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產(chǎn)品關(guān)鍵詞:圖形光刻加工工廠,光刻
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正膠光刻的基本流程:襯底清洗、前烘以及預(yù)處理,涂膠、軟烘、曝光、顯影、圖形檢查,后烘。負(fù)膠光刻的基本流程:襯底清洗、前烘以及預(yù)處理、涂膠、軟烘、曝光、后烘、顯影、圖形檢查。正膠曝光前,光刻膠不溶于顯影液,曝光后,曝光區(qū)溶于顯影液,圖形光刻加工工廠,圖形與掩膜版圖形相同;而負(fù)性光刻膠,曝光前光刻膠可溶于顯影液,曝光后,被曝光區(qū)不溶于顯影液,圖形與掩膜版圖形相同。光刻可能會(huì)出現(xiàn)顯影不干凈的異常,主要原因可能是顯影時(shí)間不足、顯影溶液使用周期過長(zhǎng),溶液溶解膠量較多,圖形光刻加工工廠、曝光時(shí)間不足,主要的解決方法有增加顯影時(shí)間、更換新的顯影液,增強(qiáng)溶液溶解能力,圖形光刻加工工廠、增加曝光時(shí)間。表面有顆粒、滴膠后精致時(shí)間過長(zhǎng),部分光刻膠固話,解決的方法主要有更換光刻膠。圖形光刻加工工廠
光刻膠按應(yīng)用領(lǐng)域分類,可分為PCB光刻膠、顯示面板光刻膠、半導(dǎo)體光刻膠及其他光刻膠。全球市場(chǎng)上不同種類光刻膠的市場(chǎng)結(jié)構(gòu)較為均衡。智研咨詢的數(shù)據(jù)還顯示,受益于半導(dǎo)體、顯示面板、PCB產(chǎn)業(yè)東移的趨勢(shì),自2011年至今,光刻膠中國本土供應(yīng)規(guī)模年華增長(zhǎng)率達(dá)到11%,高于全球平均5%的增速。2019年中國光刻膠市場(chǎng)本土企業(yè)銷售規(guī)模約70億元,全球占比約10%,發(fā)展空間巨大。目前,中國本土光刻膠以PCB用光刻膠為主,平板顯示、半導(dǎo)體用光刻膠供應(yīng)量占比極低。圖形光刻加工工廠目前中國光刻膠國產(chǎn)化水平嚴(yán)重不足,重點(diǎn)技術(shù)差距在半導(dǎo)體光刻膠領(lǐng)域,有2-3代差距。
光刻工藝的成本約為整個(gè)芯片制造工藝的35%,并且耗費(fèi)時(shí)間約占整個(gè)芯片工藝的40%-50%。光刻膠材料約占IC制造材料總成本的4%,市場(chǎng)巨大。因此光刻膠是半導(dǎo)體集成電路制造的中心材料。按顯示效果分類;光刻膠可分為正性光刻膠和負(fù)性光刻膠。負(fù)性光刻膠顯影時(shí)形成的圖形與光罩(掩膜版)相反;正性光刻膠形成的圖形與掩膜版相同。兩者的生產(chǎn)工藝流程基本一致,區(qū)別在于主要原材料不同。按照化學(xué)結(jié)構(gòu)分類;光刻膠可以分為光聚合型,光分解型,光交聯(lián)型和化學(xué)放大型。
動(dòng)態(tài)噴灑法:隨著硅片尺寸越來越大,靜態(tài)涂膠已經(jīng)不能滿足較新的硅片加工需求。相對(duì)靜態(tài)旋轉(zhuǎn)法而言,動(dòng)態(tài)噴灑法在光刻膠對(duì)硅片進(jìn)行澆注的時(shí)刻就開始以低速旋轉(zhuǎn)幫助光刻膠進(jìn)行較初的擴(kuò)散。這種方法可以用較少量的光刻膠形成更均勻的光刻膠鋪展,較終以高速旋轉(zhuǎn)形成滿足厚薄與均勻度要求的光刻膠膜。集成電路的制程工藝水平按已由微米級(jí)、亞微米級(jí)、深亞微米級(jí)進(jìn)入到納米級(jí)階段。集成電路線寬不斷縮小的趨勢(shì),對(duì)包括光刻在內(nèi)的半導(dǎo)體制程工藝提出了新的挑戰(zhàn)。常用的光刻機(jī)是掩模對(duì)準(zhǔn)光刻,所以它被稱為掩模對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)。
