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產(chǎn)品關(guān)鍵詞:天津低壓氣相沉積真空鍍膜實(shí)驗(yàn)室,真空鍍膜
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薄膜應(yīng)力的起源是薄膜生長(zhǎng)過(guò)程中的某種結(jié)構(gòu)不完整性(雜質(zhì)、空位、晶粒邊界、錯(cuò)位等)、表面能態(tài)的存在、薄膜與基底界面間的晶格錯(cuò)配等磁控濺射由于其內(nèi)部電場(chǎng)的存在,還可在襯底端引入一個(gè)負(fù)偏壓,使濺射速率和材料粒子的方向性增加。所以磁控濺射常用來(lái)沉積TSV結(jié)構(gòu)的阻擋層和種子層,天津低壓氣相沉積真空鍍膜實(shí)驗(yàn)室,通過(guò)對(duì)相關(guān)參數(shù)的調(diào)整和引入負(fù)偏壓,可以實(shí)現(xiàn)高深寬比的薄膜濺射,且深孔內(nèi)壁薄膜連續(xù)和良好的均勻性。通過(guò)PVD制備的薄膜通常存在應(yīng)力問(wèn)題,天津低壓氣相沉積真空鍍膜實(shí)驗(yàn)室,不同材料與襯底間可能存在壓應(yīng)力或張應(yīng)力,在多層膜結(jié)構(gòu)中可能同時(shí)存在多種形式的應(yīng)力,天津低壓氣相沉積真空鍍膜實(shí)驗(yàn)室。等離子體化學(xué)氣相沉積法使局部形成等離子體,而等離子體化學(xué)活性很強(qiáng)。天津低壓氣相沉積真空鍍膜實(shí)驗(yàn)室
PECVD的主要性能指標(biāo),PECVD設(shè)備的主要特點(diǎn),該設(shè)備成膜種類(lèi)為氮化硅,這種PECVD成膜均勻性好、穩(wěn)定性高。每片硅片間不均勻性誤差在5%之內(nèi),同一批硅片間的誤差在6%之內(nèi),不同批次硅片間誤差在7%之內(nèi)。溫度要求比較低,成膜溫度為150℃~500℃,恒溫區(qū)溫度均勻,誤差范圍在2℃之內(nèi),并且在整個(gè)成膜過(guò)程中隨時(shí)間變化小,誤差范圍為2℃/24h之內(nèi)。升溫時(shí)間較短,工作壓力范圍廣,恢復(fù)真空時(shí)間短,設(shè)備封閉性強(qiáng)并且具有溫度控制和計(jì)算機(jī)自動(dòng)監(jiān)控等安全措施功能。除此之外,PECVD與一般CVD相比有更多的優(yōu)點(diǎn)。PECVD主要由工藝管及電阻加熱爐、凈化推舟系統(tǒng)、氣路系統(tǒng)、電氣控制系統(tǒng)、計(jì)算機(jī)控制系統(tǒng)、真空系統(tǒng)6大部分組成。四川等離子體增強(qiáng)氣相沉積真空鍍膜服務(wù)價(jià)格PECVD,等離子體化學(xué)氣相沉積法是借助微波或射頻等使含有薄膜組成原子的氣體電離。
PECVD生長(zhǎng)氧化硅薄膜是一個(gè)比較復(fù)雜的過(guò)程,薄膜的沉積速率主要受到反應(yīng)氣體比例、RF功率、反應(yīng)室壓力、基片生長(zhǎng)溫度等。在一定范圍內(nèi),提高硅烷與笑氣的比例,可提供氧化硅的沉積速率。在RF功率較低的時(shí)候,提升RF功率可提升薄膜的沉積速率,當(dāng)RF增加到一定值后,沉積速率隨RF增大而減少,然后趨于飽和。在一定的氣體總量條件下,沉積速率隨腔體壓力增大而增大。PECVD在低溫范圍內(nèi)(200-350℃),沉積速率會(huì)隨著基片溫度的升高而略微下降,但不是太明顯。
真空蒸發(fā)鍍膜是在真空室中,加熱蒸發(fā)容器待形成薄膜的原材料,使其原子或者分子從表面氣化逸出,形成蒸汽流,入射到襯底或者基片表面,凝結(jié)形成固態(tài)薄膜的方法。真空蒸發(fā)鍍膜法,設(shè)備比較簡(jiǎn)單、容易操作、制成的薄膜純度高、質(zhì)量好、膜厚容易控制,成膜速率快,效果高。在蒸發(fā)溫度以上進(jìn)行蒸發(fā)試,蒸發(fā)源溫度的微小變化即可引起蒸發(fā)速率發(fā)生很大變化。因此,在鍍膜過(guò)程中,想要控制蒸發(fā)速率,必須精確控制蒸發(fā)源的溫度,加熱時(shí)應(yīng)盡量避免產(chǎn)生過(guò)大的溫度梯度。蒸發(fā)速率正比于材料的飽和蒸氣壓,溫度變化10%左右,飽和蒸氣壓就要變化一個(gè)數(shù)量級(jí)左右。磁控濺射常用于新型氧化物,陶瓷材料的鍍膜,電子束則用于對(duì)薄膜質(zhì)量較高的金屬材料。
