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電子束蒸發(fā)源的能量可高度集中,使鍍膜材料局部達(dá)到高溫而蒸發(fā)。通過調(diào)節(jié)電子束的功率,天津叉指電極真空鍍膜加工平臺(tái),可以方便的控制鍍膜材料的蒸發(fā)速率,特別是有利于高熔點(diǎn)以及高純金屬和化合物材料。物質(zhì)的飽和蒸氣壓隨溫度的上升而增大,在一定溫度下,各種物質(zhì)的飽和蒸氣壓不相同,且具有恒定的數(shù)值。相反,一定的飽和蒸氣壓必定對(duì)應(yīng)一定的物質(zhì)的溫度。在高真空下,電子qiang燈絲加熱后發(fā)射熱電子,被加速陽極加速,獲得很大的動(dòng)能轟擊到的蒸發(fā)材料上,把動(dòng)能轉(zhuǎn)化成熱使蒸發(fā)材料加熱氣化,天津叉指電極真空鍍膜加工平臺(tái),而實(shí)現(xiàn)蒸發(fā)鍍膜。電子束蒸發(fā)源由發(fā)射電子的熱陰極、電子加速極和作為陽極的鍍膜材料組成。在鍍膜過程中,想要控制蒸發(fā)速率,天津叉指電極真空鍍膜加工平臺(tái),必須精確控制蒸發(fā)源的溫度,加熱時(shí)應(yīng)盡量避免產(chǎn)生過大的溫度梯度。天津叉指電極真空鍍膜加工平臺(tái)
磁控濺射主要利用輝光放電(glowdischarge)將氬氣(Ar)離子撞擊靶材(target)表面,靶材的原子被彈出而堆積在基板表面形成薄膜。濺鍍薄膜的性質(zhì)、均勻度都比蒸鍍薄膜來的好,但是鍍膜速度卻比蒸鍍慢比較多。新型的濺鍍?cè)O(shè)備幾乎都使用強(qiáng)力磁鐵將電子成螺旋狀運(yùn)動(dòng)以加速靶材周圍的氬氣離子化,造成靶與氬氣離子間的撞擊機(jī)率增加,提高濺鍍速率。真空鍍膜的物理過程:PVD(物理的氣相沉積技術(shù))的基本原理可分為三個(gè)工藝步驟:(1)金屬顆粒的氣化:即鍍料的蒸發(fā)、升華或被濺射從而形成氣化源(2)鍍料粒子((原子、分子或離子)的遷移:由氣化源供出原子、分子或離子經(jīng)過碰撞,產(chǎn)生多種反應(yīng)。(3)鍍料粒子在基片表面的沉積。天津叉指電極真空鍍膜加工平臺(tái)在一定溫度下,真空當(dāng)中,蒸發(fā)物質(zhì)的蒸氣與固體平衡過程中所表現(xiàn)出的壓力, 稱為該物質(zhì)的飽和蒸氣壓。
在薄膜生長過程中,各種副產(chǎn)物從膜的表面逐漸脫離,在真空泵的作用下從出口排出。化學(xué)氣相沉積法(CVD)是一種利用化學(xué)反應(yīng)的方式,將反應(yīng)氣體生成固態(tài)的產(chǎn)物,并沉積在基片表面的薄膜沉積技術(shù)。主要有常壓CVD、LPCVD(低壓氣相沉積法)、PECVD(等離子體增強(qiáng)氣相沉積法)等方法。PECVD反應(yīng)過程中,反應(yīng)氣體從進(jìn)氣口進(jìn)入爐腔,逐漸擴(kuò)散至襯底表面,在射頻源激發(fā)的電場作用下,反應(yīng)氣體分解成電子、離子和活性基團(tuán)等。分解物發(fā)生化學(xué)反應(yīng),生成形成膜的初始成分和副反應(yīng)物,這些生成物以化學(xué)鍵的形式吸附到樣品表面,生成固態(tài)膜的晶核,晶核逐漸生長成島狀物,島狀物繼續(xù)生長成連續(xù)的薄膜。
