需求數(shù)量:0
價(jià)格要求:面議
所在地:廣東省
包裝要求:
產(chǎn)品關(guān)鍵詞:重慶Si材料刻蝕外協(xié),材料刻蝕
***更新:2021-01-17 05:18:04
瀏覽次數(shù):3次
聯(lián)系我們
當(dāng)前位置:首頁?產(chǎn)品供應(yīng)?電子元器件?電子材料、零部件、結(jié)構(gòu)件?半導(dǎo)體材料?重慶Si材料刻蝕外協(xié) 廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所供應(yīng)
需求數(shù)量:0
價(jià)格要求:面議
所在地:廣東省
包裝要求:
產(chǎn)品關(guān)鍵詞:重慶Si材料刻蝕外協(xié),材料刻蝕
***更新:2021-01-17 05:18:04
瀏覽次數(shù):3次
聯(lián)系我們聯(lián)系人:曾昭燴
郵箱: 512480780@qq.com
電話: 15018420573
傳真: 020_
網(wǎng)址: http://www.gdssli.com
手機(jī): 020-61086422
地址: 長興路363號(hào)
[當(dāng)前離線] [加為商友] [發(fā)送信件]
詳細(xì)說明
刻蝕是按照掩模圖形或設(shè)計(jì)要求對半導(dǎo)體襯底表面或表面覆蓋薄膜進(jìn)行選擇性刻蝕的技術(shù),它是半導(dǎo)體制造工藝,微電子IC制造工藝以及微納制造工藝中的一種相當(dāng)重要的步驟。是與光刻相聯(lián)系的圖形化處理的一種主要工藝??涛g分為干法刻蝕和濕法腐蝕。原位芯片目前掌握多種刻蝕工藝,并會(huì)根據(jù)客戶的需求,設(shè)計(jì)刻蝕效果好且性價(jià)比高的刻蝕解決方案,重慶Si材料刻蝕外協(xié)。刻蝕技術(shù)主要應(yīng)用于半導(dǎo)體器件,集成電路制造,薄膜電路,印刷電路和其他微細(xì)圖形的加工等。廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所,重慶Si材料刻蝕外協(xié),重慶Si材料刻蝕外協(xié)。按照被刻蝕的材料類型來劃分,干法刻蝕主要分成三種:金屬刻蝕、介質(zhì)刻蝕和硅刻蝕。重慶Si材料刻蝕外協(xié)
刻蝕是使用化學(xué)或者物理方法有選擇地從硅片表面去除不需要材料的過程,常用的設(shè)備為刻蝕機(jī)等。通常的晶圓加工流程中,刻蝕工藝位于光刻工藝之后,有圖形的光刻膠層在刻蝕中不會(huì)受到腐蝕源的明顯侵蝕,從而完成圖形轉(zhuǎn)移的工藝步驟。為在硅片表面材料上復(fù)制掩膜圖案,刻蝕需要滿足一定的參數(shù),主要有:刻蝕速率、刻蝕剖面、刻蝕偏差和選擇比等??涛g速率指刻蝕過程中去除硅片表面材料的速度;刻蝕剖面指的是刻蝕圖形的側(cè)壁形狀,通常分為各向同性和各向異性剖面;刻蝕偏差指的是線寬或關(guān)鍵尺寸間距的變化,通常由橫向鉆蝕引起;選擇比指的是同一刻蝕條件下兩種材料刻蝕速率比,高選擇比意味著不需要的材料會(huì)被刻除。重慶Si材料刻蝕外協(xié)無圖形刻蝕、反刻或剝離是在整個(gè)硅片沒有掩模的情況下進(jìn)行的,這種刻蝕工藝用于剝離掩模層。
經(jīng)過前面的一系列工藝已將光刻掩膜版的圖形轉(zhuǎn)移到光刻膠上。為了制作元器件,需將光刻膠上的圖形進(jìn)一步轉(zhuǎn)移到光刻膠下層的材料上。這個(gè)任務(wù)就由刻蝕來完成。刻蝕就是將涂膠前所淀積的薄膜中沒有被光刻膠(經(jīng)過曝光和顯影后)覆蓋和保護(hù)的那部分去除掉,達(dá)到將光刻膠上的圖形轉(zhuǎn)移到其下層材料上的目的。光刻膠的下層薄膜可能是二氧化硅、氮化硅、多晶硅或者金屬材料。材料不同或圖形不同,刻蝕的要求不同。實(shí)際上,光刻和刻蝕是兩個(gè)不同的加工工藝,但因?yàn)檫@兩個(gè)工藝只有連續(xù)進(jìn)行,才能完成真正意義上的圖形轉(zhuǎn)移,而且在工藝線上,這兩個(gè)工藝經(jīng)常是放在同一工序中,因此有時(shí)也將這兩個(gè)步驟統(tǒng)稱為光刻。
刻蝕技術(shù)(etchingtechnique),是在半導(dǎo)體工藝,按照掩模圖形或設(shè)計(jì)要求對半導(dǎo)體襯底表面或表面覆蓋薄膜進(jìn)行選擇性腐蝕或剝離的技術(shù)??涛g技術(shù)不僅是半導(dǎo)體器件和集成電路的基本制造工藝,而且還應(yīng)用于薄膜電路、印刷電路和其他微細(xì)圖形的加工??涛g還可分為濕法刻蝕和干法刻蝕。普通的刻蝕過程大致如下:先在表面涂敷一層光致抗蝕劑,然后透過掩模對抗蝕劑層進(jìn)行選擇性曝光,由于抗蝕劑層的已曝光部分和未曝光部分在顯影液中溶解速度不同,經(jīng)過顯影后在襯底表面留下了抗蝕劑圖形,以此為掩模就可對襯底表面進(jìn)行選擇性腐蝕。如果襯底表面存在介質(zhì)或金屬層,則選擇腐蝕以后,圖形就轉(zhuǎn)移到介質(zhì)或金屬層上。硅和金屬刻蝕使用含氯成分的化學(xué)物質(zhì)。
溫度越高刻蝕效率越高,但是溫度過高工藝方面波動(dòng)較大,只要通過設(shè)備自帶溫控器和點(diǎn)檢確認(rèn)??涛g流片的速度與刻蝕速率密切相關(guān)噴淋流量的大小決定了基板表面藥液置換速度的快慢,流量控制可保證基板表面藥液濃度均勻。過刻量即測蝕量,適當(dāng)增加測試量可有效控制刻蝕中的點(diǎn)狀不良作業(yè)數(shù)量管控:每天對生產(chǎn)數(shù)量及時(shí)記錄,達(dá)到規(guī)定作業(yè)片數(shù)及時(shí)更換。作業(yè)時(shí)間管控:由于藥液的揮發(fā),所以如果在規(guī)定更換時(shí)間未達(dá)到相應(yīng)的生產(chǎn)片數(shù)藥液也需更換。首片和抽檢管控:作業(yè)時(shí)需先進(jìn)行首片確認(rèn),且在作業(yè)過程中每批次進(jìn)行抽檢(時(shí)間間隔約25min)。1、大面積刻蝕不干凈:刻蝕液濃度下降、刻蝕溫度變化。2、刻蝕不均勻:噴淋流量異常、藥液未及時(shí)沖洗干凈等。3、過刻蝕:刻蝕速度異常、刻蝕溫度異常等??涛g配方要進(jìn)行調(diào)整以使刻蝕速率依靠晶圓的取向。重慶Si材料刻蝕外協(xié)
