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產品關鍵詞:江蘇氧化硅材料刻蝕技術,材料刻蝕
***更新:2021-01-25 04:19:10
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詳細說明
等向性刻蝕:大部份的濕刻蝕液均是等向性,換言之,對刻蝕接觸點之任何方向腐蝕速度并無明顯差異。故一旦定義好刻蝕掩膜的圖案,暴露出來的區(qū)域,便是往下腐蝕的所在;蘭記婚只要刻蝕配方具高選擇性,便應當止于所該止之深度。然而有鑒于任何被蝕薄膜皆有其厚度,當其被蝕出某深度時,刻蝕掩膜圖案邊緣的部位漸與刻蝕液接觸,故刻蝕液也開始對刻蝕掩膜圖案邊緣的底部,進行蝕掏,這就是所謂的下切或側向侵蝕現象(undercut),江蘇氧化硅材料刻蝕技術。該現象造成的圖案側向誤差與被蝕薄膜厚度同數量級,江蘇氧化硅材料刻蝕技術,換言之,濕刻蝕技術因之而無法應用在類似次微米線寬的精密棄擊乃制程技術!干法刻蝕優(yōu)點是:各向異性好,江蘇氧化硅材料刻蝕技術,選擇比高,可控性、靈活性、重復性好。江蘇氧化硅材料刻蝕技術
選擇比指的是在同一刻蝕條件下一種材料與另一種材料相比刻蝕速率快多少,它定義為被刻蝕材料的刻蝕速率與另一種材料的刻蝕速率的比?;緝热荩焊哌x擇比意味著只刻除想要刻去的那一層材料。一個高選擇比的刻蝕工藝不刻蝕下面一層材料(刻蝕到恰當的深度時停止)并且保護的光刻膠也未被刻蝕。圖形幾何尺寸的縮小要求減薄光刻膠厚度。高選擇比在較先進的工藝中為了確保關鍵尺寸和剖面控制是必需的。特別是關鍵尺寸越小,選擇比要求越高。廣東省科學院半導體研究所。江蘇氧化硅材料刻蝕技術等離子體刻蝕機要求相同的元素:化學刻蝕劑和能量源。
干刻蝕是一類較新型,但迅速為半導體工業(yè)所采用的技術。其利用電漿(plasma)來進行半導體薄膜材料的刻蝕加工。其中電漿必須在真空度約10至0.001Torr的環(huán)境下,才有可能被激發(fā)出來;而干刻蝕采用的氣體,或轟擊質量頗巨,或化學活性極高,均能達成刻蝕的目的。干刻蝕基本上包括離子轟擊與化學反應兩部份刻蝕機制。偏「離子轟擊」效應者使用氬氣(argon),加工出來之邊緣側向侵蝕現象極微。而偏化學反應效應者則采氟系或氯系氣體(如四氟化碳CF4),經激發(fā)出來的電漿,即帶有氟或氯之離子團,可快速與芯片表面材質反應。刪轎厚干刻蝕法可直接利用光阻作刻蝕之阻絕遮幕,不必另行成長阻絕遮幕之半導體材料。而其較重要的優(yōu)點,能兼顧邊緣側向侵蝕現象極微與高刻蝕率兩種優(yōu)點,換言之,本技術中所謂活性離子刻蝕已足敷頁堡局滲次微米線寬制程技術的要求,而正被大量使用。
“刻蝕”指用化學和物理方法有選擇地從硅片表面去除不需要的材料,是晶圓制造中不可或缺的關鍵步驟??涛g技術按工藝可以分為濕法刻蝕與干法刻蝕,其中干法刻蝕是目前8英寸、12英寸先進制程中的主要刻蝕手段,干法刻蝕又多以“等離子體刻蝕”為主導。在刻蝕環(huán)節(jié)中,硅電極產生高電壓,令刻蝕氣體形成電離狀態(tài),其與芯片同時處于刻蝕設備的同一腔體中,并隨著刻蝕進程而逐步被消耗,因此刻蝕電極也需要達到與晶圓一樣的半導體級的純度(11個9)。溫度越高刻蝕效率越高,但是溫度過高工藝方面波動較大,只要通過設備自帶溫控器和點檢確認。
鋁膜濕法刻蝕:對于鋁和鋁合金層有選擇性的刻蝕溶液是居于磷酸的。遺憾的是,鋁和磷酸反應的副產物是微小的氫氣泡。這些氣泡附著在晶圓表面,并阻礙刻蝕反應。結果既可能產生導致相鄰引線短路的鋁橋連,又可能在表面形成不希望出現的雪球的鋁點。特殊配方鋁刻蝕溶液的使用緩解了這個問題。典型的活性溶液成分配比是:16:1:1:2。除了特殊配方外,典型的鋁刻蝕工藝還會包含以攪拌或上下移動晶圓舟的攪動。有時超聲波或兆頻超聲波也用來去除氣泡。無圖形刻蝕、反刻或剝離是在整個硅片沒有掩模的情況下進行的,這種刻蝕工藝用于剝離掩模層。江蘇氧化硅材料刻蝕技術
等離子刻蝕是將電磁能量(通常為射頻(RF))施加到含有化學反應成分(如氟或氯)的氣體中實現。江蘇氧化硅材料刻蝕技術
基本工藝要求理想的刻蝕工藝必須具有以下特點:①各向異性刻蝕,即只有垂直刻蝕,沒有橫向鉆蝕。這樣才能保證精確地在被刻蝕的薄膜上復制出與抗蝕劑上完全一致的幾何圖形;②良好的刻蝕選擇性,即對作為掩模的抗蝕劑和處于其下的另一層薄膜或材料的刻蝕速率都比被刻蝕薄膜的刻蝕速率小得多,以保證刻蝕過程中抗蝕劑掩蔽的有效性,不致發(fā)生因為過刻蝕而損壞薄膜下面的其他材料;③加工批量大,控制容易,成本低,對環(huán)境污染少,適用于工業(yè)生產。江蘇氧化硅材料刻蝕技術
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