需求數(shù)量:0
價格要求:面議
所在地:廣東省
包裝要求:
產(chǎn)品關(guān)鍵詞:上海低壓氣相沉積真空鍍膜代工,真空鍍膜
***更新:2021-01-25 06:17:38
瀏覽次數(shù):1次
聯(lián)系我們
當前位置:首頁?產(chǎn)品供應(yīng)?電子元器件?電子材料、零部件、結(jié)構(gòu)件?半導(dǎo)體材料?上海低壓氣相沉積真空鍍膜代工 廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所供應(yīng)
需求數(shù)量:0
價格要求:面議
所在地:廣東省
包裝要求:
產(chǎn)品關(guān)鍵詞:上海低壓氣相沉積真空鍍膜代工,真空鍍膜
***更新:2021-01-25 06:17:38
瀏覽次數(shù):1次
聯(lián)系我們聯(lián)系人:曾昭燴
郵箱: 512480780@qq.com
電話: 15018420573
傳真: 020_
網(wǎng)址: http://www.gdssli.com
手機: 020-61086422
地址: 長興路363號
[當前離線] [加為商友] [發(fā)送信件]
詳細說明
磁控濺射由于其內(nèi)部電場的存在,還可在襯底端引入一個負偏壓,使濺射速率和材料粒子的方向性增加。所以磁控濺射常用來沉積TSV結(jié)構(gòu)的阻擋層和種子層,通過對相關(guān)參數(shù)的調(diào)整和引入負偏壓,可以實現(xiàn)高深寬比的薄膜濺射,上海低壓氣相沉積真空鍍膜代工,且深孔內(nèi)壁薄膜連續(xù)和良好的均勻性,上海低壓氣相沉積真空鍍膜代工。通過PVD制備的薄膜通常存在應(yīng)力問題,不同材料與襯底間可能存在壓應(yīng)力或張應(yīng)力,在多層膜結(jié)構(gòu)中可能同時存在多種形式的應(yīng)力。薄膜應(yīng)力的起源是薄膜生長過程中的某種結(jié)構(gòu)不完整性(雜質(zhì)、空位、晶粒邊界、錯位等)、表面能態(tài)的存在,上海低壓氣相沉積真空鍍膜代工、薄膜與基底界面間的晶格錯配等磁控濺射主要利用輝光放電將氬氣離子撞擊靶材表面,靶材的原子被彈出而堆積在基板表面形成薄膜。上海低壓氣相沉積真空鍍膜代工
利用PECVD生長的氮化硅薄膜具有以下優(yōu)點:1.均勻性和重復(fù)性好,可大面積成膜2.可在低溫下成膜3.臺階覆蓋性比較好 4.薄膜成分和厚度容易控制 5.應(yīng)用范圍廣,設(shè)備簡單,易于產(chǎn)業(yè)化。磁控濺射的優(yōu)勢在于可根據(jù)靶材的性質(zhì)來選擇使用不同的靶qiang進行濺射,靶qiang分為射頻靶(RF)、直流靶(DC)、直流脈沖靶(DC Pluse)。其中射頻靶主要用于導(dǎo)電性較差的氧化物、陶瓷等介質(zhì)膜的濺射,也可以進行常規(guī)金屬材料濺射。直流靶只能用于導(dǎo)電性較好的金屬材料,而直流脈沖靶介于二者之間,可濺射硅、鍺等半導(dǎo)體材料。上海低壓氣相沉積真空鍍膜代工等離子體增強氣相沉積法已被普遍應(yīng)用于半導(dǎo)體器件工藝當中。
PECVD主要由工藝管及電阻加熱爐、凈化推舟系統(tǒng)、氣路系統(tǒng)、電氣控制系統(tǒng)、計算機控制系統(tǒng)、真空系統(tǒng)6大部分組成。PECVD的主要性能指標,PECVD設(shè)備的主要特點,該設(shè)備成膜種類為氮化硅,這種PECVD成膜均勻性好、穩(wěn)定性高。每片硅片間不均勻性誤差在5%之內(nèi),同一批硅片間的誤差在6%之內(nèi),不同批次硅片間誤差在7%之內(nèi)。溫度要求比較低,成膜溫度為150℃~500℃,恒溫區(qū)溫度均勻,誤差范圍在2℃之內(nèi),并且在整個成膜過程中隨時間變化小,誤差范圍為2℃/24h之內(nèi)。升溫時間較短,工作壓力范圍廣,恢復(fù)真空時間短,設(shè)備封閉性強并且具有溫度控制和計算機自動監(jiān)控等安全措施功能。除此之外,PECVD與一般CVD相比有更多的優(yōu)點。
解決靶中毒主要有以下幾種方法;1.使用射頻電源進行濺射;2.采用閉環(huán)控制反應(yīng)氣體通入流量;3.使用孿生靶交替濺射;4.控制鍍膜模式的變換:在鍍膜前,采集靶中毒的遲滯效應(yīng)曲線,使進氣流量控制在產(chǎn)生靶中毒的前沿,確保工藝過程始終處于沉積速率陡降前的模式。常用的薄膜制備方式主要有兩種,其中一種是物理的氣相沉積(PVD),PVD的方法有磁控濺射鍍膜、電子束蒸發(fā)鍍膜、熱阻蒸發(fā)等。另一種是化學(xué)氣相沉積法(CVD),主要有常壓CVD、LPCVD(低壓氣相沉積法)、PECVD(等離子體增強氣相沉積法)等方法。熱氧化與化學(xué)氣相沉積不同,它是通過氧氣或水蒸氣擴散到硅表面并進行化學(xué)反應(yīng)形成氧化硅。
磁控濺射可改變工作氣體與氬氣比例從而進行反應(yīng)濺射,例如使用Si靶材,通入一定比例的N2,氬氣作為工作氣體,而氮氣作為反應(yīng)氣體,較終能得到SiNx薄膜。通入氧氣與氮氣從而獲得各種材料的氧化物與氮化物薄膜,通過改變反應(yīng)氣體與工作氣體的比例也能對濺射速率進行調(diào)整,薄膜內(nèi)組分也能相應(yīng)調(diào)整。但反應(yīng)氣體過量時可能會造成靶中毒。磁控濺射還可用于不同金屬合金的共濺射,同時使用多個靶qiang電源和不同靶材,例如TiW合金,通過獨自調(diào)整Ti、W的濺射速率,同時開始濺射2種材料,則在襯底上可以形成Ti/W合計,對不同材料的速率進行調(diào)節(jié),即能滿足不同組分的要求。使用等離子體增強氣相沉積法(PECVD)可在低溫(200-350℃)沉積出良好的氧化硅薄膜。上海低壓氣相沉積真空鍍膜代工