磁控濺射一般金屬鍍膜大都采用直流濺鍍,而不導(dǎo)電的陶磁材料則使用RF交流濺鍍,基本的原理是在真空中利用輝光放電(glowdischarge)將氬氣(Ar)離子撞擊靶材(target)表面,電漿中的陽離子會(huì)加速?zèng)_向作為被濺鍍材的負(fù)電極表面,這個(gè)沖擊將使靶材的物質(zhì)飛出而沉積在基板上形成薄膜。PECVD( Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積,等離子體是物質(zhì)分子熱運(yùn)動(dòng)加劇,相互間的碰撞會(huì)導(dǎo)致氣體分子產(chǎn)生電離,物質(zhì)就會(huì)變成自由運(yùn)動(dòng)并由相互作用的正離子、電子和中性粒子組成的混合物。PECVD當(dāng)中沉積速率過快,會(huì)導(dǎo)致氧化硅薄膜速率過快,說明薄膜質(zhì)量比較差。
磁控濺射由于其內(nèi)部電場的存在,還可在襯底端引入一個(gè)負(fù)偏壓,使濺射速率和材料粒子的方向性增加。所以磁控濺射常用來沉積TSV結(jié)構(gòu)的阻擋層和種子層,通過對(duì)相關(guān)參數(shù)的調(diào)整和引入負(fù)偏壓,可以實(shí)現(xiàn)高深寬比的薄膜濺射,且深孔內(nèi)壁薄膜連續(xù)和良好的均勻性。通過PVD制備的薄膜通常存在應(yīng)力問題,不同材料與襯底間可能存在壓應(yīng)力或張應(yīng)力,在多層膜結(jié)構(gòu)中可能同時(shí)存在多種形式的應(yīng)力。薄膜應(yīng)力的起源是薄膜生長過程中的某種結(jié)構(gòu)不完整性(雜質(zhì)、空位、晶粒邊界、錯(cuò)位等)、表面能態(tài)的存在、薄膜與基底界面間的晶格錯(cuò)配等磁控濺射主要利用輝光放電將氬氣離子撞擊靶材表面,靶材的原子被彈出而堆積在基板表面形成薄膜。天津叉指電極真空鍍膜加工平臺(tái)
利用PECVD生長的氮化硅薄膜薄膜應(yīng)用范圍廣,設(shè)備簡單,易于產(chǎn)業(yè)化。天津叉指電極真空鍍膜加工平臺(tái)
電子束蒸發(fā)法是真空蒸發(fā)鍍膜中常用的一種方法,是在高真空條件下利用電子束進(jìn)行直接加熱蒸發(fā)材料,使蒸發(fā)材料氣化并向襯底輸運(yùn),在基底上凝結(jié)形成薄膜的方法。在電子束加熱裝置中,被加熱的材料放置于水冷的坩堝當(dāng)中,可避免蒸發(fā)材料與坩堝壁發(fā)生反應(yīng)影響薄膜的質(zhì)量,因此,電子束蒸發(fā)沉積法可以制備高純薄膜。LPCVD反應(yīng)的能量源是熱能,通常其溫度在500℃-1000℃之間,壓力在0.1Torr-2Torr以內(nèi),影響其沉積反應(yīng)的主要參數(shù)是溫度、壓力和氣體流量,它的主要特征是因?yàn)樵诘蛪涵h(huán)境下,反應(yīng)氣體的平均自由程及擴(kuò)散系數(shù)變大,膜厚均勻性好、臺(tái)階覆蓋性好。目前采用LPCVD工藝制作的主要材料有:多晶硅、單晶硅、非晶硅、氮化硅等。天津叉指電極真空鍍膜加工平臺(tái)
廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所致力于電子元器件,是一家服務(wù)型的公司。廣東省半導(dǎo)體所致力于為客戶提供良好的微納加工技術(shù)服務(wù),真空鍍膜技術(shù)服務(wù),紫外光刻技術(shù)服務(wù),材料刻蝕技術(shù)服務(wù),一切以用戶需求為中心,深受廣大客戶的歡迎。公司從事電子元器件多年,有著創(chuàng)新的設(shè)計(jì)、強(qiáng)大的技術(shù),還有一批**的專業(yè)化的隊(duì)伍,確保為客戶提供良好的產(chǎn)品及服務(wù)。在社會(huì)各界的鼎力支持下,持續(xù)創(chuàng)新,不斷鑄造***服務(wù)體驗(yàn),為客戶成功提供堅(jiān)實(shí)有力的支持。
文章來源地址: http://www.cdcfah.com/cp/2978804.html
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