈度高。缺點是：成本高，設備復雜。干法刻蝕主要形式有純化學過程（如屏蔽式，下游式，桶式），純物理過程（如離子銑），物理化學過程，常用的有反應離子刻蝕RIE，離子束輔助自由基刻蝕ICP等。干法刻蝕方式比較多，一般有：濺射與離子束銑蝕，等離子刻蝕（PlasmaEtching），高壓等離子刻蝕，高密度等離子體（HDP）刻蝕，反應離子刻蝕（RIE）。另外，化學機械拋光CMP，剝離技術(shù)等等也可看成是廣義刻蝕的一些技術(shù)。湖南Si材料刻蝕技術(shù)

廣東省科學院半導體研究所屬于電子元器件的高新企業(yè)，技術(shù)力量雄厚。廣東省半導體所是一家****企業(yè)，一直“以人為本，服務于社會”的經(jīng)營理念;“誠守信譽，持續(xù)發(fā)展”的質(zhì)量方針。公司業(yè)務涵蓋微納加工技術(shù)服務，真空鍍膜技術(shù)服務，紫外光刻技術(shù)服務，材料刻蝕技術(shù)服務，價格合理，品質(zhì)有保證，深受廣大客戶的歡迎。廣東省半導體所以創(chuàng)造***產(chǎn)品及服務的理念，打造高指標的服務，引導行業(yè)的發(fā)展。

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