通過PVD制備的薄膜通常存在應(yīng)力問題,不同材料與襯底間可能存在壓應(yīng)力或張應(yīng)力。上海低壓氣相沉積真空鍍膜代工
為了獲得性能良好的半導(dǎo)體電極Al膜,我們通過優(yōu)化工藝參數(shù),制備了一系列性能優(yōu)越的Al薄膜。通過理論計算和性能測試,分析比較了電子束蒸發(fā)與磁控濺射兩種方法制備Al膜的特點??紤]Al膜的致密性就相當于考慮Al膜的晶粒的大小,密度以及能達到均勻化的程度,因為它也直接影響Al膜的其它性能,進而影響半導(dǎo)體嘩啦的性能。氣相沉積的多晶Al膜的晶粒尺寸隨著沉積過程中吸附原子或原子團在基片表面遷移率的增加而增加。由此可以看出Al膜的晶粒尺寸的大小將取決環(huán)于基片溫度、沉積速度、氣相原子在平行基片方面的速度分量、基片表面光潔度和化學(xué)活性等因素。電子束蒸發(fā):將蒸發(fā)材料置于水冷坩堝中,利用電子束直接加熱使蒸發(fā)材料汽化并在襯底上凝結(jié)形成薄膜,是蒸度高熔點薄膜和高純薄膜的一種主要加熱方法。上海低壓氣相沉積真空鍍膜代工
廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所位于長興路363號。公司自成立以來,以質(zhì)量為發(fā)展,讓匠心彌散在每個細節(jié),公司旗下微納加工技術(shù)服務(wù),真空鍍膜技術(shù)服務(wù),紫外光刻技術(shù)服務(wù),材料刻蝕技術(shù)服務(wù)深受客戶的喜愛。公司將不斷增強企業(yè)重點競爭力,努力學(xué)習(xí)行業(yè)知識,遵守行業(yè)規(guī)范,植根于電子元器件行業(yè)的發(fā)展。廣東省半導(dǎo)體所憑借創(chuàng)新的產(chǎn)品、專業(yè)的服務(wù)、眾多的成功案例積累起來的聲譽和口碑,讓企業(yè)發(fā)展再上新高。
文章來源地址: http://www.cdcfah.com/cp/3001494.html
本企業(yè)其它產(chǎn)品 更多>>
珠海感應(yīng)耦合等離子刻蝕材料刻蝕 廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所供應(yīng)
遼寧氧化硅材料刻蝕 廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所供應(yīng)
云南EB真空鍍膜 廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所供應(yīng)
吉林真空鍍膜代工 廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所供應(yīng)
重慶MEMS光刻 廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所供應(yīng)
磁控濺射真空鍍膜廠商 廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所供應(yīng)
山東光刻服務(wù)價格 廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所供應(yīng)
山東微納加工平臺 廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所供應(yīng)
同類產(chǎn)品推薦 更多>>
上海硅材料刻蝕公司 廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所供應(yīng)
中山功率器件微納加工廠 廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所供應(yīng)
重慶MEMS光刻 廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所供應(yīng)
深圳光電器件真空鍍膜加工 廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所供應(yīng)
黑龍江真空鍍膜微納加工廠 廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所供應(yīng)
河南MEMS材料刻蝕加工 廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所供應(yīng)
深圳氮化硅材料刻蝕價錢 廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所供應(yīng)
山東微納加工平臺 廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所供應(yīng)