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產(chǎn)品關(guān)鍵詞:湖南Si材料刻蝕加工廠商,材料刻蝕
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相比刻蝕用單晶硅材料,芯片用單晶硅材料是芯片等終端產(chǎn)品的原材料,湖南Si材料刻蝕加工廠商,市場(chǎng)更為廣闊,國(guó)產(chǎn)替代的需求也十分旺盛,湖南Si材料刻蝕加工廠商。SEMI的統(tǒng)計(jì)顯示,2018年全球半導(dǎo)體制造材料市場(chǎng)規(guī)模為322.38億美元,其中硅材料的市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到121.24億美元,占比高達(dá)37.61%。刻蝕用單晶硅材料和芯片用單晶硅材料在制造環(huán)節(jié)上有諸多相似之處:積累的固液共存界面控制技術(shù)、熱場(chǎng)尺寸優(yōu)化工藝,湖南Si材料刻蝕加工廠商、多晶硅投料優(yōu)化等工藝技術(shù)已經(jīng)達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平,為進(jìn)入新賽道提供了產(chǎn)業(yè)技術(shù)和經(jīng)驗(yàn)的支撐。按材料來分,刻蝕主要分成三種:金屬刻蝕、介質(zhì)刻蝕、和硅刻蝕。湖南Si材料刻蝕加工廠商
鋁膜濕法刻蝕:對(duì)于鋁和鋁合金層有選擇性的刻蝕溶液是居于磷酸的。遺憾的是,鋁和磷酸反應(yīng)的副產(chǎn)物是微小的氫氣泡。這些氣泡附著在晶圓表面,并阻礙刻蝕反應(yīng)。結(jié)果既可能產(chǎn)生導(dǎo)致相鄰引線短路的鋁橋連,又可能在表面形成不希望出現(xiàn)的雪球的鋁點(diǎn)。特殊配方鋁刻蝕溶液的使用緩解了這個(gè)問題。典型的活性溶液成分配比是:16:1:1:2。除了特殊配方外,典型的鋁刻蝕工藝還會(huì)包含以攪拌或上下移動(dòng)晶圓舟的攪動(dòng)。有時(shí)超聲波或兆頻超聲波也用來去除氣泡。湖南Si材料刻蝕加工廠商當(dāng)需要處理多層薄膜時(shí),以及刻蝕中必須精確停在某個(gè)特定薄膜層而不對(duì)其造成損傷時(shí)。
氮化硅的干法刻蝕S13N4在半導(dǎo)體工藝中主要用在兩個(gè)地方。1、用做器件區(qū)的防止氧化保護(hù)層(厚約lOOnm)。2、作為器件的鈍化保護(hù)層。在這兩個(gè)地方刻蝕的圖形尺寸都比較大,非等向的刻蝕就不那么重要了??涛gSi3N4時(shí)下方通常是厚約25nm的Si02,為了避免對(duì)Si02層的刻蝕,Si3N4與S102之間必須有一定的刻蝕選擇比。S13N4的刻蝕基本上與Si02和Si類似,常用CF4+0等離子體來刻蝕。但是Si-N鍵強(qiáng)度介于Si-Si與Si-0之間,因此使Si3N4對(duì)Si或Si02的刻蝕選擇比均不好。在CF4的等離子體中,Si對(duì)Si3N4的選擇比約為8,而Si3N4對(duì)Si02的選擇比只有2—3,在這么低的刻蝕選擇比下,刻蝕時(shí)間的控制就變得非常重要。除了CF4外,也有人改用蘭氟化氮(NF3)的等離子體來刻蝕Si3N4,雖然刻蝕速率較慢,但可獲得可以接受的Si3N4/Si02的刻蝕選擇比。
濕刻蝕:較普遍、也是設(shè)備成本較低的刻蝕方法。其影響被刻蝕物之刻蝕速率(etchingrate)的因素有三:刻蝕液濃度、刻蝕液溫度、及攪拌(stirring)之有無(wú)。定性而言,增加刻蝕溫度與加入攪拌,均能有效提高刻蝕速率;但濃度之影響則較不明確。舉例來說,以49%的HF刻蝕SiO2,當(dāng)然比BOE(Buffered-Oxide-Etch;HF:NH4F=1:6)快的多;但40%的KOH刻蝕付淋兇和Si的速率卻比20%KOH慢!濕刻蝕的配方選用是一項(xiàng)化學(xué)的專業(yè),對(duì)于一般不是這方面的研究人員,必須向該化學(xué)專業(yè)的同儕請(qǐng)教。