濕法刻蝕是一個(gè)純粹的化學(xué)反應(yīng)過程。重慶Si材料刻蝕外協(xié)
反應(yīng)離子刻蝕:這種刻蝕過程同時(shí)兼有物理和化學(xué)兩種作用。輝光放電在零點(diǎn)幾到幾十帕的低真空下進(jìn)行。硅片處于陰極電位,放電時(shí)的電位大部分降落在陰極附近。大量帶電粒子受垂直于硅片表面的電場加速,垂直入射到硅片表面上,以較大的動(dòng)量進(jìn)行物理刻蝕,同時(shí)它們還與薄膜表面發(fā)生強(qiáng)烈的化學(xué)反應(yīng),產(chǎn)生化學(xué)刻蝕作用。選擇合適的氣體組分,不僅可以獲得理想的刻蝕選擇性和速度,還可以使活性基團(tuán)的壽命短,這就有效地阻止了因這些基團(tuán)在薄膜表面附近的擴(kuò)散所能造成的側(cè)向反應(yīng),較大提高了刻蝕的各向異性特性。反應(yīng)離子刻蝕是超大規(guī)模集成電路工藝中比較有發(fā)展前景的一種刻蝕方法。重慶Si材料刻蝕外協(xié)
廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所位于長興路363號(hào),交通便利,環(huán)境優(yōu)美,是一家服務(wù)型企業(yè)。是一家****企業(yè),隨著市場的發(fā)展和生產(chǎn)的需求,與多家企業(yè)合作研究,在原有產(chǎn)品的基礎(chǔ)上經(jīng)過不斷改進(jìn),追求新型,在強(qiáng)化內(nèi)部管理,完善結(jié)構(gòu)調(diào)整的同時(shí),良好的質(zhì)量、合理的價(jià)格、完善的服務(wù),在業(yè)界受到寬泛好評(píng)。以滿足顧客要求為己任;以顧客永遠(yuǎn)滿意為標(biāo)準(zhǔn);以保持行業(yè)優(yōu)先為目標(biāo),提供***的微納加工技術(shù)服務(wù),真空鍍膜技術(shù)服務(wù),紫外光刻技術(shù)服務(wù),材料刻蝕技術(shù)服務(wù)。廣東省半導(dǎo)體所自成立以來,一直堅(jiān)持走正規(guī)化、專業(yè)化路線,得到了廣大客戶及社會(huì)各界的普遍認(rèn)可與大力支持。
文章來源地址: http://www.cdcfah.com/cp/2882194.html
本企業(yè)其它產(chǎn)品 更多>>
珠海感應(yīng)耦合等離子刻蝕材料刻蝕 廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所供應(yīng)
遼寧氧化硅材料刻蝕 廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所供應(yīng)
云南EB真空鍍膜 廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所供應(yīng)
吉林真空鍍膜代工 廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所供應(yīng)
重慶MEMS光刻 廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所供應(yīng)
磁控濺射真空鍍膜廠商 廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所供應(yīng)
山東光刻服務(wù)價(jià)格 廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所供應(yīng)
山東微納加工平臺(tái) 廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所供應(yīng)
同類產(chǎn)品推薦 更多>>
上海硅材料刻蝕公司 廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所供應(yīng)
中山功率器件微納加工廠 廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所供應(yīng)
重慶MEMS光刻 廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所供應(yīng)
深圳光電器件真空鍍膜加工 廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所供應(yīng)
黑龍江真空鍍膜微納加工廠 廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所供應(yīng)
河南MEMS材料刻蝕加工 廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所供應(yīng)
深圳氮化硅材料刻蝕價(jià)錢 廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所供應(yīng)
山東微納加工平臺(tái) 廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所供應(yīng)