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產品關鍵詞:東莞氧化硅材料刻蝕加工平臺,材料刻蝕
***更新:2021-01-26 01:17:16
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詳細說明
硅材料在MEMS器件當中是很重要的一種材料。在硅材料刻蝕當中,應用于醫(yī)美方向的硅針刻蝕需要用到各向同性刻蝕,縱向和橫向同時刻蝕,硅柱的刻蝕需要用到各項異性刻蝕,主要是在垂直方向刻蝕,而橫向盡量少刻蝕。氮化鎵基超表面結構當中,氮化鎵材料的刻蝕需要使用氧化硅作為掩膜來刻蝕,而氧化硅的刻蝕需要使用Cr充當硬掩模。所以工藝當中,需要先在氮化鎵表面使用PECVD沉積一層氧化硅,采用剝離的方法在氧化硅表面生長一層Cr,使用ICP設備依次刻蝕氧化硅和氮化鎵,東莞氧化硅材料刻蝕加工平臺。ICP刻蝕可以調節(jié)的刻蝕參數有:ICP 功率,功率值越大,等離子體密度越大,射頻功率,功率值越大,東莞氧化硅材料刻蝕加工平臺,等離子體能量越大,東莞氧化硅材料刻蝕加工平臺,物理濺射加強。GaN的刻蝕一般是采用氯氣和三氯化硼,氣體比例的變化可以調節(jié)物理轟擊和化學反應的平衡。無圖形刻蝕、反刻或剝離是在整個硅片沒有掩模的情況下進行的,這種刻蝕工藝用于剝離掩模層。東莞氧化硅材料刻蝕加工平臺
鋁膜濕法刻蝕:對于鋁和鋁合金層有選擇性的刻蝕溶液是居于磷酸的。遺憾的是,鋁和磷酸反應的副產物是微小的氫氣泡。這些氣泡附著在晶圓表面,并阻礙刻蝕反應。結果既可能產生導致相鄰引線短路的鋁橋連,又可能在表面形成不希望出現的雪球的鋁點。特殊配方鋁刻蝕溶液的使用緩解了這個問題。典型的活性溶液成分配比是:16:1:1:2。除了特殊配方外,典型的鋁刻蝕工藝還會包含以攪拌或上下移動晶圓舟的攪動。有時超聲波或兆頻超聲波也用來去除氣泡。重慶MEMS材料刻蝕價格有圖形的光刻膠層在刻蝕中不受腐蝕源明顯的侵蝕。
在Si片上形成具有垂直側壁的高深寬比溝槽結構是制備先進MEMS器件的關鍵工藝,其各向異性刻蝕要求非常嚴格。高深寬比的干法刻蝕技術以其刻蝕速率快、各向異性較強、污染少等優(yōu)點脫穎而出,成為MEMS器件加工的關鍵技術之一。BOSCH工藝,又名TMDE(Time Multiplexed Deep Etching)工藝,是一個刻蝕—鈍化—刻蝕的循環(huán)過程,以達到對硅材料進行高深寬比、各向異性刻蝕的目的。 BOSCH工藝的原理是在反應腔室中輪流通入鈍化氣體C4F8與刻蝕氣體SF6與樣品進行反應,工藝的整個過程是淀積鈍化層步驟與刻蝕步驟的反復交替。其中保護氣體C4F8在高密度等離子體的作用下分解生成碳氟聚合物保護層,沉積在已經做好圖形的樣品表面。
二氧化硅的干法刻蝕:刻蝕原理氧化物的等離子體刻蝕工藝大多采用含有氟碳化合物的氣體進行刻蝕。使用的氣體有四氟化碳(CF)、八氟丙烷(C,F8)、三氟甲烷(CHF3)等,常用的是CF和CHFCF的刻蝕速率比較高但對多晶硅的選擇比不好,CHF3的聚合物生產速率較高,非等離子體狀態(tài)下的氟碳化合物化學穩(wěn)定性較高,且其化學鍵比SiF的化學鍵強,不會與硅或硅的氧化物反應。選擇比的改變在當今半導體工藝中,Si02的干法刻蝕主要用于接觸孔與金屬間介電層連接洞的非等向性刻蝕方面。前者在S102下方的材料是Si,后者則是金屬層,通常是TiN(氮化鈦),因此在Si02的刻蝕中,Si07與Si或TiN的刻蝕選擇比是一個比較重要的因素。等離子體刻蝕機要求相同的元素:化學刻蝕劑和能量源。
相比刻蝕用單晶硅材料,芯片用單晶硅材料是芯片等終端產品的原材料,市場更為廣闊,國產替代的需求也十分旺盛。SEMI的統(tǒng)計顯示,2018年全球半導體制造材料市場規(guī)模為322.38億美元,其中硅材料的市場規(guī)模達到121.24億美元,占比高達37.61%??涛g用單晶硅材料和芯片用單晶硅材料在制造環(huán)節(jié)上有諸多相似之處:積累的固液共存界面控制技術、熱場尺寸優(yōu)化工藝、多晶硅投料優(yōu)化等工藝技術已經達到國際先進水平,為進入新賽道提供了產業(yè)技術和經驗的支撐。刻蝕也可以分成有圖形刻蝕和無圖形刻蝕。天津硅材料刻蝕版廠家
減少非均勻性和微負載是刻蝕的重要目標。東莞氧化硅材料刻蝕加工平臺
光刻膠是另一個剝離的例子??偟膩碚f,有圖形刻蝕和無圖形刻蝕工藝條件能夠采用干法刻蝕或濕法腐蝕技術來實現。為了復制硅片表面材料上的掩膜圖形,刻蝕必須滿足一些特殊的要求。包括幾方面刻蝕參數:刻蝕速率、刻蝕剖面、刻蝕偏差、選擇比、均勻性、殘留物、聚合物、等離子體誘導損傷、顆粒玷污和缺陷等??涛g是用化學或物理方法有選擇的從硅片表面去除不需要的材料的過程??涛g的基本目標是在涂膠的硅片上正確的復制掩模圖形。有圖形的光刻膠層在刻蝕中不受腐蝕源明顯的侵蝕。東莞氧化硅材料刻蝕加工平臺
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