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產(chǎn)品關鍵詞:吉林磁控濺射真空鍍膜價格,真空鍍膜
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詳細說明
針對PVD制備薄膜應力的解決辦法主要有:1.熱退火處理,薄膜中存在的各種缺陷是產(chǎn)生本征應力的主要原因,這些缺陷一般都是非平衡缺陷,有自行消失的傾向,但需要外界給予活化能。對薄膜進行熱處理,非平衡缺陷大量消失,薄膜內(nèi)應力卓著降低;2.添加亞層控制多層薄膜應力,利用應變相消原理,在薄膜層之間再沉積一層薄膜,控制工藝使其呈現(xiàn)與結(jié)構(gòu)薄膜相反的應力狀態(tài),緩解應力帶來的破壞作用,整體上抵消內(nèi)部應力;3.提高襯底溫度,有利于薄膜和襯底間原子擴散,并加速反應過程,有利于形成擴散附著,吉林磁控濺射真空鍍膜價格,降低內(nèi)應力,吉林磁控濺射真空鍍膜價格,吉林磁控濺射真空鍍膜價格。蒸發(fā)速率正比于材料的飽和蒸氣壓,溫度變化10%左右,飽和蒸氣壓就要變化一個數(shù)量級左右。吉林磁控濺射真空鍍膜價格
熱氧化氧化過程主要分兩個步驟:步驟一:氧氣或者水蒸氣等吸附到氧化硅表面,步驟二:氧氣或者水蒸氣等擴散到硅表面,步驟三:氧氣或者水蒸氣等與硅反應生成氧化硅。熱蒸發(fā)主要是三個過程:1.蒸發(fā)材料從固態(tài)轉(zhuǎn)化為氣態(tài)的過程。2.氣化原子或分子在蒸發(fā)源與基底之間的運輸 3.蒸發(fā)原子或分子在襯底表面上淀積過程,即是蒸汽凝聚、成核、核生長、形成連續(xù)薄膜的過程。熱氧化與化學氣相沉積不同,她是通過氧氣或水蒸氣擴散到硅表面并進行化學反應形成氧化硅。熱氧化形成氧化硅時,會消耗相當于氧化硅膜厚的45%的硅。湖北光電器件真空鍍膜價格電子束蒸發(fā)源由發(fā)射電子的熱陰極、電子加速極和作為陽極的鍍膜材料組成。
磁控濺射可用于不同金屬合金的共濺射,同時使用多個靶qiang電源和不同靶材,例如TiW合金,通過獨自調(diào)整Ti、W的濺射速率,同時開始濺射2種材料,則在襯底上可以形成Ti/W合計,對不同材料的速率進行調(diào)節(jié),即能滿足不同組分的要求。磁控濺射可改變工作氣體與氬氣比例從而進行反應濺射,例如使用Si靶材,通入一定比例的N2,氬氣作為工作氣體,而氮氣作為反應氣體,較終能得到SiNx薄膜。通入氧氣與氮氣從而獲得各種材料的氧化物與氮化物薄膜,通過改變反應氣體與工作氣體的比例也能對濺射速率進行調(diào)整,薄膜內(nèi)組分也能相應調(diào)整。但反應氣體過量時可能會造成靶中毒。
磁控濺射可改變工作氣體與氬氣比例從而進行反應濺射,例如使用Si靶材,通入一定比例的N2,氬氣作為工作氣體,而氮氣作為反應氣體,較終能得到SiNx薄膜。通入氧氣與氮氣從而獲得各種材料的氧化物與氮化物薄膜,通過改變反應氣體與工作氣體的比例也能對濺射速率進行調(diào)整,薄膜內(nèi)組分也能相應調(diào)整。但反應氣體過量時可能會造成靶中毒。磁控濺射還可用于不同金屬合金的共濺射,同時使用多個靶qiang電源和不同靶材,例如TiW合金,通過獨自調(diào)整Ti、W的濺射速率,同時開始濺射2種材料,則在襯底上可以形成Ti/W合計,對不同材料的速率進行調(diào)節(jié),即能滿足不同組分的要求。等離子體增強氣相沉積法已被普遍應用于半導體器件工藝當中。
磁控濺射由于其內(nèi)部電場的存在,還可在襯底端引入一個負偏壓,使濺射速率和材料粒子的方向性增加。所以磁控濺射常用來沉積TSV結(jié)構(gòu)的阻擋層和種子層,通過對相關參數(shù)的調(diào)整和引入負偏壓,可以實現(xiàn)高深寬比的薄膜濺射,且深孔內(nèi)壁薄膜連續(xù)和良好的均勻性。通過PVD制備的薄膜通常存在應力問題,不同材料與襯底間可能存在壓應力或張應力,在多層膜結(jié)構(gòu)中可能同時存在多種形式的應力。薄膜應力的起源是薄膜生長過程中的某種結(jié)構(gòu)不完整性(雜質(zhì)、空位、晶粒邊界、錯位等)、表面能態(tài)的存在、薄膜與基底界面間的晶格錯配等為了使化學反應能在較低的溫度下進行,利用了等離子體的活性來促進反應。吉林磁控濺射真空鍍膜價格
薄膜中存在的各種缺陷是產(chǎn)生本征應力的主要原因,這些缺陷一般都是非平衡缺陷,有自行消失的傾向。吉林磁控濺射真空鍍膜價格
等離子可在接近基片的周圍被激發(fā)(近程等離子法)。而對于半導體硅片等敏感型基材,輻射和離子轟擊可能損壞基材。另一方面,在遠程等離子法中,等離子體與基材間設有空間隔斷。隔斷不僅能夠保護基材,也允許激發(fā)混合工藝氣體的特定成分。然而,為保證化學反應在被活動的粒子真正抵達基材表面時才開始進行,需精心設計工藝過程。在等離子增強化學氣相沉積(PECVD)工藝中,由等離子體輔助化學反應過程。在等離子體輔助下,200 到500°C的工藝溫度足以實現(xiàn)成品膜層的制備,因此該技術降低了基材的溫度負荷。吉林磁控濺射真空鍍膜價格
廣東省科學院半導體研究所位于長興路363號,交通便利,環(huán)境優(yōu)美,是一家服務型企業(yè)。是一家****企業(yè),隨著市場的發(fā)展和生產(chǎn)的需求,與多家企業(yè)合作研究,在原有產(chǎn)品的基礎上經(jīng)過不斷改進,追求新型,在強化內(nèi)部管理,完善結(jié)構(gòu)調(diào)整的同時,良好的質(zhì)量、合理的價格、完善的服務,在業(yè)界受到寬泛好評。公司始終堅持客戶需求優(yōu)先的原則,致力于提供高質(zhì)量的微納加工技術服務,真空鍍膜技術服務,紫外光刻技術服務,材料刻蝕技術服務。廣東省半導體所以創(chuàng)造***產(chǎn)品及服務的理念,打造高指標的服務,引導行業(yè)的發(fā)展。
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