真空鍍膜的物理過程：PVD（物理的氣相沉積技術(shù)）的基本原理可分為三個工藝步驟：（1）金屬顆粒的氣化：即鍍料的蒸發(fā)、升華或被濺射從而形成氣化源（2）鍍料粒子（（原子、分子或離子）的遷移：由氣化源供出原子、分子或離子經(jīng)過碰撞，產(chǎn)生多種反應(yīng)。（3）鍍料粒子在基片表面的沉積。磁控濺射主要利用輝光放電(glowdischarge)將氬氣(Ar)離子撞擊靶材(target)表面,靶材的原子被彈出而堆積在基板表面形成薄膜。濺鍍薄膜的性質(zhì)、均勻度都比蒸鍍薄膜來的好，上海電子束蒸發(fā)真空鍍膜實(shí)驗(yàn)室,但是鍍膜速度卻比蒸鍍慢比較多。新型的濺鍍設(shè)備幾乎都使用強(qiáng)力磁鐵將電子成螺旋狀運(yùn)動以加速靶材周圍的氬氣離子化,造成靶與氬氣離子間的撞擊機(jī)率增加，上海電子束蒸發(fā)真空鍍膜實(shí)驗(yàn)室，上海電子束蒸發(fā)真空鍍膜實(shí)驗(yàn)室,提高濺鍍速率。降低PVD制備薄膜的應(yīng)力，可以提高襯底溫度。上海電子束蒸發(fā)真空鍍膜實(shí)驗(yàn)室

使用等離子體增強(qiáng)氣相沉積法（PECVD）可在低溫（200-350℃）沉積出良好的氧化硅薄膜，已被普遍應(yīng)用于半導(dǎo)體器件工藝當(dāng)中。在LED工藝當(dāng)中，因?yàn)镻ECVD生長出的氧化硅薄膜具有結(jié)構(gòu)致密，介電強(qiáng)度高、硬度大等優(yōu)點(diǎn)，而且氧化硅薄膜對可見光波段吸收系數(shù)很小，所以氧化硅被用于芯片的絕緣層和鈍化層。評價氧化硅薄膜的質(zhì)量，較簡單的方法是采用BOE腐蝕氧化硅薄膜，腐蝕速率越慢，薄膜質(zhì)量越致密，反之，腐蝕速率越快，薄膜質(zhì)量越差。另外，沉積速率的快慢也會影響到薄膜的質(zhì)量，沉積速率過快，會導(dǎo)致氧化硅薄膜速率過快，說明薄膜質(zhì)量比較差。廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所。上海電子束蒸發(fā)真空鍍膜實(shí)驗(yàn)室利用PECVD生長的氮化硅薄膜薄膜應(yīng)用范圍廣，設(shè)備簡單，易于產(chǎn)業(yè)化。

磁控濺射可用于不同金屬合金的共濺射，同時使用多個靶qiang電源和不同靶材，例如TiW合金，通過獨(dú)自調(diào)整Ti、W的濺射速率，同時開始濺射2種材料，則在襯底上可以形成Ti/W合計(jì)，對不同材料的速率進(jìn)行調(diào)節(jié)，即能滿足不同組分的要求。磁控濺射可改變工作氣體與氬氣比例從而進(jìn)行反應(yīng)濺射，例如使用Si靶材，通入一定比例的N2，氬氣作為工作氣體，而氮?dú)庾鳛榉磻?yīng)氣體，較終能得到SiNx薄膜。通入氧氣與氮?dú)鈴亩@得各種材料的氧化物與氮化物薄膜，通過改變反應(yīng)氣體與工作氣體的比例也能對濺射速率進(jìn)行調(diào)整，薄膜內(nèi)組分也能相應(yīng)調(diào)整。但反應(yīng)氣體過量時可能會造成靶中毒。

