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產(chǎn)品關(guān)鍵詞:湖北半導(dǎo)體材料刻蝕價(jià)錢,材料刻蝕
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對(duì)于被刻蝕材料和掩蔽層材料(例如光刻膠)的選擇比SR可通過下式計(jì)算:SR=Ef/Er;其中,Ef為被刻蝕材料的刻蝕速率,Er為掩蔽層材料的刻蝕速率(如光刻膠);根據(jù)這個(gè)公式,選擇比通常表示為一個(gè)比值,一個(gè)選擇比差的工藝這一比值可能是1:1,湖北半導(dǎo)體材料刻蝕價(jià)錢,意味著被刻蝕的材料與光刻膠掩蔽層被去除地一樣快,湖北半導(dǎo)體材料刻蝕價(jià)錢,而一個(gè)選擇比高的工藝這一比值可能是100:1,湖北半導(dǎo)體材料刻蝕價(jià)錢,說明被刻蝕材料的刻蝕速率為不要被刻蝕材料的(如光刻膠)刻蝕速率的100倍。廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所。在半導(dǎo)體制造中有兩種基本的刻蝕工藝:干法刻蝕和濕法腐蝕。湖北半導(dǎo)體材料刻蝕價(jià)錢
刻蝕技術(shù)(etchingtechnique),是在半導(dǎo)體工藝,按照掩模圖形或設(shè)計(jì)要求對(duì)半導(dǎo)體襯底表面或表面覆蓋薄膜進(jìn)行選擇性腐蝕或剝離的技術(shù)。刻蝕技術(shù)不僅是半導(dǎo)體器件和集成電路的基本制造工藝,而且還應(yīng)用于薄膜電路、印刷電路和其他微細(xì)圖形的加工??涛g還可分為濕法刻蝕和干法刻蝕。普通的刻蝕過程大致如下:先在表面涂敷一層光致抗蝕劑,然后透過掩模對(duì)抗蝕劑層進(jìn)行選擇性曝光,由于抗蝕劑層的已曝光部分和未曝光部分在顯影液中溶解速度不同,經(jīng)過顯影后在襯底表面留下了抗蝕劑圖形,以此為掩模就可對(duì)襯底表面進(jìn)行選擇性腐蝕。如果襯底表面存在介質(zhì)或金屬層,則選擇腐蝕以后,圖形就轉(zhuǎn)移到介質(zhì)或金屬層上。湖北半導(dǎo)體材料刻蝕工藝刻蝕基本目標(biāo)是在涂膠的硅片上正確地復(fù)制掩模圖形。
雙等離子體源刻蝕機(jī)加裝有兩個(gè)射頻(RF)功率源,能夠更精確地控制離子密度與離子能量。位于上部的射頻功率源通過電感線圈將能量傳遞給等離子體從而增加離子密度,但是離子濃度增加的同時(shí)離子能量也隨之增加。下部加裝的偏置射頻電源通過電容結(jié)構(gòu)能夠降低轟擊在硅表面離子的能量而不影響離子濃度,從而能夠更好地控制刻蝕速率與選擇比。原子層刻蝕(ALE)為下一代刻蝕工藝技術(shù),能夠精確去除材料而不影響其他部分。隨著結(jié)構(gòu)尺寸的不斷縮小,反應(yīng)離子刻蝕面臨刻蝕速率差異與下層材料損傷等問題。原子層刻蝕(ALE)能夠精密控制被去除材料量而不影響其他部分,可以用于定向刻蝕或生成光滑表面,是刻蝕技術(shù)研究的熱點(diǎn)之一。目前原子層刻蝕在芯片制造領(lǐng)域并沒有取代傳統(tǒng)的等離子刻蝕工藝,而是被用于原子級(jí)目標(biāo)材料精密去除過程。
