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產(chǎn)品關(guān)鍵詞:湖南深硅刻蝕材料刻蝕服務(wù)價(jià)格,材料刻蝕
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當(dāng)前位置:首頁(yè)?產(chǎn)品供應(yīng)?電子元器件?電子材料、零部件、結(jié)構(gòu)件?半導(dǎo)體材料?湖南深硅刻蝕材料刻蝕服務(wù)價(jià)格 廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所供應(yīng)
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在GaN發(fā)光二極管器件制作過程中,刻蝕是一項(xiàng)很重要的工藝。ICP干法刻蝕常用在n型電極制作中,因?yàn)樵谒{(lán)寶石襯底上生長(zhǎng)LED,n型電極和P型電極位于同一側(cè),需要刻蝕露出n型層。ICP是近幾年來(lái)很常用的一種離子體刻蝕技術(shù),它在GaN的刻蝕中應(yīng)用很普遍。ICP刻蝕具有等離子體密度和等離子體的轟擊能量單獨(dú)可控,湖南深硅刻蝕材料刻蝕服務(wù)價(jià)格,低壓強(qiáng)獲得高密度等離子體,在保持高刻蝕速率的同事能夠產(chǎn)生高的選擇比和低損傷的刻蝕表面等優(yōu)勢(shì)。ICP(感應(yīng)耦合等離子)刻蝕GaN是物料濺射和化學(xué)反應(yīng)相結(jié)合的復(fù)雜過程??涛gGaN主要使用到氯氣和三氯化硼,刻蝕過程中材料表面表面的Ga-N鍵在離子轟擊下破裂,此為物理濺射,產(chǎn)生活性的Ga和N原子,氮原子相互結(jié)合容易析出氮?dú)?,Ga原子和Cl離子生成容易揮發(fā)的GaCl2或者GaCl3,湖南深硅刻蝕材料刻蝕服務(wù)價(jià)格。干法刻蝕優(yōu)點(diǎn)是:細(xì)線條操作安全,湖南深硅刻蝕材料刻蝕服務(wù)價(jià)格,易實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化,無(wú)化學(xué)廢液,處理過程未引入污染,潔凈度高。湖南深硅刻蝕材料刻蝕服務(wù)價(jià)格
GaN材料的刻蝕一般采用光刻膠來(lái)做掩膜,但是刻蝕GaN和光刻膠,選擇比接近1:1,如果需要刻蝕深度超過3微米以上就需要采用厚膠來(lái)做掩膜。對(duì)于刻蝕更深的GaN,那就需要采用氧化硅來(lái)做刻蝕的掩模,刻蝕GaN的氣體對(duì)于刻蝕氧化硅刻蝕比例可以達(dá)到8:1。深硅刻蝕是MEMS器件工藝當(dāng)中很重要的一個(gè)工藝,根據(jù)不同應(yīng)用對(duì)深硅刻蝕有不同的側(cè)壁形貌要求,深硅刻蝕的刻蝕方式有BOSCH工藝、Cryo工藝、mix工藝,而常用的工藝是用BOSCH工藝,刻蝕深度可以達(dá)到400微米,深寬選擇比可以達(dá)到20:1.湖南深硅刻蝕材料刻蝕服務(wù)價(jià)格在半導(dǎo)體制造中有兩種基本的刻蝕工藝:干法刻蝕和濕法腐蝕。
選擇比指的是在同一刻蝕條件下一種材料與另一種材料相比刻蝕速率快多少,它定義為被刻蝕材料的刻蝕速率與另一種材料的刻蝕速率的比?;緝?nèi)容:高選擇比意味著只刻除想要刻去的那一層材料。一個(gè)高選擇比的刻蝕工藝不刻蝕下面一層材料(刻蝕到恰當(dāng)?shù)纳疃葧r(shí)停止)并且保護(hù)的光刻膠也未被刻蝕。圖形幾何尺寸的縮小要求減薄光刻膠厚度。高選擇比在較先進(jìn)的工藝中為了確保關(guān)鍵尺寸和剖面控制是必需的。特別是關(guān)鍵尺寸越小,選擇比要求越高。廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所。