磁控濺射可用于不同金屬合金的共濺射,同時(shí)使用多個(gè)靶qiang電源和不同靶材,例如TiW合金,通過(guò)獨(dú)自調(diào)整Ti、W的濺射速率,同時(shí)開(kāi)始濺射2種材料,則在襯底上可以形成Ti/W合計(jì),對(duì)不同材料的速率進(jìn)行調(diào)節(jié),即能滿(mǎn)足不同組分的要求。磁控濺射可改變工作氣體與氬氣比例從而進(jìn)行反應(yīng)濺射,例如使用Si靶材,通入一定比例的N2,氬氣作為工作氣體,而氮?dú)庾鳛榉磻?yīng)氣體,較終能得到SiNx薄膜。通入氧氣與氮?dú)鈴亩@得各種材料的氧化物與氮化物薄膜,通過(guò)改變反應(yīng)氣體與工作氣體的比例也能對(duì)濺射速率進(jìn)行調(diào)整,薄膜內(nèi)組分也能相應(yīng)調(diào)整。但反應(yīng)氣體過(guò)量時(shí)可能會(huì)造成靶中毒。薄膜應(yīng)力的起源是薄膜生長(zhǎng)過(guò)程中的某種結(jié)構(gòu)不完整性、表面能態(tài)的存在、薄膜與基底界面間的晶格錯(cuò)配等。福建貴金屬真空鍍膜平臺(tái)
利用PECVD生長(zhǎng)的氮化硅薄膜可在低溫下成膜。天津低壓氣相沉積真空鍍膜實(shí)驗(yàn)室
磁控濺射由于其內(nèi)部電場(chǎng)的存在,還可在襯底端引入一個(gè)負(fù)偏壓,使濺射速率和材料粒子的方向性增加。所以磁控濺射常用來(lái)沉積TSV結(jié)構(gòu)的阻擋層和種子層,通過(guò)對(duì)相關(guān)參數(shù)的調(diào)整和引入負(fù)偏壓,可以實(shí)現(xiàn)高深寬比的薄膜濺射,且深孔內(nèi)壁薄膜連續(xù)和良好的均勻性。通過(guò)PVD制備的薄膜通常存在應(yīng)力問(wèn)題,不同材料與襯底間可能存在壓應(yīng)力或張應(yīng)力,在多層膜結(jié)構(gòu)中可能同時(shí)存在多種形式的應(yīng)力。薄膜應(yīng)力的起源是薄膜生長(zhǎng)過(guò)程中的某種結(jié)構(gòu)不完整性(雜質(zhì)、空位、晶粒邊界、錯(cuò)位等)、表面能態(tài)的存在、薄膜與基底界面間的晶格錯(cuò)配等天津低壓氣相沉積真空鍍膜實(shí)驗(yàn)室
廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所專(zhuān)注技術(shù)創(chuàng)新和產(chǎn)品研發(fā),發(fā)展規(guī)模團(tuán)隊(duì)不斷壯大。一批專(zhuān)業(yè)的技術(shù)團(tuán)隊(duì),是實(shí)現(xiàn)企業(yè)戰(zhàn)略目標(biāo)的基礎(chǔ),是企業(yè)持續(xù)發(fā)展的動(dòng)力。公司業(yè)務(wù)范圍主要包括:微納加工技術(shù)服務(wù),真空鍍膜技術(shù)服務(wù),紫外光刻技術(shù)服務(wù),材料刻蝕技術(shù)服務(wù)等。公司奉行顧客至上、質(zhì)量為本的經(jīng)營(yíng)宗旨,深受客戶(hù)好評(píng)。公司力求給客戶(hù)提供全數(shù)良好服務(wù),我們相信誠(chéng)實(shí)正直、開(kāi)拓進(jìn)取地為公司發(fā)展做正確的事情,將為公司和個(gè)人帶來(lái)共同的利益和進(jìn)步。經(jīng)過(guò)幾年的發(fā)展,已成為微納加工技術(shù)服務(wù),真空鍍膜技術(shù)服務(wù),紫外光刻技術(shù)服務(wù),材料刻蝕技術(shù)服務(wù)行業(yè)出名企業(yè)。
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