一個(gè)選用濕刻蝕配方的重要觀念是(選擇性)(selectivity),意指進(jìn)行刻蝕時(shí),對(duì)被蝕物去除速度與連帶對(duì)其他材質(zhì)(如刻蝕掩膜;etchingmask,或承載被加工薄膜之基板;substrate)的腐蝕速度之比值。一個(gè)具有高選擇性的刻蝕系統(tǒng),應(yīng)該只對(duì)被加工薄膜有腐蝕作用,而不傷及一旁之刻蝕掩膜或其下的基板材料在激發(fā)狀態(tài),氟刻蝕二氧化硅,并將其轉(zhuǎn)化為揮發(fā)性成分由真空系統(tǒng)排出。
工藝所用化學(xué)物質(zhì)取決于要刻蝕的薄膜類型。介電刻蝕應(yīng)用中通常使用含氟的化學(xué)物質(zhì)。硅和金屬刻蝕使用含氯成分的化學(xué)物質(zhì)。在工藝中可能會(huì)對(duì)一個(gè)薄膜層或多個(gè)薄膜層執(zhí)行特定的刻蝕步驟。當(dāng)需要處理多層薄膜時(shí),以及刻蝕中必須精確停在某個(gè)特定薄膜層而不對(duì)其造成損傷時(shí),刻蝕工藝的選擇比就變得非常重要。選擇比是兩個(gè)刻蝕速率的比率:被去除層的刻蝕速率與被保護(hù)層的刻蝕速率(例如刻蝕掩膜或終止層)。掩?;蛲V箤樱┩ǔ6枷M懈叩倪x擇比。有圖形刻蝕和無(wú)圖形刻蝕工藝條件能夠采用干法刻蝕或濕法腐蝕技術(shù)來實(shí)現(xiàn)。湖南Si材料刻蝕加工廠商
干法刻蝕優(yōu)點(diǎn)是:各向異性好,選擇比高,可控性、靈活性、重復(fù)性好。湖南Si材料刻蝕加工廠商
干刻蝕是一類較新型,但迅速為半導(dǎo)體工業(yè)所采用的技術(shù)。其利用電漿(plasma)來進(jìn)行半導(dǎo)體薄膜材料的刻蝕加工。其中電漿必須在真空度約10至0.001Torr的環(huán)境下,才有可能被激發(fā)出來;而干刻蝕采用的氣體,或轟擊質(zhì)量頗巨,或化學(xué)活性極高,均能達(dá)成刻蝕的目的。干刻蝕基本上包括離子轟擊與化學(xué)反應(yīng)兩部份刻蝕機(jī)制。偏「離子轟擊」效應(yīng)者使用氬氣(argon),加工出來之邊緣側(cè)向侵蝕現(xiàn)象極微。而偏化學(xué)反應(yīng)效應(yīng)者則采氟系或氯系氣體(如四氟化碳CF4),經(jīng)激發(fā)出來的電漿,即帶有氟或氯之離子團(tuán),可快速與芯片表面材質(zhì)反應(yīng)。刪轎厚干刻蝕法可直接利用光阻作刻蝕之阻絕遮幕,不必另行成長(zhǎng)阻絕遮幕之半導(dǎo)體材料。而其較重要的優(yōu)點(diǎn),能兼顧邊緣側(cè)向侵蝕現(xiàn)象極微與高刻蝕率兩種優(yōu)點(diǎn),換言之,本技術(shù)中所謂活性離子刻蝕已足敷頁(yè)堡局滲次微米線寬制程技術(shù)的要求,而正被大量使用。湖南Si材料刻蝕加工廠商
廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所致力于電子元器件,是一家服務(wù)型公司。公司自成立以來,以質(zhì)量為發(fā)展,讓匠心彌散在每個(gè)細(xì)節(jié),公司旗下微納加工技術(shù)服務(wù),真空鍍膜技術(shù)服務(wù),紫外光刻技術(shù)服務(wù),材料刻蝕技術(shù)服務(wù)深受客戶的喜愛。公司從事電子元器件多年,有著創(chuàng)新的設(shè)計(jì)、強(qiáng)大的技術(shù),還有一批**的專業(yè)化的隊(duì)伍,確保為客戶提供良好的產(chǎn)品及服務(wù)。廣東省半導(dǎo)體所秉承“客戶為尊、服務(wù)為榮、創(chuàng)意為先、技術(shù)為實(shí)”的經(jīng)營(yíng)理念,全力打造公司的重點(diǎn)競(jìng)爭(zhēng)力。
文章來源地址: http://www.cdcfah.com/cp/2952080.html
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