干法刻蝕是芯片制造領(lǐng)域較主要的表面材料去除方法，擁有更好的剖面控制。干刻蝕法按作用機理分為：物理刻蝕、化學刻蝕和物理化學綜合作用刻蝕。物理和化學綜合作用機理中，黑龍江Si材料刻蝕加工，離子轟擊的物理過程可以通過濺射去除表面材料，具有比較強的方向性。離子轟擊可以改善化學刻蝕作用，使反應元素與硅表面物質(zhì)反應效率更高，黑龍江Si材料刻蝕加工。綜合型干刻蝕法綜合離子濺射與表面反應的優(yōu)點，使刻蝕具有較好的選擇比和線寬控制。在集成電路制造過程中需要多種類型的干法刻蝕工藝，應用涉及硅片上各種材料。被刻蝕材料主要包括介質(zhì)、硅和金屬等，通過與光刻、沉積等工藝多次配合可以形成完整的底層電路，黑龍江Si材料刻蝕加工、柵極、絕緣層以及金屬通路等?？涛g的基本目標是在涂膠的硅片上正確的復制掩模圖形。黑龍江Si材料刻蝕加工

干刻蝕是一類較新型，但迅速為半導體工業(yè)所采用的技術(shù)。其利用電漿(plasma)來進行半導體薄膜材料的刻蝕加工。其中電漿必須在真空度約10至0.001Torr的環(huán)境下，才有可能被激發(fā)出來；而干刻蝕采用的氣體，或轟擊質(zhì)量頗巨，或化學活性極高，均能達成刻蝕的目的。干刻蝕基本上包括離子轟擊與化學反應兩部份刻蝕機制。偏「離子轟擊」效應者使用氬氣(argon)，加工出來之邊緣側(cè)向侵蝕現(xiàn)象極微。而偏化學反應效應者則采氟系或氯系氣體(如四氟化碳CF4)，經(jīng)激發(fā)出來的電漿，即帶有氟或氯之離子團，可快速與芯片表面材質(zhì)反應。刪轎厚干刻蝕法可直接利用光阻作刻蝕之阻絕遮幕，不必另行成長阻絕遮幕之半導體材料。而其較重要的優(yōu)點，能兼顧邊緣側(cè)向侵蝕現(xiàn)象極微與高刻蝕率兩種優(yōu)點，換言之，本技術(shù)中所謂活性離子刻蝕已足敷頁堡局滲次微米線寬制程技術(shù)的要求，而正被大量使用。云南GaN材料刻蝕加工平臺濕法腐蝕仍然用來腐蝕硅片上某些層或用來去除干法刻蝕后的殘留物。

選擇比指的是在同一刻蝕條件下一種材料與另一種材料相比刻蝕速率快多少，它定義為被刻蝕材料的刻蝕速率與另一種材料的刻蝕速率的比?；緝?nèi)容：高選擇比意味著只刻除想要刻去的那一層材料。一個高選擇比的刻蝕工藝不刻蝕下面一層材料（刻蝕到恰當?shù)纳疃葧r停止）并且保護的光刻膠也未被刻蝕。圖形幾何尺寸的縮小要求減薄光刻膠厚度。高選擇比在較先進的工藝中為了確保關(guān)鍵尺寸和剖面控制是必需的。特別是關(guān)鍵尺寸越小，選擇比要求越高。廣東省科學院半導體研究所。

等向性刻蝕：大部份的濕刻蝕液均是等向性，換言之，對刻蝕接觸點之任何方向腐蝕速度并無明顯差異。故一旦定義好刻蝕掩膜的圖案，暴露出來的區(qū)域，便是往下腐蝕的所在；蘭記婚只要刻蝕配方具高選擇性，便應當止于所該止之深度。然而有鑒于任何被蝕薄膜皆有其厚度，當其被蝕出某深度時，刻蝕掩膜圖案邊緣的部位漸與刻蝕液接觸，故刻蝕液也開始對刻蝕掩膜圖案邊緣的底部，進行蝕掏，這就是所謂的下切或側(cè)向侵蝕現(xiàn)象(undercut)。該現(xiàn)象造成的圖案側(cè)向誤差與被蝕薄膜厚度同數(shù)量級，換言之，濕刻蝕技術(shù)因之而無法應用在類似次微米線寬的精密棄擊乃制程技術(shù)！減少非均勻性和微負載是刻蝕的重要目標。

在Si片上形成具有垂直側(cè)壁的高深寬比溝槽結(jié)構(gòu)是制備先進MEMS器件的關(guān)鍵工藝，其各向異性刻蝕要求非常嚴格。高深寬比的干法刻蝕技術(shù)以其刻蝕速率快、各向異性較強、污染少等優(yōu)點脫穎而出，成為MEMS器件加工的關(guān)鍵技術(shù)之一。BOSCH工藝,又名TMDE(Time Multiplexed Deep Etching)工藝，是一個刻蝕—鈍化—刻蝕的循環(huán)過程，以達到對硅材料進行高深寬比、各向異性刻蝕的目的。 BOSCH工藝的原理是在反應腔室中輪流通入鈍化氣體C4F8與刻蝕氣體SF6與樣品進行反應，工藝的整個過程是淀積鈍化層步驟與刻蝕步驟的反復交替。其中保護氣體C4F8在高密度等離子體的作用下分解生成碳氟聚合物保護層，沉積在已經(jīng)做好圖形的樣品表面。有圖形的光刻膠層在刻蝕中不受腐蝕源明顯的侵蝕。云南GaN材料刻蝕加工平臺

等離子會釋放帶正電的離子來撞擊晶圓以去除（刻蝕）材料，并和活性自由基產(chǎn)生化學反應。黑龍江Si材料刻蝕加工

刻蝕也可以分成有圖形刻蝕和無圖形刻蝕。有圖形刻蝕采用掩蔽層（有圖形的光刻膠）來定義要刻蝕掉的表面材料區(qū)域，只有硅片上被選擇的這一部分在刻蝕過程中刻掉。有圖形刻蝕可用來在硅片上制作多種不同的特征圖形，包括柵、金屬互連線、通孔、接觸孔和溝槽。無圖形刻蝕、反刻或剝離是在整個硅片沒有掩模的情況下進行的，這種刻蝕工藝用于剝離掩模層（如STI氮化硅剝離和用于制備晶體管注入側(cè)墻的硅化物工藝后鈦的剝離）。反刻是在想要把某一層膜的總的厚度減小時采用的（如當平坦化硅片表面時需要減小形貌特征）。黑龍江Si材料刻蝕加工

廣東省科學院半導體研究所致力于電子元器件，是一家服務型公司。公司業(yè)務分為微納加工技術(shù)服務，真空鍍膜技術(shù)服務，紫外光刻技術(shù)服務，材料刻蝕技術(shù)服務等，目前不斷進行創(chuàng)新和服務改進，為客戶提供良好的產(chǎn)品和服務。公司從事電子元器件多年，有著創(chuàng)新的設(shè)計、強大的技術(shù)，還有一批**的專業(yè)化的隊伍，確保為客戶提供良好的產(chǎn)品及服務。廣東省半導體所立足于全國市場，依托強大的研發(fā)實力，融合前沿的技術(shù)理念，飛快響應客戶的變化需求。

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