堅(jiān)膜,以提高光刻膠在離子注入或刻蝕中保護(hù)下表面的能力;進(jìn)一步增強(qiáng)光刻膠與硅片表面之間的黏附性;進(jìn)一步減少駐波效應(yīng)(StandingWaveEffect)。常見問題:a、烘烤不足(Underbake)。減弱光刻膠的強(qiáng)度(抗刻蝕能力和離子注入中的阻擋能力);降低小孔填充能力(GapfillCapabilityfortheneedlehole);降低與基底的黏附能力。b、烘烤過度(Overbake)。引起光刻膠的流動(dòng),使圖形精度降低,分辨率變差。另外還可以用深紫外線(DUV,DeepUltra-Violet)堅(jiān)膜。使正性光刻膠樹脂發(fā)生交聯(lián)形成一層薄的表面硬殼,增加光刻膠的熱穩(wěn)定性。在后面的等離子刻蝕和離子注入(125~200C)工藝中減少因光刻膠高溫流動(dòng)而引起分辨率的降低。根據(jù)曝光方式的不同,光刻機(jī)主要分為接觸式,接近式以及投影式三種。圖形光刻加工工廠
一般的光刻工藝要經(jīng)歷硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻膠、軟烘、對(duì)準(zhǔn)曝光、后烘、顯影、硬烘等工序。圖形光刻加工工廠
根據(jù)曝光方式的不同,光刻機(jī)主要分為接觸式,接近式以及投影式三種。接觸式光刻機(jī),曝光時(shí),光刻版壓在涂有光刻膠的襯底上,優(yōu)點(diǎn)是設(shè)備簡(jiǎn)單,分辨率高,沒有衍射效應(yīng),缺點(diǎn)是光刻版與涂有光刻膠的晶圓片直接接觸,每次接觸都會(huì)在晶圓片和光刻版上產(chǎn)生缺陷,降低光刻版使用壽命,成品率低。接近式光刻機(jī),光刻版與光刻膠有一個(gè)很小的縫隙,因?yàn)楣饪贪媾c襯底沒有接觸,缺陷減少,優(yōu)點(diǎn)是避免晶圓片與光刻版直接接觸,缺陷少,缺點(diǎn)是分辨率低,存在衍射效應(yīng)。投影式曝光,一般光學(xué)系統(tǒng)將掩模版上的圖像縮小4x或5x倍,聚焦并與硅片上已有的圖形對(duì)準(zhǔn)后曝光,每次曝光一小部分,曝完一個(gè)圖形后,硅片移動(dòng)到下一個(gè)曝光位置繼續(xù)對(duì)準(zhǔn)曝光,這種曝光方式分辨率比較高,但不產(chǎn)生缺陷。圖形光刻加工工廠
廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所總部位于長(zhǎng)興路363號(hào),是一家面向半導(dǎo)體光電子器件、功率電子器件、MEMS、生物芯片等前沿領(lǐng)域,致力于打造***的公益性、開放性、支撐性樞紐中心。平臺(tái)擁有半導(dǎo)體制備工藝所需的整套儀器設(shè)備,建立了一條實(shí)驗(yàn)室研發(fā)線和一條中試線,加工尺寸覆蓋2-6英寸(部分8英寸),同時(shí)形成了一支與硬件有機(jī)結(jié)合的專業(yè)人才隊(duì)伍。平臺(tái)當(dāng)前緊抓技術(shù)創(chuàng)新和公共服務(wù),面向國內(nèi)外高校、科研院所以及企業(yè)提供開放共享,為技術(shù)咨詢、創(chuàng)新研發(fā)、技術(shù)驗(yàn)證以及產(chǎn)品中試提供支持。的公司。廣東省半導(dǎo)體所作為面向半導(dǎo)體光電子器件、功率電子器件、MEMS、生物芯片等前沿領(lǐng)域,致力于打造***的公益性、開放性、支撐性樞紐中心。平臺(tái)擁有半導(dǎo)體制備工藝所需的整套儀器設(shè)備,建立了一條實(shí)驗(yàn)室研發(fā)線和一條中試線,加工尺寸覆蓋2-6英寸(部分8英寸),同時(shí)形成了一支與硬件有機(jī)結(jié)合的專業(yè)人才隊(duì)伍。平臺(tái)當(dāng)前緊抓技術(shù)創(chuàng)新和公共服務(wù),面向國內(nèi)外高校、科研院所以及企業(yè)提供開放共享,為技術(shù)咨詢、創(chuàng)新研發(fā)、技術(shù)驗(yàn)證以及產(chǎn)品中試提供支持。的企業(yè)之一,為客戶提供良好的微納加工技術(shù)服務(wù),真空鍍膜技術(shù)服務(wù),紫外光刻技術(shù)服務(wù),材料刻蝕技術(shù)服務(wù)。廣東省半導(dǎo)體所始終以本分踏實(shí)的精神和必勝的信念,影響并帶動(dòng)團(tuán)隊(duì)取得成功。廣東省半導(dǎo)體所始終關(guān)注電子元器件市場(chǎng),以敏銳的市場(chǎng)洞察力,實(shí)現(xiàn)與客戶的成長(zhǎng)共贏。
文章來源地址: http://www.cdcfah.com/cp/2984631.html
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