電子束蒸發(fā)：將蒸發(fā)材料置于水冷坩堝中，利用電子束直接加熱使蒸發(fā)材料汽化并在襯底上凝結(jié)形成薄膜，是蒸度高熔點(diǎn)薄膜和高純薄膜的一種主要加熱方法。為了獲得性能良好的半導(dǎo)體電極Al膜，我們通過優(yōu)化工藝參數(shù)，制備了一系列性能優(yōu)越的Al薄膜。通過理論計(jì)算和性能測試，分析比較了電子束蒸發(fā)與磁控濺射兩種方法制備Al膜的特點(diǎn)?？紤]Al膜的致密性就相當(dāng)于考慮Al膜的晶粒的大小，密度以及能達(dá)到均勻化的程度，因?yàn)樗仓苯佑绊慉l膜的其它性能，進(jìn)而影響半導(dǎo)體嘩啦的性能。氣相沉積的多晶Al膜的晶粒尺寸隨著沉積過程中吸附原子或原子團(tuán)在基片表面遷移率的增加而增加。由此可以看出Al膜的晶粒尺寸的大小將取決環(huán)于基片溫度、沉積速度、氣相原子在平行基片方面的速度分量、基片表面光潔度和化學(xué)活性等因素?；瘜W(xué)氣相沉積技術(shù)是借助氣相作用或基體表面上的化學(xué)反應(yīng)，在基體上制出金屬或化合物薄膜的方法。

解決靶中毒主要有以下幾種方法;1.使用射頻電源進(jìn)行濺射；2.采用閉環(huán)控制反應(yīng)氣體通入流量；3.使用孿生靶交替濺射；4.控制鍍膜模式的變換：在鍍膜前，采集靶中毒的遲滯效應(yīng)曲線，使進(jìn)氣流量控制在產(chǎn)生靶中毒的前沿，確保工藝過程始終處于沉積速率陡降前的模式。常用的薄膜制備方式主要有兩種，其中一種是物理的氣相沉積（PVD），PVD的方法有磁控濺射鍍膜、電子束蒸發(fā)鍍膜、熱阻蒸發(fā)等。另一種是化學(xué)氣相沉積法（CVD），主要有常壓CVD、LPCVD（低壓氣相沉積法）、PECVD（等離子體增強(qiáng)氣相沉積法）等方法。薄膜中存在的各種缺陷是產(chǎn)生本征應(yīng)力的主要原因，這些缺陷一般都是非平衡缺陷，有自行消失的傾向。上海電子束蒸發(fā)真空鍍膜實(shí)驗(yàn)室

PECVD生長氧化硅薄膜是一個比較復(fù)雜的過程。上海電子束蒸發(fā)真空鍍膜實(shí)驗(yàn)室

磁控濺射方向性要優(yōu)于電子束蒸發(fā)，但薄膜質(zhì)量，表面粗糙度等方面不如電子束蒸發(fā)。但磁控濺射可用于多種材料，適用性普遍，電子束蒸發(fā)則只能用于金屬材料蒸鍍，且高熔點(diǎn)金屬，如W，Mo等的蒸鍍較為困難。所以磁控濺射常用于新型氧化物，陶瓷材料的鍍膜，電子束則用于對薄膜質(zhì)量較高的金屬材料。LPCVD工藝在襯底表面淀積一層均勻的介質(zhì)薄膜，在微納加工當(dāng)中用于結(jié)構(gòu)層材料、xi牲層、絕緣層、掩模材料，LPCVD工藝淀積的材料有多晶硅、氮化硅、磷硅玻璃。不同的材料淀積采用不同的氣體。上海電子束蒸發(fā)真空鍍膜實(shí)驗(yàn)室

廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所屬于電子元器件的高新企業(yè)，技術(shù)力量雄厚。廣東省半導(dǎo)體所是一家****企業(yè)，一直“以人為本，服務(wù)于社會”的經(jīng)營理念;“誠守信譽(yù)，持續(xù)發(fā)展”的質(zhì)量方針。公司擁有專業(yè)的技術(shù)團(tuán)隊(duì)，具有微納加工技術(shù)服務(wù)，真空鍍膜技術(shù)服務(wù)，紫外光刻技術(shù)服務(wù)，材料刻蝕技術(shù)服務(wù)等多項(xiàng)業(yè)務(wù)。廣東省半導(dǎo)體所自成立以來，一直堅(jiān)持走正規(guī)化、專業(yè)化路線，得到了廣大客戶及社會各界的普遍認(rèn)可與大力支持。

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