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產(chǎn)品關鍵詞:珠海叉指電極真空鍍膜代工,真空鍍膜
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詳細說明
磁控濺射的優(yōu)勢在于可根據(jù)靶材的性質(zhì)來選擇使用不同的靶qiang進行濺射,靶qiang分為射頻靶(RF)、直流靶(DC)、直流脈沖靶(DC Pluse)。其中射頻靶主要用于導電性較差的氧化物、陶瓷等介質(zhì)膜的濺射,也可以進行常規(guī)金屬材料濺射。直流靶只能用于導電性較好的金屬材料,珠海叉指電極真空鍍膜代工,而直流脈沖靶介于二者之間,珠海叉指電極真空鍍膜代工,可濺射硅、鍺等半導體材料。利用PECVD生長的氮化硅薄膜具有以下優(yōu)點:1.均勻性和重復性好,可大面積成膜2.可在低溫下成膜3.臺階覆蓋性比較好 4.薄膜成分和厚度容易控制 5.應用范圍廣,設備簡單,易于產(chǎn)業(yè)化,珠海叉指電極真空鍍膜代工。磁控濺射常用來沉積TSV結(jié)構的阻擋層和種子層,通過對相關參數(shù)的調(diào)整和引入負偏壓。珠海叉指電極真空鍍膜代工
電子束蒸發(fā)源的能量可高度集中,使鍍膜材料局部達到高溫而蒸發(fā)。通過調(diào)節(jié)電子束的功率,可以方便的控制鍍膜材料的蒸發(fā)速率,特別是有利于高熔點以及高純金屬和化合物材料。物質(zhì)的飽和蒸氣壓隨溫度的上升而增大,在一定溫度下,各種物質(zhì)的飽和蒸氣壓不相同,且具有恒定的數(shù)值。相反,一定的飽和蒸氣壓必定對應一定的物質(zhì)的溫度。在高真空下,電子qiang燈絲加熱后發(fā)射熱電子,被加速陽極加速,獲得很大的動能轟擊到的蒸發(fā)材料上,把動能轉(zhuǎn)化成熱使蒸發(fā)材料加熱氣化,而實現(xiàn)蒸發(fā)鍍膜。電子束蒸發(fā)源由發(fā)射電子的熱陰極、電子加速極和作為陽極的鍍膜材料組成。珠海叉指電極真空鍍膜代工電子束蒸發(fā)是蒸度高熔點薄膜和高純薄膜的一種主要加熱方法。
LPCVD工藝在襯底表面淀積一層均勻的介質(zhì)薄膜,在微納加工當中用于結(jié)構層材料、xi牲層、絕緣層、掩模材料,LPCVD工藝淀積的材料有多晶硅、氮化硅、磷硅玻璃。不同的材料淀積采用不同的氣體。磁控濺射方向性要優(yōu)于電子束蒸發(fā),但薄膜質(zhì)量,表面粗糙度等方面不如電子束蒸發(fā)。但磁控濺射可用于多種材料,適用性普遍,電子束蒸發(fā)則只能用于金屬材料蒸鍍,且高熔點金屬,如W,Mo等的蒸鍍較為困難。所以磁控濺射常用于新型氧化物,陶瓷材料的鍍膜,電子束則用于對薄膜質(zhì)量較高的金屬材料。
磁控濺射可改變工作氣體與氬氣比例從而進行反應濺射,例如使用Si靶材,通入一定比例的N2,氬氣作為工作氣體,而氮氣作為反應氣體,較終能得到SiNx薄膜。通入氧氣與氮氣從而獲得各種材料的氧化物與氮化物薄膜,通過改變反應氣體與工作氣體的比例也能對濺射速率進行調(diào)整,薄膜內(nèi)組分也能相應調(diào)整。但反應氣體過量時可能會造成靶中毒。磁控濺射還可用于不同金屬合金的共濺射,同時使用多個靶qiang電源和不同靶材,例如TiW合金,通過獨自調(diào)整Ti、W的濺射速率,同時開始濺射2種材料,則在襯底上可以形成Ti/W合計,對不同材料的速率進行調(diào)節(jié),即能滿足不同組分的要求。熱氧化是在一定的溫度和氣體條件下,使硅片表面氧化一定厚度的氧化硅的。主要有干法氧化和濕法氧化。
薄膜應力的起源是薄膜生長過程中的某種結(jié)構不完整性(雜質(zhì)、空位、晶粒邊界、錯位等)、表面能態(tài)的存在、薄膜與基底界面間的晶格錯配等磁控濺射由于其內(nèi)部電場的存在,還可在襯底端引入一個負偏壓,使濺射速率和材料粒子的方向性增加。所以磁控濺射常用來沉積TSV結(jié)構的阻擋層和種子層,通過對相關參數(shù)的調(diào)整和引入負偏壓,可以實現(xiàn)高深寬比的薄膜濺射,且深孔內(nèi)壁薄膜連續(xù)和良好的均勻性。通過PVD制備的薄膜通常存在應力問題,不同材料與襯底間可能存在壓應力或張應力,在多層膜結(jié)構中可能同時存在多種形式的應力。在一定溫度下,真空當中,蒸發(fā)物質(zhì)的蒸氣與固體平衡過程中所表現(xiàn)出的壓力, 稱為該物質(zhì)的飽和蒸氣壓。珠海叉指電極真空鍍膜代工
熱氧化與化學氣相沉積不同,它是通過氧氣或水蒸氣擴散到硅表面并進行化學反應形成氧化硅。珠海叉指電極真空鍍膜代工
在電子束加熱裝置中,被加熱的材料放置于水冷的坩堝當中,可避免蒸發(fā)材料與坩堝壁發(fā)生反應影響薄膜的質(zhì)量,因此,電子束蒸發(fā)沉積法可以制備高純薄膜。LPCVD反應的能量源是熱能,通常其溫度在500℃-1000℃之間,壓力在0.1Torr-2Torr以內(nèi),影響其沉積反應的主要參數(shù)是溫度、壓力和氣體流量,它的主要特征是因為在低壓環(huán)境下,反應氣體的平均自由程及擴散系數(shù)變大,膜厚均勻性好、臺階覆蓋性好。目前采用LPCVD工藝制作的主要材料有:多晶硅、單晶硅、非晶硅、氮化硅等。電子束蒸發(fā)法是真空蒸發(fā)鍍膜中常用的一種方法,是在高真空條件下利用電子束進行直接加熱蒸發(fā)材料,使蒸發(fā)材料氣化并向襯底輸運,在基底上凝結(jié)形成薄膜的方法。珠海叉指電極真空鍍膜代工
廣東省科學院半導體研究所位于長興路363號。廣東省半導體所致力于為客戶提供良好的微納加工技術服務,真空鍍膜技術服務,紫外光刻技術服務,材料刻蝕技術服務,一切以用戶需求為中心,深受廣大客戶的歡迎。公司將不斷增強企業(yè)重點競爭力,努力學習行業(yè)知識,遵守行業(yè)規(guī)范,植根于電子元器件行業(yè)的發(fā)展。廣東省半導體所憑借創(chuàng)新的產(chǎn)品、專業(yè)的服務、眾多的成功案例積累起來的聲譽和口碑,讓企業(yè)發(fā)展再上新高。
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