刻蝕是使用化學(xué)或者物理方法有選擇地從硅片表面去除不需要材料的過程,常用的設(shè)備為刻蝕機(jī)等。通常的晶圓加工流程中,刻蝕工藝位于光刻工藝之后,有圖形的光刻膠層在刻蝕中不會(huì)受到腐蝕源的明顯侵蝕,從而完成圖形轉(zhuǎn)移的工藝步驟。為在硅片表面材料上復(fù)制掩膜圖案,刻蝕需要滿足一定的參數(shù),主要有:刻蝕速率、刻蝕剖面、刻蝕偏差和選擇比等??涛g速率指刻蝕過程中去除硅片表面材料的速度;刻蝕剖面指的是刻蝕圖形的側(cè)壁形狀,通常分為各向同性和各向異性剖面;刻蝕偏差指的是線寬或關(guān)鍵尺寸間距的變化,通常由橫向鉆蝕引起;選擇比指的是同一刻蝕條件下兩種材料刻蝕速率比,高選擇比意味著不需要的材料會(huì)被刻除。溫度越高刻蝕效率越高,但是溫度過高工藝方面波動(dòng)較大,只要通過設(shè)備自帶溫控器和點(diǎn)檢確認(rèn)。
刻蝕工藝主要分為兩種:干法刻蝕和濕法刻蝕。干法刻蝕是通過等離子氣與硅片發(fā)生物理或化學(xué)反應(yīng)(或結(jié)合物理、化學(xué)兩種反應(yīng))的方式將表面材料去除,主要用于亞微米尺寸下刻蝕,由于具有良好的各向異性和工藝可控性已被普遍應(yīng)用于芯片制造領(lǐng)域;濕法刻蝕通過化學(xué)試劑去除硅片表面材料,一般用于尺寸較大情況,目前仍用于干法刻蝕后殘留物的去除。金屬刻蝕主要應(yīng)用于金屬互連線、通孔、接觸金屬等環(huán)節(jié)。金屬互連線通常采用鋁合金,對(duì)鋁的刻蝕采用氯基氣體和部分聚合物。鎢在多層金屬結(jié)構(gòu)中常用作通孔的填充物,通常采用氟基或氯基氣體??涛g流片的速度與刻蝕速率密切相關(guān)噴淋流量的大小決定了基板表面藥液置換速度的快慢。湖南深硅刻蝕材料刻蝕服務(wù)價(jià)格
有圖形刻蝕可用來(lái)在硅片上制作多種不同的特征圖形,包括柵、金屬互連線、通孔、接觸孔和溝槽。湖南深硅刻蝕材料刻蝕服務(wù)價(jià)格
基本工藝要求理想的刻蝕工藝必須具有以下特點(diǎn):①各向異性刻蝕,即只有垂直刻蝕,沒有橫向鉆蝕。這樣才能保證精確地在被刻蝕的薄膜上復(fù)制出與抗蝕劑上完全一致的幾何圖形;②良好的刻蝕選擇性,即對(duì)作為掩模的抗蝕劑和處于其下的另一層薄膜或材料的刻蝕速率都比被刻蝕薄膜的刻蝕速率小得多,以保證刻蝕過程中抗蝕劑掩蔽的有效性,不致發(fā)生因?yàn)檫^刻蝕而損壞薄膜下面的其他材料;③加工批量大,控制容易,成本低,對(duì)環(huán)境污染少,適用于工業(yè)生產(chǎn)。湖南深硅刻蝕材料刻蝕服務(wù)價(jià)格
廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所位于長(zhǎng)興路363號(hào)。公司自成立以來(lái),以質(zhì)量為發(fā)展,讓匠心彌散在每個(gè)細(xì)節(jié),公司旗下微納加工技術(shù)服務(wù),真空鍍膜技術(shù)服務(wù),紫外光刻技術(shù)服務(wù),材料刻蝕技術(shù)服務(wù)深受客戶的喜愛。公司注重以質(zhì)量為中心,以服務(wù)為理念,秉持誠(chéng)信為本的理念,打造電子元器件良好品牌。廣東省半導(dǎo)體所立足于全國(guó)市場(chǎng),依托強(qiáng)大的研發(fā)實(shí)力,融合前沿的技術(shù)理念,飛快響應(yīng)客戶的變化需求。
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