需求數(shù)量:0
價(jià)格要求:面議
所在地:廣東省
包裝要求:
產(chǎn)品關(guān)鍵詞:深圳ITO鍍膜真空鍍膜廠家,真空鍍膜
***更新:2021-01-20 07:19:56
瀏覽次數(shù):3次
聯(lián)系我們
當(dāng)前位置:首頁(yè)?產(chǎn)品供應(yīng)?電子元器件?電子材料、零部件、結(jié)構(gòu)件?半導(dǎo)體材料?深圳ITO鍍膜真空鍍膜廠家 廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所供應(yīng)
需求數(shù)量:0
價(jià)格要求:面議
所在地:廣東省
包裝要求:
產(chǎn)品關(guān)鍵詞:深圳ITO鍍膜真空鍍膜廠家,真空鍍膜
***更新:2021-01-20 07:19:56
瀏覽次數(shù):3次
聯(lián)系我們聯(lián)系人:曾昭燴
郵箱: 512480780@qq.com
電話: 15018420573
傳真: 020_
網(wǎng)址: http://www.gdssli.com
手機(jī): 020-61086422
地址: 長(zhǎng)興路363號(hào)
[當(dāng)前離線] [加為商友] [發(fā)送信件]
詳細(xì)說(shuō)明
真空鍍膜技術(shù)一般分為兩大類,即物理的氣相沉積技術(shù)和化學(xué)氣相沉積技術(shù)。物理的氣相沉積技術(shù)是指在真空條件下,利用各種物理方法,將鍍料氣化成原子、分子或使其離化為離子,直接沉積到基體表面上的方法。制備硬質(zhì)反應(yīng)膜大多以物理的氣相沉積方法制得,它利用某種物理過(guò)程,如物質(zhì)的熱蒸發(fā),深圳ITO鍍膜真空鍍膜廠家,或受到離子轟擊時(shí)物質(zhì)表面原子的濺射等現(xiàn)象,實(shí)現(xiàn)物質(zhì)原子從源物質(zhì)到薄膜的可控轉(zhuǎn)移過(guò)程。電子束蒸發(fā):將蒸發(fā)材料置于水冷坩堝中,深圳ITO鍍膜真空鍍膜廠家,利用電子束直接加熱使蒸發(fā)材料汽化并在襯底上凝結(jié)形成薄膜,是蒸度高熔點(diǎn)薄膜和高純薄膜的一種主要加熱方法,深圳ITO鍍膜真空鍍膜廠家。化學(xué)氣相沉積法是一種利用化學(xué)反應(yīng)的方式,將反應(yīng)氣體生成固態(tài)的產(chǎn)物,并沉積在基片表面的薄膜沉積技術(shù)。深圳ITO鍍膜真空鍍膜廠家
在電子束加熱裝置中,被加熱的材料放置于水冷的坩堝當(dāng)中,可避免蒸發(fā)材料與坩堝壁發(fā)生反應(yīng)影響薄膜的質(zhì)量,因此,電子束蒸發(fā)沉積法可以制備高純薄膜。LPCVD反應(yīng)的能量源是熱能,通常其溫度在500℃-1000℃之間,壓力在0.1Torr-2Torr以內(nèi),影響其沉積反應(yīng)的主要參數(shù)是溫度、壓力和氣體流量,它的主要特征是因?yàn)樵诘蛪涵h(huán)境下,反應(yīng)氣體的平均自由程及擴(kuò)散系數(shù)變大,膜厚均勻性好、臺(tái)階覆蓋性好。目前采用LPCVD工藝制作的主要材料有:多晶硅、單晶硅、非晶硅、氮化硅等。電子束蒸發(fā)法是真空蒸發(fā)鍍膜中常用的一種方法,是在高真空條件下利用電子束進(jìn)行直接加熱蒸發(fā)材料,使蒸發(fā)材料氣化并向襯底輸運(yùn),在基底上凝結(jié)形成薄膜的方法。四川ITO鍍膜真空鍍膜工藝等離子體化學(xué)氣相沉積法,利用了等離子體的活性來(lái)促進(jìn)反應(yīng),使化學(xué)反應(yīng)能在較低的溫度下進(jìn)行。
磁控濺射方向性要優(yōu)于電子束蒸發(fā),但薄膜質(zhì)量,表面粗糙度等方面不如電子束蒸發(fā)。但磁控濺射可用于多種材料,適用性普遍,電子束蒸發(fā)則只能用于金屬材料蒸鍍,且高熔點(diǎn)金屬,如W,Mo等的蒸鍍較為困難。所以磁控濺射常用于新型氧化物,陶瓷材料的鍍膜,電子束則用于對(duì)薄膜質(zhì)量較高的金屬材料。LPCVD工藝在襯底表面淀積一層均勻的介質(zhì)薄膜,在微納加工當(dāng)中用于結(jié)構(gòu)層材料、xi牲層、絕緣層、掩模材料,LPCVD工藝淀積的材料有多晶硅、氮化硅、磷硅玻璃。不同的材料淀積采用不同的氣體。
使用等離子體增強(qiáng)氣相沉積法(PECVD)可在低溫(200-350℃)沉積出良好的氧化硅薄膜,已被普遍應(yīng)用于半導(dǎo)體器件工藝當(dāng)中。在LED工藝當(dāng)中,因?yàn)镻ECVD生長(zhǎng)出的氧化硅薄膜具有結(jié)構(gòu)致密,介電強(qiáng)度高、硬度大等優(yōu)點(diǎn),而且氧化硅薄膜對(duì)可見(jiàn)光波段吸收系數(shù)很小,所以氧化硅被用于芯片的絕緣層和鈍化層。評(píng)價(jià)氧化硅薄膜的質(zhì)量,較簡(jiǎn)單的方法是采用BOE腐蝕氧化硅薄膜,腐蝕速率越慢,薄膜質(zhì)量越致密,反之,腐蝕速率越快,薄膜質(zhì)量越差。另外,沉積速率的快慢也會(huì)影響到薄膜的質(zhì)量,沉積速率過(guò)快,會(huì)導(dǎo)致氧化硅薄膜速率過(guò)快,說(shuō)明薄膜質(zhì)量比較差。廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所。電子束蒸發(fā)是蒸度高熔點(diǎn)薄膜和高純薄膜的一種主要加熱方法。