反應(yīng)離子刻蝕(RIE)是當(dāng)前常用技術(shù)路徑,屬于物理和化學(xué)混合刻蝕。在傳統(tǒng)的反應(yīng)離子刻蝕機(jī)中,進(jìn)入反應(yīng)室的氣體會(huì)被分解電離為等離子體,等離子體由反應(yīng)正離子、自由基、反應(yīng)原子等組成。反應(yīng)正離子會(huì)轟擊硅片表面形成物理刻蝕,同時(shí)被轟擊的硅片表面化學(xué)活性被提高,之后硅片會(huì)與自由基和反應(yīng)原子形成化學(xué)刻蝕。這個(gè)過程中由于離子轟擊帶有方向性,RIE技術(shù)具有較好的各向異性。目前先進(jìn)集成電路制造技術(shù)中用于刻蝕關(guān)鍵層的刻蝕方法是高密度等離子體刻蝕技術(shù)。傳統(tǒng)的RIE系統(tǒng)難以使刻蝕物質(zhì)進(jìn)入高深寬比圖形中并將殘余生成物從中排出,因此不能滿足0.25μm以下尺寸的加工要求,解決辦法是增加等離子體的密度。高密度等離子體刻蝕技術(shù)主要分為電子回旋加速振蕩(ECR)、電容或電感耦合等離子體(CCP/ICP)、雙等離子體源等。同樣的刻蝕條件,針對(duì)不同的刻蝕暴露面積,刻蝕的速率會(huì)有所不一樣。
“刻蝕”指用化學(xué)和物理方法有選擇地從硅片表面去除不需要的材料,是晶圓制造中不可或缺的關(guān)鍵步驟??涛g技術(shù)按工藝可以分為濕法刻蝕與干法刻蝕,其中干法刻蝕是目前8英寸、12英寸先進(jìn)制程中的主要刻蝕手段,干法刻蝕又多以“等離子體刻蝕”為主導(dǎo)。在刻蝕環(huán)節(jié)中,硅電極產(chǎn)生高電壓,令刻蝕氣體形成電離狀態(tài),其與芯片同時(shí)處于刻蝕設(shè)備的同一腔體中,并隨著刻蝕進(jìn)程而逐步被消耗,因此刻蝕電極也需要達(dá)到與晶圓一樣的半導(dǎo)體級(jí)的純度(11個(gè)9)。有圖形的光刻膠層在刻蝕中不受腐蝕源明顯的侵蝕。湖北半導(dǎo)體材料刻蝕工藝
濕法刻蝕是指利用溶液與預(yù)刻蝕材料之間的化學(xué)反應(yīng)來去除未被掩蔽膜材料掩蔽的部分而達(dá)到刻蝕目的。湖北半導(dǎo)體材料刻蝕價(jià)錢
早期的刻蝕技術(shù)為濕法刻蝕,就是將刻蝕材料浸泡在腐蝕液中進(jìn)行腐蝕的技術(shù)。這個(gè)過程是純化學(xué)腐蝕的過程。濕法刻蝕具有良好的選擇性,例如實(shí)驗(yàn)室經(jīng)常采用磷酸來腐蝕鋁金屬化,而不會(huì)腐蝕金屬化層間的介質(zhì)層材料;半導(dǎo)體制造過程中用調(diào)配后的氫氟酸(加入NH4F緩沖液)來腐蝕二氧化硅,而不會(huì)對(duì)光刻膠造成過量的傷害。隨著半導(dǎo)體特征尺寸的不斷減小,濕法刻蝕逐漸**法刻蝕所替代。其原因在于濕法刻蝕是各向同性的,橫向刻蝕的寬度接近于縱向刻蝕的深度,因此會(huì)產(chǎn)生鉆蝕的現(xiàn)象,因此在小尺寸的制程中,濕法刻蝕的精度控制非常困難,并且可重復(fù)性差。湖北半導(dǎo)體材料刻蝕價(jià)錢
廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所專注技術(shù)創(chuàng)新和產(chǎn)品研發(fā),發(fā)展規(guī)模團(tuán)隊(duì)不斷壯大。目前我公司在職員工以90后為主,是一個(gè)有活力有能力有創(chuàng)新精神的團(tuán)隊(duì)。誠實(shí)、守信是對(duì)企業(yè)的經(jīng)營要求,也是我們做人的基本準(zhǔn)則。公司致力于打造***的微納加工技術(shù)服務(wù),真空鍍膜技術(shù)服務(wù),紫外光刻技術(shù)服務(wù),材料刻蝕技術(shù)服務(wù)。公司憑著雄厚的技術(shù)力量、飽滿的工作態(tài)度、扎實(shí)的工作作風(fēng)、良好的職業(yè)道德,樹立了良好的微納加工技術(shù)服務(wù),真空鍍膜技術(shù)服務(wù),紫外光刻技術(shù)服務(wù),材料刻蝕技術(shù)服務(wù)形象,贏得了社會(huì)各界的信任和認(rèn)可。
文章來源地址: http://www.cdcfah.com/cp/2915410.html
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