磁控濺射主要利用輝光放電(glowdischarge)將氬氣(Ar)離子撞擊靶材(target)表面,靶材的原子被彈出而堆積在基板表面形成薄膜。濺鍍薄膜的性質(zhì)、均勻度都比蒸鍍薄膜來(lái)的好,但是鍍膜速度卻比蒸鍍慢比較多。新型的濺鍍?cè)O(shè)備幾乎都使用強(qiáng)力磁鐵將電子成螺旋狀運(yùn)動(dòng)以加速靶材周圍的氬氣離子化,造成靶與氬氣離子間的撞擊機(jī)率增加,提高濺鍍速率。真空鍍膜的物理過(guò)程:PVD(物理的氣相沉積技術(shù))的基本原理可分為三個(gè)工藝步驟:(1)金屬顆粒的氣化:即鍍料的蒸發(fā)、升華或被濺射從而形成氣化源(2)鍍料粒子((原子、分子或離子)的遷移:由氣化源供出原子、分子或離子經(jīng)過(guò)碰撞,產(chǎn)生多種反應(yīng)。(3)鍍料粒子在基片表面的沉積。利用PECVD生長(zhǎng)的氮化硅薄膜薄膜應(yīng)用范圍廣,設(shè)備簡(jiǎn)單,易于產(chǎn)業(yè)化。四川ITO鍍膜真空鍍膜工藝
電子束蒸發(fā)源由發(fā)射電子的熱陰極、電子加速極和作為陽(yáng)極的鍍膜材料組成。深圳ITO鍍膜真空鍍膜廠家
磁控濺射由于其內(nèi)部電場(chǎng)的存在,還可在襯底端引入一個(gè)負(fù)偏壓,使濺射速率和材料粒子的方向性增加。所以磁控濺射常用來(lái)沉積TSV結(jié)構(gòu)的阻擋層和種子層,通過(guò)對(duì)相關(guān)參數(shù)的調(diào)整和引入負(fù)偏壓,可以實(shí)現(xiàn)高深寬比的薄膜濺射,且深孔內(nèi)壁薄膜連續(xù)和良好的均勻性。通過(guò)PVD制備的薄膜通常存在應(yīng)力問(wèn)題,不同材料與襯底間可能存在壓應(yīng)力或張應(yīng)力,在多層膜結(jié)構(gòu)中可能同時(shí)存在多種形式的應(yīng)力。薄膜應(yīng)力的起源是薄膜生長(zhǎng)過(guò)程中的某種結(jié)構(gòu)不完整性(雜質(zhì)、空位、晶粒邊界、錯(cuò)位等)、表面能態(tài)的存在、薄膜與基底界面間的晶格錯(cuò)配等深圳ITO鍍膜真空鍍膜廠家
廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所致力于電子元器件,是一家服務(wù)型的公司。公司自成立以來(lái),以質(zhì)量為發(fā)展,讓匠心彌散在每個(gè)細(xì)節(jié),公司旗下微納加工技術(shù)服務(wù),真空鍍膜技術(shù)服務(wù),紫外光刻技術(shù)服務(wù),材料刻蝕技術(shù)服務(wù)深受客戶的喜愛(ài)。公司秉持誠(chéng)信為本的經(jīng)營(yíng)理念,在電子元器件深耕多年,以技術(shù)為先導(dǎo),以自主產(chǎn)品為重點(diǎn),發(fā)揮人才優(yōu)勢(shì),打造電子元器件良好品牌。廣東省半導(dǎo)體所立足于全國(guó)市場(chǎng),依托強(qiáng)大的研發(fā)實(shí)力,融合前沿的技術(shù)理念,飛快響應(yīng)客戶的變化需求。
文章來(lái)源地址: http://www.cdcfah.com/cp/2929327.html
本企業(yè)其它產(chǎn)品 更多>>
珠海感應(yīng)耦合等離子刻蝕材料刻蝕 廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所供應(yīng)
遼寧氧化硅材料刻蝕 廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所供應(yīng)
云南EB真空鍍膜 廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所供應(yīng)
吉林真空鍍膜代工 廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所供應(yīng)
重慶MEMS光刻 廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所供應(yīng)
磁控濺射真空鍍膜廠商 廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所供應(yīng)
山東光刻服務(wù)價(jià)格 廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所供應(yīng)
山東微納加工平臺(tái) 廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所供應(yīng)
同類產(chǎn)品推薦 更多>>
上海硅材料刻蝕公司 廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所供應(yīng)
中山功率器件微納加工廠 廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所供應(yīng)
重慶MEMS光刻 廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所供應(yīng)
深圳光電器件真空鍍膜加工 廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所供應(yīng)
黑龍江真空鍍膜微納加工廠 廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所供應(yīng)
河南MEMS材料刻蝕加工 廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所供應(yīng)
深圳氮化硅材料刻蝕價(jià)錢 廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所供應(yīng)
山東微納加工平臺(tái) 廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所供應(yīng)